比特位的技術），實現了具有極大存儲容量的硅芯片。 目前，最先進的3D NAND閃存可在單個硅片上容納高達1Tbit或1.33Tbit的數據。 譬如，英特爾（Intel）和美光科技（Micron）的開發聯盟和三星電子各自將制造技術與64層堆棧和QLC（四層單元）技術相結合，該技
2019-08-10 00:01:00
8135 9月2日，長江存儲正式對外宣布，其基于Xtacking?架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位，每個存儲單元為三個字位的三維閃存）正式量產，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
2019-09-02 14:31:151919 Kioxia（原東芝存儲），西部數據（WD）聯盟3D NAND閃存使用三星電子技術進行批量生產。 東芝開發的3D NAND技術 BiCS 很早之前，原東芝存儲就在國際會議VLSI研討會上首次分享了
2019-12-13 10:46:0712470 7月24日國外消息：SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技術路線-- 在同一個區域記錄層的堆疊在一個閃存芯片放到另一個提供更多的容量之內。
2013-07-25 10:24:231561 一周之前，三星公司才剛剛宣布推出了世界上首款擁有3D垂直NAND Flash技術的內存產品。僅僅一個禮拜的時間，同樣是三星公司緊接著又宣布即將推出世界首款使用3D垂直NAND Flash技術的SSD固態硬盤。
2013-08-15 09:11:161488 三星目前已完成32層堆疊第二代V-NAND的研發作業，計劃第3季推出48層堆疊第三代V-NAND產品后，于2016年生產64層堆疊的V-NAND產品。
2015-08-11 08:32:001030 句點，加上早前Intel加大在大連工廠的3D Xpoint的投入，3D NAND大戰一觸即發。本文詳細介紹了3D NAND閃存優勢，主要的生產廠商，以及三星、東芝和Intel在這個領域的實力產品。
2016-08-11 13:58:0644661 
目前NAND閃存需求依然居高不下，廠商也有動力擴大產能了，SK Hynix公司日前宣布本月底將量產48層堆棧的3D NAND閃存，這是三星之后第二家量產48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:161088 各大原廠已經在2016年研發了基于48層或32層的3D NADN閃存顆粒，由于技術不成熟以及2D NAND生產線替換問題，如今3D NAND的良品率并不高，總產量也不夠高，因而才引發了當下固態硬盤市場價格的瘋漲。
2016-11-09 17:37:383369 蘋果供應商海力士（SK Hynix）今天發布了72層，256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術多1.5倍，單個 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內部運行速度快兩倍，讀寫性能快 20%。
2017-04-11 07:49:042003 國產手機勢頭越來越強勁，把三星和蘋果的市場份額搶占不少，但繁榮背后是對核心產業鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時表示，長江存儲將在2019年開始量產64層堆棧的3D NAND閃存，這個消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042528 電子發燒友早八點訊：三星今天在韓國宣布，開始大規模量產64層堆疊、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND閃存芯片，是為第四代3D閃存。
2017-06-16 06:00:002458 六大NAND Flash顆粒制造商之一的東芝也宣布了自家96層3D NAND產品的新消息：他們正式推出了旗下首款使用96層3D NAND閃存的固態硬盤產品XG6。在性能方面，XG6也算是追上了目前
2018-07-24 10:57:355877 電子發燒友網報道（文/黃晶晶）早在2022年閃存芯片廠商紛紛發布200+層 3D NAND，并從TLC到QLC得以廣泛應用于消費電子、工業、數據中心等領域。來到2024年5月目前三星第9代
2024-05-25 00:55:005554 
（Frame sequential）功能的3D顯示器應該只有三星一家。 說到這里，筆者最近正在測試三星的23吋SA950系列3D顯示器，并且親自體驗了一把接藍光播放機的原生3D效果，可以說非常的震撼，甚至在
2011-08-20 14:30:01
MOPIC的無需佩戴眼鏡或設備就能實現VR的3d智能手機殼。三星note8手機殼為什么能做3d顯示屏？其實，原理是將凸透鏡制作成薄膜,貼在手機殼上。與之前的技術不一樣的是，在觀看虛擬現實（VR）時是不需要
