的堆疊NAND閃存 V-NAND實現了具有最新第六代產品的128層單堆疊，并通過TLC實現了512 Gb（千兆位）容量。它計劃于2020年投放市場，并且正在針對在5年內達到500層或更多層的堆棧
2019-11-25 09:52:31
6442 三星目前已完成32層堆疊第二代V-NAND的研發作業，計劃第3季推出48層堆疊第三代V-NAND產品后，于2016年生產64層堆疊的V-NAND產品。
2015-08-11 08:32:001030 256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲器已經出現在市場上了，TechInsights的拆解團隊總算等到了大好機會先睹為快。
2016-07-13 10:32:437470 電子發燒友早八點訊：三星今天在韓國宣布，開始大規模量產64層堆疊、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND閃存芯片，是為第四代3D閃存。
2017-06-16 06:00:002458 作為對比，上一代 Intel SSD 660p 僅采用了 64 層 3D QLC NAND 。為了與西部數據（WD）爭搶上市，英特爾率先推出了 1TB 的版本，2TB 版本則要等到 2020 年 1 季度。
2019-11-26 16:32:051611 V-NAND 1Tb TLC達290層，已開始量產。根據規劃，2025年主流閃存廠商的產品都將進入300層+，甚至400層以上。至于遠期，到2030年閃存有望突破1000層。 ? 2024 年三星第9 代
2024-05-25 00:55:005554 
1080p視頻錄制。別忘了，三星GALAXY Grand還搭載一顆200萬像素的前置攝像頭。 最后，三星GALAXY Grand其他規格還包括1GB運行內存，8GB的內置存儲容量并支持SD擴展，支持藍牙
2012-12-19 15:54:04
的存儲卡，那三星就是你的菜。三星公司的高端MicroSD存儲卡產品線Pro Plus最新推出128GB容量版本。天啊，還真不便宜！該款存儲卡起售價$199.99，對于一張存儲卡而言，這個定價可以算得
2015-12-16 11:31:26
請教大師們，三星ARM920T 的一個普通的寄存器容量有多大？比如說R0，R1
2013-09-01 19:04:11
三星大中華區首席技術官裵容徹先生表示，三星不斷進行技術創新，新一代的QLC產品成本可以降低60%，同時還推出了容量高達1Tb的V-NAND技術，速度將會達到1200Mbps。在市場應用方面，三星推出
2018-09-20 17:57:05
`三星事件引發手機安全新思考：墾鑫達報三星（墾鑫達注：NOTE7電池爆炸召回事件）已經證實被召回機型為三星最新的智能手機NOTE 7 ,這是有關此前有報道三星一些設備發生爆炸。設備推出不到一個月
2016-09-03 12:45:17
韓國三星電子日前宣布，位于中國陜西省西安市的半導體新工廠已正式投產。該工廠采用最尖端的3D技術，生產用于服務器等的NAND閃存（V-NAND）。三星電子希望在IT（信息技術）設備生產基地聚集的中國
2014-05-14 15:27:09
三星宣布將開發手持式裝置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）讀取芯片，能讓使用者透過手機得知產品和服務信息，但三星并未透露產品何時上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
華為三星蘋果高通的差異買IP做集成不宜包裝為掌握核心科技
2021-01-28 07:21:57
，收購原裝字庫，回收三星CPU,收購三星拆機字庫，回收三星原裝IC,有貨速聯系，型號如下：KMK2U000VM-B604、KMK1U000VM-BA04、KAT007012B-BRTT
2021-08-20 19:11:25
的3D閃存了，三星公司7月初宣布了第五代V－NAND閃存（3DNAND閃存中的一種），率先支持ToggleDDR4．0接口，傳輸速度達到了1．4Gbps，相比64層堆棧的V－NAND閃存提升了40
2021-07-13 06:38:27
女性的最愛 三星粉色GALAXY Note上市手機之家資訊中心4月9日消息，三星向來有推出粉色經典機型的習慣，如今這一顏色也用在了GALAXY Note上了，該機將于近期在香港上市，售價為5998
2012-04-13 18:49:11
三星的K9F1G08U0A nand flash芯片，手冊說有Unique ID可以用，但是沒有說明具體怎么操作。另外在其他三星nor flash芯片手冊中有看到OTP區域，可以來保存Unique
2017-03-21 09:22:02
` 【PConline 資訊】12英寸的平板真的會推出么？前段時間業內人士的預測引來無數猜想。近日，taiwan《Digitimes (電子時報)》引述計算機產業上游供應鏈消息稱，蘋果和三星均在計劃
2013-10-29 10:18:00
三星推出64GB moviNAND閃存芯片
三星近日公布了兩款采用新制程技術的閃存產品。其中moviNAND閃存芯片產品使用了三星最新的3xnm制程NAND芯片，單片封裝的最大容量可達64GB
2010-01-14 17:00:041005 閃存巨頭再度發力：三星公司在本屆閃存記憶體峰會上連續公布了32 TB SSD、1TB BGA以及一款高速Z-SSD方案。其中32TB SSD利用64層3D NAND構建而成，即三星旗下的V-NAND品牌，同時配合TLC（即三層單元）設計。
