電子發燒友早八點訊：SK海力士將在錫啟動第二工廠建設，二期投資36億美元，預估應該會做Flash；三星電子于2017～2018年，將大舉追加投資西安3D NAND Flash廠，業界人士預估共將投資約5兆韓元（約43．5億美元），以迎接存儲器市場史上最大需求熱潮。

明眼人都能看出來這是在針對中國半導體，意在制衡紫光長江存儲的建設發展。兩大國際頂級巨頭，同時針對紫光，肯定有備而來。實際上巨頭巨額投入，資源、人才、客戶的爭搶必然走入死胡同，低價競爭必然不可取，不知道紫光如何應對？

紫光現在手握大量現金，卻一直苦于沒有好的項目，去年底強勢并購中芯，中芯董事長周子學以紫光旗下 IC 設計公司展訊、紫光國芯為由，指出其將與中芯、高通等客戶產生利益沖突，力保中芯的獨立性，才止住紫光并中芯的計劃。

因為DRAM價格因供給短缺而以高角度上揚之賜，韓國兩大存儲器廠三星與SK海力士，今年半導體營業利潤年增五成，來到史無前例的25兆韓圜。

存儲器市況從去年一路走高，2017年供給有限，而需求增加的狀況下，存儲器今年有望延續漲勢。近期DRAM漲勢主要由三星主導，且漲勢仍未停歇，首季標準型DRAM漲幅逾三成，移動DRAM約15~20%，服務器用DRAM漲幅在25~30%。三大應用領域同飆，讓主要供應商三星、SK海力士、美光去年營運翻身，股價也大爆發，尤其美光股價大漲1.3倍，格外受到矚目。

紫光武漢廠動工的節點，三星、海力士同時加碼存儲器。爭搶未來市場的動機明顯，武漢新芯（長江存儲）未來競爭將會難上加難，技術、市場、人才可謂沒可能與兩大巨頭抗衡，依靠資金換未來的方法也不知道能否成功。當然，我們是希望能成功。

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