2017-11-27 12:00:18
`CFMS2018近日成功舉辦，來自三星、西部數據、英特爾、美光、長江存儲等全球存儲業大咖，與行業人士共同探討3D NAND技術的發展未來。我們來看看他們都說了什么。三星：看好在UFS市場的絕對優勢
2018-09-20 17:57:05
韓國三星電子日前宣布，位于中國陜西省西安市的半導體新工廠已正式投產。該工廠采用最尖端的3D技術，生產用于服務器等的NAND閃存（V-NAND）。三星電子希望在IT（信息技術）設備生產基地聚集的中國
2014-05-14 15:27:09
NAND只需要提高堆棧層數，目前多種工藝架構并存。從2013年三星推出了第一款24層SLC/MLC 3D V-NAND，到現在層數已經邁進200+層，并即將進入300+層階段。目前，三星/西部數據
2024-12-17 17:34:06
的3D閃存了，三星公司7月初宣布了第五代V－NAND閃存（3DNAND閃存中的一種），率先支持ToggleDDR4．0接口，傳輸速度達到了1．4Gbps，相比64層堆棧的V－NAND閃存提升了40
2021-07-13 06:38:27
衍生了一些新的技術，來助力其閃存產品向3D方向發展。其中，就包括了三星的V-NAND、東芝的BiCS技術3D NAND、英特爾的3D XPoint等。三星在3D NAND閃存上首先選擇了CTF電荷擷取
2020-03-19 14:04:57
上周東芝及西部數據宣布，已研發出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開始量產，不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星。
2016-08-02 14:53:261430 閃存巨頭再度發力：三星公司在本屆閃存記憶體峰會上連續公布了32 TB SSD、1TB BGA以及一款高速Z-SSD方案。其中32TB SSD利用64層3D NAND構建而成，即三星旗下的V-NAND品牌，同時配合TLC（即三層單元）設計。
2016-08-19 15:57:111041 三維閃存“V-NAND”技術實現了每芯片32GB（256Gbit）的大容量化。也就是運用MLC（Multi Level Cell）技術的第三代V-NAND，嘗試在每個芯片內垂直堆疊了48層存儲單元。
2016-10-31 17:57:241111 據報道，蘋果供應商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三級單元陣列的 72 層，256Gb 的 3D NAND 閃存芯片。通過堆疊，這比以前的 48 層技術多出 1.5 倍的單元，單個
2017-04-12 01:07:111359 市場調查機構DRAMeXchange周五發布的調查結果顯示，到今年三季度，三星電子、SK海力士等韓企的3D NAND閃存半導體在全球整體NAND閃存市場所占份額有望超過50%。
2017-05-06 01:03:11860 現在，西數全球首發了96層堆棧的3D NAND閃存，其使用的是新一代BiCS 4技術（下半年出樣，2018年開始量產），除了TLC類型外，其還會支持QLC，這個意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40937 三星是全球最大的NAND閃存芯片制造商，這次開足馬力讓第四代3D NAND閃存芯片大規模生產，可以緩解閃存、SSD目前短缺的狀況，當然也能拉低產品的售價。
2017-07-05 08:47:54795 三星電子(Samsung Electronics)3D NAND生產比重，傳已在2017年第4季突破80%，三星計劃除了部分車用產品外，2018年將進一步提升3D NAND生產比重至90%以上，全面進入3D NAND時代。
2018-07-06 07:02:001447 西安3D V-NAND芯片廠是三星最大的海外投資項目之一，也是是三星第二座3D V-NAND芯片廠。今日報道，工業氣體供應商空氣產品公司將助力三星生產的3D V-NAND閃存芯片，宣布將為3D V-NAND芯片廠供氣。
2018-02-03 11:07:271538 三星電子內存解決方案的需求，隨著內存的增加而飆升。目前三星正迅速轉向3D NAND，尤其是TLC 3D NAND，于三星半導體是拉動三星營收和利潤的關鍵，三星正在轉向一家半導體和系統公司。
2018-02-07 14:41:521318 
位于西安高新技術開發區的芯片廠是三星電子最大的海外投資項目之一，也是中國最先進的半導體工廠之一。其生產的3D V-NAND閃存芯片廣泛應用于嵌入式NAND存儲、固態硬盤、移動設備和其它消費電子產品。
2018-02-09 10:18:468073 在舊金山的閃存峰會上，三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒，容量高達1Tb，用于消費級產品。
