在DRAM和NAND芯片的生產上，三星和SK海力士兩大巨頭依然保持謹慎態度。盡管四月份8Gb DDR4 DRAM通用內存的合約價環比上漲，這一上漲主要歸因于地震影響美光內存產能，進而推動了通用內存需求的短暫上升。

然而，整個通用存儲芯片市場仍面臨著不確定性。此外，隨著HBM（高帶寬內存）需求的持續旺盛，三星電子和SK海力士正積極擴產HBM，這勢必會抑制通用DRAM的晶圓投片量。在此背景下，兩大公司對于提高標準DRAM和NAND芯片產量的決策更顯審慎。未來市場走勢如何，還需進一步觀察。