HBM競爭越來越激烈，三星不得不低頭。 5位消息人士稱，三星電子計劃使用競爭對手SK海力士（SK Hynix）倡導的芯片制造技術，因為這家世界頂級存儲芯片制造商尋求在生產用于為人工智能（AI）提供動力的高端芯片的競賽中迎頭趕上。

隨著生成式 AI 的日益普及，對高帶寬內存（HBM）芯片的需求激增。但與同行SK海力士和美光科技不同，三星在與AI芯片領導者英偉達（Nvidia）達成的提供最新HBM芯片的交易中一直引人注目。

分析師和行業觀察人士稱，三星落后的原因之一是它決定堅持使用稱為非導電薄膜（NCF）的芯片制造技術，這會導致一些生產問題，而海力士則改用質量回流模壓底部填充膠（MR-MUF）方法來解決NCF的弱點。

然而，三星最近發布了旨在處理MUF技術的芯片制造設備的采購訂單，3位直接了解此事的消息人士稱。

“三星必須采取一些措施來提高其HBM產量......采用MUF技術對三星來說有點不得已而為之，因為它最終遵循了SK海力士首次使用的技術，”其中一位消息人士說。

據幾位分析師稱，三星的HBM3芯片產量約為10%~20%，而SK海力士的HBM3產量約為60%~70%。

HBM3和HBM3E是HBM 芯片的最新版本，需求旺盛。它們與核心微處理器芯片捆綁在一起，以幫助在生成式 AI 中處理大量數據。

一位消息人士稱，三星還在與包括日本長瀨在內的材料制造商進行談判，以采購MUF材料，增加使用MUF的高端芯片的大規模生產最早要到明年才能準備就緒，因為三星需要進行更多的測試。

三位消息人士還表示，三星計劃在其最新的HBM芯片中使用NCF和MUF技術。

三星表示，其內部開發的NCF技術是HBM產品的“最佳解決方案”，將用于其新的HBM3E芯片。“我們正在按計劃開展HBM3E產品業務，”三星表示。

英偉達和長瀨拒絕置評。 三星使用MUF的計劃凸顯了其在AI芯片競賽中面臨的越來越大的壓力，根據研究公司TrendForce的數據，由于AI相關需求，HBM芯片市場今年增長了一倍多，達到近90億美元。

NCF與MUF技術

非導電薄膜芯片制造技術已被芯片制造商廣泛使用，用于在緊湊的高帶寬存儲器芯片組中堆疊多層芯片，因為使用熱壓縮薄膜有助于最大限度地減少堆疊芯片之間的空間。

但是，隨著添加更多層，制造變得復雜，經常存在與粘合劑材料相關的問題。三星表示，其最新的HBM3E芯片有12個芯片層。芯片制造商一直在尋找替代方案來解決這些弱點。

SK海力士率先成功改用質量回流模壓底部填充膠技術，成為第一家向英偉達供應HBM3芯片的供應商。

KB Securities分析師Jeff Kim表示，SK海力士今年在英偉達HBM3和更先進的HBM產品中的市場份額估計將超過80%。

美光加入了高帶寬內存芯片競賽，宣布其最新的HBM3E芯片將被英偉達采用，為后者的H200 Tensor芯片提供動力，該芯片將于第二季度開始發貨。

三星的HBM3系列尚未通過英偉達的供應交易資格，據四位消息人士之一和另一位知情人士透露。三星在人工智能芯片競賽中遭受的挫折也引起了投資者的注意，其股價今年下跌了7%，落后于SK海力士和美光，后兩家分別上漲了17%和14%。

SK海力士繼續發力

SK海力士高級封裝開發主管Hoyoung Son以副總裁的身份表示：“開發客戶特定的AI存儲器需要一種新的方法，因為該技術的靈活性和可擴展性變得至關重要。”

在性能方面，具有1024位接口的HBM內存發展得相當快：從2014– 2015年的1GT/s數據傳輸速率開始，到最近推出的HBM3E內存器件達到9.2 GT/s – 10 GT/s。使用HBM4，內存設置為轉換為2048位接口，這將確保帶寬比HBM3E穩步提高。

但據Hoyoung Son稱，有些客戶可能會從基于HBM的差異化（或半定制）解決方案中受益。

“為了實現多樣化的AI，AI內存的特征也需要變得更加多樣化，”Hoyoung Son在接受BusinessKorea采訪時說：“我們的目標是擁有能夠應對這些變化的各種先進封裝技術。我們計劃提供能夠滿足任何客戶需求的差異化解決方案。”

對于2048位接口，許多HBM4解決方案可能是定制的，或者至少是半定制的，基于我們從有關即將推出的標準的官方和非官方信息中了解到的信息，一些客戶可能希望繼續使用中介層（但這次它們會變得非常昂貴），而另一些客戶則更愿意使用直接鍵合技術將HBM4模塊直接安裝在邏輯芯片上，這種技術也很昂貴。

制造差異化的HBM產品需要復雜的封裝技術，包括（但不限于）SK海力士的MR-MUF技術。鑒于該公司在HBM方面的豐富經驗，它很可能會想出其它東西，尤其是差異化產品。

Hoyoung Son說：“我們的目標是擁有一系列先進的封裝技術，以應對不斷變化的技術格局。展望未來，我們計劃提供差異化的解決方案，以滿足所有客戶的需求。”

審核編輯：黃飛