2018-05-16 23:41:001196 三星電子今天發布了一款全新的SSD固態硬盤，型號“PM883”，最大特點是第一次用上了LPDDR4內存作為緩存顆粒。PM883面向數據數據中心市場，采用標準的2.5寸SATA規格，主控方案未知（估計是三星自家的），閃存是三星64層3D V-NAND顆粒，容量4TB、8TB兩種可選。
2018-06-26 16:07:0013654 三星電子今天宣布，已經開始批量生產業內首款512GB嵌入式通用閃存（eUFS），以用于下一代移動設備。據介紹，三星512GB eUFS采用了三個三星最新的64層512千兆（Gb）V-NAND芯片和一個控制器芯片。
2018-07-10 09:39:001189 三星終于宣布開始大規模生產其第五代V-NAND存儲芯片，聲稱其堆疊層數超過90層，可能指的是其96層，制造生產率可提高30%以上。三星新的V-NAND支持Toggle DDR4.0 NAND接口，可擁有更高的傳輸速度。
2018-07-12 14:46:002032 據外媒7月10日報道，頂級NAND閃存芯片制造商三星宣布已開始大規模生產其第五代V-NAND閃存芯片。
2018-07-13 14:22:054460 三星第五代V-NAND 3D堆疊閃存業界首次采用Toggle DDR 4.0接口，傳輸速率提升至1.4Gbps，與前代64層堆棧的V-NAND閃存相比提升了40%。數據寫入延遲僅為500微秒，比上代提升30％，而讀取信號響應時間也大幅縮短到50微秒。
2018-07-17 11:52:173338 面對2018年各大閃存顆粒廠商已經大規模量產64層堆棧3D NAND的情況，三星正式宣布開始量產第五代V-NAND閃存顆粒，堆棧數將超過90層。
2018-07-24 14:36:328259 三星電子有限公司今天宣布推出三星移動固態硬盤T5-全新的移動固態硬盤（PSSD），提升了外部存儲產品的性能標準。T5采用三星最新的64層V-NAND（垂直NAND）技術和緊湊耐用的設計，具有業界領先的傳輸速度和加密的數據安全性，使消費者更輕松隨時隨地訪問其最有價值的數據。
2018-07-26 17:43:092951 此外，新的V-NAND數據寫入速度僅延遲了500微妙，與前一代相比改進了30%，讀取信號時間已降低到50微妙。值得一提的是新的96層V-NAND閃存芯片也更加節能，電壓從1.8V降至1.2V。
2018-07-27 17:11:001476 隨著原廠3D技術的快速發展，2018下半年各家原廠在96層和QLC技術上競爭激烈，其中，三星已在7月份宣布量產96層3D NAND。據DIGITIMES報道稱，東芝存儲器（TMC）96層3D NAND將在Q4擴大出貨，代表著NAND Flash市場霸主之爭正式拉開序幕。
2018-08-05 11:50:161646 代V-NAND技術，堆棧層數從之前的24層提高到了48層，TLC類型的3D NAND核心容量可達到256Gb容量，在自家的840、850及950系列SSD上都有使用。?值得一提的是，三星在3D NAND閃存
2018-10-08 15:52:39780 11月15日， 國產知名SSD主控芯片原廠聯蕓科技（MAXIO）再下一城，正式對外宣布MAS0902固態硬盤主控芯片已全面支持最新96層3D TLC NAND 閃存顆粒，并對外提供搭載聯蕓科技自主
2018-11-19 17:22:318411 今年8月初，NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產業界首款消費級QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2018-11-23 08:36:521378 NAND Flash產業在傳統的Floating Gate架構面臨瓶頸后，正式轉進3D NAND Flash時代，目前三星電子（Samsung Electronics）、東芝（Toshiba）的3D
2018-12-03 09:04:572304 6月15日，三星電子宣布已經開始量產第四代64層256Gb V-NAND，與48層256Gb V-NAND相比，生產效率將提高30%以上。東芝/西部數據、美光、SK海力士等在2017上半年也均宣布
2018-12-10 10:00:571562 記憶體的3D NAND flash大戰即將開打！目前3D NAND由三星電子獨家量產，但是先有東芝(Toshiba)殺入敵營，如今美光(Micron)也宣布研發出3D NAND，而且已經送樣，三星一家獨大的情況將劃下句點。
2018-12-13 15:07:471294 的單位面積上，TLC閃存比MLC存儲的數據更多，而MLC又比SLC存儲的數據多。另一種新型的NAND閃存稱為3D NAND或V-NAND（垂直NAND）。通過在同一晶圓上垂直堆疊多層存儲單元，這種類型的閃存可以獲得更大的密度。
