電子發燒友網報道（文/吳子鵬）根據市場調研機構Omdia的研究報告，隨著全球需求復蘇，韓國內存芯片制造商三星電子和SK海力士今年第二季度加大DRAM晶圓投入，有效結束減產。

Omdia在報告中指出，三星電子已將今年第二季度的平均每月DRAM晶圓投入量調升至60萬片，環比增長13%；預計下半年將DRAM晶圓投入量增加至66萬片，DRAM產量恢復到削減前的水平。SK海力士將把每月平均DRAM晶圓投入量從第一季度的39萬片增加到第二季度的41萬片；下半年預計該公司的DRAM晶圓投入量將增加至45萬片。

同時，近來內存和存儲產品紛紛漲價。在內存方面，據日本經濟新聞近日報道，因中國客戶接受存儲芯片廠商的漲價要求，2024年1月指標性產品DDR4 8Gb批發價為每個1.85美元左右，環比上漲9%，4Gb產品價格為每個1.40美元左右，環比上漲8%，價格皆為連續第三個月揚升。

在存儲產品方面，根據韓國媒體的報道，三星計劃今年二季度將企業級SSD價格在一季度價格基礎上上調20%-25%，原計劃漲幅為15%左右，但由于需求“超預期激增”，這家存儲巨頭決定調高漲幅。

量價齊升，全球存儲市場的新一輪周期開始了。

存儲產品的周期性

作為大宗的半導體元器件，存儲產品的周期效應是非常明顯的，且受到三星、SK海力士和美光三大存儲巨頭的干預效果很明顯。

存儲產品的類型非常多，不過一般大家所談的存儲產品主要指DRAM存儲器和Flash閃存芯片。根據WSTS數據統計，全球存儲器市場規模占據半導體市場的23.17%。自2003年以來，除個別年份高于25%達到30%，這些年這一比例的變動范圍基本在20%-25%。

由于占比很大，因此在半導體產業周期性中，存儲產品屬于波動幅度最大的一個細分類別。在上行周期頂部的時候，比如2010、2017年，全球存儲產品銷售額同比增長55%、61%，當然下行的時候存儲產品也不含糊，曾在2019年遭遇了銷售額同比下滑33%的情況。

因而，存儲產品的波動性是非常明顯的，總是處于上升或下降周期內。造成這種情況的原因在于，存儲產品作為大宗半導體產品，需求量非常大，產品的標準化程度非常高，但是和市場用戶之間的黏性卻很低。換句話說，在存儲市場，消費者實際上話語權是很弱的，基本是頭部廠商靠產能調配來影響周期。

根據中原證券的統計，過去的二十幾年里，存儲產品的周期底部分別為2002年、2008年、 2011年、2015年、2019年和2023年，周期頂部分別為2004年、2010年、2014年、2017年和2021年。由此不難看出，當前我們正處于全球存儲產品的上行周期內，預計下一個產業周期頂部將會在2025年出現。

那么，和以往周期里一樣，存儲廠商在上行周期內，不僅會大幅提升產品的產能，同時也會盡可能地提升價格，從而在整個上行周期中獲取最大的利益。

量價齊升的背后

在CFMS|MemoryS 2024峰會上，深圳市閃存市場資訊有限公司總經理邰煒就曾預測，“今年存儲市場開始重新回到正軌，存儲價格呈平穩上升的趨勢，再加上先進技術以及新興市場的應用，存儲行業正在從‘價格’走入‘價值’周期，我們預計今年市場規模將同比提升42%以上。”

在本輪價值周期里，這一波的存儲產品量價齊升預計將創造一個很大的價值量增長。我們文章開篇已經提到了一些信息，我們再深入看一下。2023年上半年，三星和SK海力士等存儲大廠承受了巨大的產業壓力，由于產能利用率不足，三星電子負責芯片業務的設備解決方案（DS）部門出現了4.58萬億韓元（約合34億美元）的大規模營業虧損，這是十幾年來的首次。同樣，SK海力士也是業績承壓，在2023年第一季度凈虧損約2.59萬億韓元（約合19億美元），該季度SK海力士經營虧損達3.40萬億韓元，創下公司單季經營虧損紀錄。

在巨大的壓力虧損壓力下，三星、SK海力士和美光終于在2023年4月份開始對外宣布減產，隨后減產規模逐月增加。到2023年7月，三星電子表示，考慮到存儲芯片行業減產力度加大，預計存儲芯片市場將逐漸走向穩定，而客戶的庫存調整可能會逐漸結束。隨后，全球存儲產業開始逐漸進入供不應求的階段，價格開始走高。

上面提到，在這一輪周期中，DDR內存的漲勢在10%左右。根據集邦咨詢的報告，NAND閃存和SSD固態硬盤的漲勢則更為迅猛。相關報告里的數據指出，2024年第一季度，全球NAND閃存市場估計漲價約23%-28％，其中3D閃存晶圓、消費級SSD、企業級SSD的漲幅均在23%-28％之間，eMMC/USF的漲幅則在25%-30%。報告預計，進入第二季度，全球閃存市場依然有13%-18％的漲價空間。

對于2024年，三星、SK海力士和美光均表達了樂觀的態度。三星電子表示，2024全年存儲業務將會繼續復蘇，消費電子設備單機存儲容量增加、AI投資擴大、服務器需求逐漸復蘇等是主要推動力。SK海力士則指出，該公司將專注于AI用存儲器HBM3E的量產和HBM4的研發，順應高性能DRAM需求的增長趨勢，同時將DDR5和LPDDR5等高性能、高容量產品應用到服務器和移動端市場。

因此，實際上新一輪存儲產業周期也有一些不一樣的地方，那就是背后的推動力將由傳統的PC和智能手機，變為AI大模型。不僅是在訓練端，同時AI大模型將反哺終端設備，塑造AI手機和AI PC等新式產品理念，帶來高性能存儲的需求。國開證券研報指出，隨著各類AI延伸應用，DRAM及NANDFlash在智能手機、服務器、筆記本電腦等單機平均搭載容量均將顯著增長。

結語

當前，我們正處于全球存儲產品新的上升周期中，并不是單純的廠商調控，而是市場重新回歸低庫存狀態，且出現了新的需求帶動存儲產品出貨。雖然我們說存儲產品和消費者粘性并不高，不過作為大宗半導體產業，存儲還是需要消耗型市場，在新的周期里，這一市場從傳統PC和智能手機變為AI大模型驅動的新應用。