2018-12-17 15:50:242506 的單位面積上，TLC閃存比MLC存儲的數據更多，而MLC又比SLC存儲的數據多。另一種新型的NAND閃存稱為3D NAND或V-NAND(垂直NAND)。通過在同一晶圓上垂直堆疊多層存儲單元，這種類型的閃存可以獲得更大的密度。
2019-04-17 16:32:346335 
繼2015年Samsung推出32層堆層的3D V-NAND之后，2016年市場便很熱鬧，除了SK Hynix推出了36層的3D NAND V2、Micron/Intel也推出了32層的3D NAND，而Toshiba/ SanDisk甚至進一步推出了48層的產品。
2019-01-28 11:21:2712546 隨著3D閃存的問世，固態硬盤的容量一直在提升，同時SSD主控技術也在進步。早在850 PRO和850 EVO這一行業首個使用V-NAND技術的消費者固態硬盤，當時用的還是MHX主控，閃存則是從32層堆棧升級到了48層堆棧。
2019-05-09 11:25:2626064 在2016年的舊金山閃存峰會上，三星公布了Z-NAND與Z-SSD的相關信息。后者基于第四代V-NAND，但由于具有一些新的特性（介于DRAM內存和NAND閃存之間）、包含獨特的電路設計與優化后的主控，三星于是用Z-NAND來命名這款閃存芯片。
2019-08-31 09:43:426632 的V-NAND閃存，目前已經發展了三代V-NAND技術，堆棧層數從之前的24層提高到了48層，TLC類型的3D NAND核心容量可達到256Gb容量，在自家的840、850及950系列SSD上都有使用。
2019-09-04 09:17:137175 三星推出了第六代V-NAND內存，為了進一步提高容量和密度，它擁有100多個活動層。從性能的角度來看，要使V-NAND具有超過100層的可行性，三星公司不得不使用新的電路設計技術。
2019-09-03 10:38:04981 三星推出了第六代V-NAND內存，為了進一步提高容量和密度，它擁有100多個活動層。從性能的角度來看，要使V-NAND具有超過100層的可行性，三星公司不得不使用新的電路設計技術。
2019-09-09 16:05:251778 紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產基于Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:091144 紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產基于Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241455 隨著數據量的迅速增大，主流存儲技術也在迅速向前推進中。3D NAND閃存從2014年的24層，到2016年的48層，到2017年的64層，再到2018年的96層，以及明年的1XX層，技術更新速度越來越快。
2019-09-26 17:26:111141 英特爾透露,2019年第四季度將會推出96層的3D NAND閃存產品,并且還率先在業內展示了用于數據中心級固態盤的144層QLC(四級單元)NAND,預計將于2020年推出。
2019-10-11 10:36:321449 NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產業界首款消費級QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2019-12-13 11:35:481654 根據AnandTech的報道，三星計劃投資數十億美元擴大其在中國西安的3D NAND生產設施。
2019-12-18 10:38:203458 固態硬盤市場的霸主三星，是四大NAND閃存廠商中最早量產3D NAND閃存的，也是目前技術最強的，已經發展了三代V-NAND閃存，堆棧層數達到了48層。
2019-12-22 11:19:011517 據了解，136層第六代V-NAND閃存是三星今年的量產主力。韓媒報道稱三星可能會大幅改進制造工藝，從現在的單堆棧（single-stack）升級到雙堆棧（double-stack），以便制造更高層數的3D閃存。
2020-04-20 09:06:01776 上周中國的長江存儲公司宣布攻克128層3D閃存技術，QLC類型容量做到了1.33Tb容量，創造了三個世界第一。國產閃存突飛猛進，三星等公司也沒閑著，三星正在開發160堆棧的3D閃存。
2020-04-20 09:29:47834 三星計劃明年開始與臺積電在封裝先進芯片方面展開競爭，因而三星正在加速部署3D芯片封裝技術。
2020-09-20 12:09:163743 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術，達到了創紀錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后，自己獨立研發的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212924 IT之家11月12日消息 今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存，刷新行業紀錄，實現閃存產品密度和性能上的提升。 IT之家了解到，這款 176 層 NAND 產品采用
2020-11-12 13:04:572623 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術達到創紀錄的176層堆疊。預計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術以及架構，可以大幅度提升數據中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:553696 在3D閃存技術上，作為全球閃存最大廠商的三星一直是領先的，堆棧層數也是最多的，不過美光日前率先推出了176層堆棧的 3D閃存，進度比三星要快。 根據美光的說法，176層閃存其實是基于兩個88層
2020-11-14 10:01:202368 在3D閃存技術上，作為全球閃存最大廠商的三星一直是領先的，堆棧層數也是最多的，不過美光日前率先推出了176層堆棧的 3D閃存，進度比三星要快。
2020-11-14 10:05:002077 。 3D NAND 路線圖：三星最早入局，長江存儲跨級追趕 Choe 介紹了 2014-2023 年的世界領先存儲公司的閃存路線圖，包括三星、鎧俠（原東
2020-11-20 17:15:444306 NAND應運而生，可以支持在更小的空間內容納更高的存儲容量，在需要存儲海量數據的時代有著重大價值。 ? ? ? ?依托于先進工藝的3D NAND，氧化層越來越薄，面臨可靠性和穩定性的難題，未來的3D NAND將如何發展？如何正確判斷一款3D NAND的總體效率？ 在2020年的閃存
2020-12-09 10:35:493617 發展至今，NAND Flash已呈現白熱化階段。就在前不久，存儲廠商們還在128層“閃存高臺上觀景”，2019年6月SK海力士發布128層TLC 3D NAND；美光于2019年10月流片出樣128
2020-12-09 14:55:374583 新一代3D NAND技術已迎來新的戰局，繼美光和SK海力士在2020年底陸續推出新一代176層3D NAND之后，鎧俠和西部數據也正式宣布推出162層3D NAND技術，三星也稱將在2021年推出第七代V-NAND，再加上英特爾大力推廣144層3D NAND，硝煙已四起。
2021-02-24 11:22:072770 在3D NAND技術賽跑中，三星長期處于領先地位，截至目前，其3D NAND閃存已經陸續演進至128層。
2022-06-14 15:21:153354 
長江存儲一直是我國優秀的存儲芯片企業，從成立之初就保持著高速穩定的發展狀態，用短短3年的時間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進入了華為Mate40手機的供應鏈。
2022-06-17 10:56:218286 市場對更高密度、更大容量存儲的需求，推動了V-NAND層數的增加，三星采用3D縮放（3D scaling）技術，減少表面積并降低高度，同時避免了縮小時通常會發生的單元間的干擾。我們的第8代V-NAND將有助于滿足快速增長的市場需求，更好地提供差異化產品和解決方案，有望成為未來存儲創新的基礎。
2022-11-07 10:33:551379 * 三星第8代V-NAND具有目前三星同類產品中最高的存儲密度，可更高效地為企業擴展存儲空間 深圳2020年11月8日 /美通社/ --? 作為全球化的半導體企業，正如在2022年度閃存峰會
2022-11-08 13:37:361624 三星采用 3D 縮放（3D scaling）技術，減少表面積并降低高度，同時避免了縮小時通常會發生的單元間的干擾。通過這項技術，三星顯著的提升每片晶圓的存儲密度，使三星的存儲密度達到了新的高度。
2022-11-10 09:43:25847 1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度，可為全球企業系統提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。
2022-12-06 10:39:311027 存儲單元中，電荷的存儲層可以是浮柵或氮化硅電荷俘獲層(Charge-Trapping Layer, CTL)。三維CTL垂直溝道型NAND 閃存(3D NAND 或 V-NAND)基于無結型 (Junctionless， JL)薄膜場效應晶體管(TFT)，具有更好的可靠性。
2023-02-03 09:16:5717470 我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227 3D設計引入了多晶硅和二氧化硅的交替層，并將浮柵交換為電荷陷阱閃存 (CTF)，區別在于FG將存儲器存儲在導電層中，而CTF將電荷“捕獲”在電介質層中。這種3D設計方式不僅帶來了技術性能的提升，而且還進一步控制了成本。
2023-07-04 15:42:001638 
三星已經確定了新一代3D NAND閃存的開發計劃，預計在2024年推出第九代3D NAND，其層數可達到280層
2023-07-04 17:03:293142 最近，三星集團援引業界有關負責人的話表示，計劃到2024年批量生產300段以上的第9代3d nand。預計將采用將nand存儲器制作成兩個獨立的程序之后，將其一起組裝的dual stack技術。三星將于2020年從第7代176段3d nand開始首次使用雙線程技術。
2023-08-18 11:09:052015 三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產三層堆棧架構321層NAND閃存 存儲領域的競爭愈加激烈，三星電子計劃在2023年正式生產第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53888 三星將在IEEE國際固態電路研討會上展示其GDDR7產品以及280層堆疊的3D QLC NAND技術。
2024-02-01 10:35:311299 據韓媒Hankyung透露，第九代V-NAND閃存的堆疊層數將高達290層，但IT之家此前曾報道過，三星在學術會議上展示了280層堆疊的QLC閃存，其IO接口速度可達3.2GB/s。
2024-04-12 16:05:391410 據韓國業界消息，三星最早將于本月開始量產當前業界密度最高的290層第九代V-NAND（3D NAND）閃存芯片。
2024-04-17 15:06:591502 三星公司預計將于今年四月份大批量生產目前行業內為止密度最大的290層第九代V-NAND （3D NAND） 閃存芯片，這是繼之前的236層第八代V-NAND后的顯著提升，也代表著當前行業中最高的可量產堆疊層數。
2024-04-18 09:49:201500 近日，三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC產品開始量產，這將有助于鞏固其在NAND閃存市場的卓越地位。
2024-04-23 11:48:051287 作為九代V-NAND的核心技術，雙重堆疊技術使旗艦V8閃存的層數從236層增至290層，主要應用于大型企業服務器及人工智能與云計算領域。據了解，三星計劃于明年推出第十代NAND芯片，采用三重堆疊技術
2024-04-28 10:08:011536 在技術層面，第九代V-NAND無疑展現出了三星的卓越技術實力。它采用了雙重堆疊技術，在原有的旗艦V8閃存236層的基礎上，再次實現了技術上的重大突破，堆疊層數飆升至驚人的290層。
2024-04-28 16:02:241874 在近日舉行的IEEE IMW 2024活動上，三星DRAM部門的執行副總裁Siwoo Lee宣布了一個重要里程碑：三星已與其他公司合作，成功研發出16層3D DRAM技術。同時，他透露，競爭對手美光也已將其3D DRAM技術擴展至8層。
2024-05-29 14:44:071398 據韓國媒體最新報道，三星電子在其第9代V-NAND閃存技術中實現了重大突破，首次在“金屬布線”工藝中引入了鉬（Mo）技術。這一創新標志著三星在半導體制造領域的又一次技術飛躍。
2024-07-04 09:23:501262 三星電子今日宣布了一項重大里程碑——其自主研發的1太比特（Tb）容量四層單元（QLC）第九代V-NAND閃存已正式邁入量產階段。這一成就不僅標志著三星在存儲技術領域的持續領先，也預示著數據存儲市場即將迎來一場革命性的變革。
2024-09-12 16:27:311108 三星電子在NAND閃存技術領域再次邁出重要一步，其最新推出的QLC V-NAND第九代產品，集成了多項前沿技術突破，標志著數據存儲性能與容量的全新飛躍。這款基于雙堆棧架構的QLC V-NAND，通過創新的通道孔蝕刻技術，實現了業界領先的單元層數，為各類AI應用提供了前所未有的內存解決方案。
2024-09-23 14:53:521479 近日，據韓媒報道，三星位于中國西安的NAND閃存工廠正在加速推進技術升級與產能擴張計劃。該工廠在成功將制程從第六代V-NAND(即136層技術)轉換至第八代V-NAND(238層技術)的基礎上，年內
2025-02-14 13:43:271089 電子發燒友網報道（文/黃山明）近日，鎧俠再次宣布，將在2027年實現3D NAND的1000層堆疊，而此前鎧俠計劃是在2031年批量生產超1000層的3D NAND存儲器。三星也在此前表示，將在
2024-06-29 00:03:008061
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