2016-08-19 15:57:111041 三維閃存“V-NAND”技術實現了每芯片32GB（256Gbit）的大容量化。也就是運用MLC（Multi Level Cell）技術的第三代V-NAND，嘗試在每個芯片內垂直堆疊了48層存儲單元。
2016-10-31 17:57:241111 三星開始生產30TB SSD固態硬盤了，早在去年8月的時候就有了關于這款30TB SSD的各種消息，當時的預計是在2017年發布。這款SSD的容量是最大磁盤驅動器容量的2倍以上，24個SSD可插入
2018-07-18 17:40:002663 近日三星推出了基于小型下一代小型（NGSFF）（*）的最高容量NVMe SSD - 一個8TB NF1 （**） SSD。
2018-07-18 10:53:002322 三星表示，這款512GB的閃存芯片專門面向移動設備開發，其中整合了八個多層存儲數據的V-NAND芯片。和過去三星256GB的芯片相比，雖然容量翻一倍，但是使用的空間卻相同。這給手機設計帶來了福音。
2017-12-06 11:03:441513 西安3D V-NAND芯片廠是三星最大的海外投資項目之一，也是是三星第二座3D V-NAND芯片廠。今日報道，工業氣體供應商空氣產品公司將助力三星生產的3D V-NAND閃存芯片，宣布將為3D V-NAND芯片廠供氣。
2018-02-03 11:07:271538 的一部分。此前我們曾評測過4TB 860PRO版本，今天繼續為大家帶來1TB容量評測。 三星860PRO 1TB SSD屬于850 PRO SSD的替代型號，他們的外觀和風格基本一致，860 PRO主體
2018-02-15 06:11:0012758 位于西安高新技術開發區的芯片廠是三星電子最大的海外投資項目之一，也是中國最先進的半導體工廠之一。其生產的3D V-NAND閃存芯片廣泛應用于嵌入式NAND存儲、固態硬盤、移動設備和其它消費電子產品。
2018-02-09 10:18:468075 的10倍之多，用起來更放心，只不過4TB容量的SSD現階段售價太貴，1．1萬元的價格不是普通人能接受得了的。好在三星還提供了多種容量組合，需要兼顧容量、性能、價格的用戶可以考慮1TB容量的，目前售價2399元，比上代還要便宜一些，同時使用壽命是上代產品的4倍。
2018-06-04 09:42:0053847 三星電子今天發布了一款全新的SSD固態硬盤，型號“PM883”，最大特點是第一次用上了LPDDR4內存作為緩存顆粒。PM883面向數據數據中心市場，采用標準的2.5寸SATA規格，主控方案未知（估計是三星自家的），閃存是三星64層3D V-NAND顆粒，容量4TB、8TB兩種可選。
2018-06-26 16:07:0013654 三星電子今天宣布，已經開始批量生產業內首款512GB嵌入式通用閃存（eUFS），以用于下一代移動設備。據介紹，三星512GB eUFS采用了三個三星最新的64層512千兆（Gb）V-NAND芯片和一個控制器芯片。
2018-07-10 09:39:001189 三星終于宣布開始大規模生產其第五代V-NAND存儲芯片，聲稱其堆疊層數超過90層，可能指的是其96層，制造生產率可提高30%以上。三星新的V-NAND支持Toggle DDR4.0 NAND接口，可擁有更高的傳輸速度。
2018-07-12 14:46:002034 據外媒7月10日報道，頂級NAND閃存芯片制造商三星宣布已開始大規模生產其第五代V-NAND閃存芯片。
2018-07-13 14:22:054460 三星第五代V-NAND 3D堆疊閃存業界首次采用Toggle DDR 4.0接口，傳輸速率提升至1.4Gbps，與前代64層堆棧的V-NAND閃存相比提升了40%。數據寫入延遲僅為500微秒，比上代提升30％，而讀取信號響應時間也大幅縮短到50微秒。
2018-07-17 11:52:173338 面對2018年各大閃存顆粒廠商已經大規模量產64層堆棧3D NAND的情況，三星正式宣布開始量產第五代V-NAND閃存顆粒，堆棧數將超過90層。
2018-07-24 14:36:328259 三星電子有限公司今天宣布推出三星移動固態硬盤T5-全新的移動固態硬盤（PSSD），提升了外部存儲產品的性能標準。T5采用三星最新的64層V-NAND（垂直NAND）技術和緊湊耐用的設計，具有業界領先的傳輸速度和加密的數據安全性，使消費者更輕松隨時隨地訪問其最有價值的數據。
2018-07-26 17:43:092951 此外，新的V-NAND數據寫入速度僅延遲了500微妙，與前一代相比改進了30%，讀取信號時間已降低到50微妙。值得一提的是新的96層V-NAND閃存芯片也更加節能，電壓從1.8V降至1.2V。
2018-07-27 17:11:001477 韓國業界最近指出，三星電子2019年的NAND Flash資本支出將達90億美元，預計將以韓國平澤、中國西安為主，擴大高容量3D NAND生產規模，期望拉大與其它競爭對手間的差距。
2018-08-05 11:53:421632 三星電子也不甘示弱，早先已經宣布量產96層堆疊第五代V-NAND閃存，并宣布會在年內推出全球第一款32TB超大容量SSD。
2018-08-07 14:32:115170 很顯然從今年開始，廠商們都開始將目光轉向了QLC閃存，之前Intel就已經推出了首款搭載QLC閃存的SSD，而現在三星也正式宣布量產首款搭載QLC閃存的SSD，這些SSD從1TB起步，共有1TB、2TB和4TB三種規格。
2018-08-07 17:00:031359 供貨吃緊的時期，三星產能優先滿足高速增長且利潤較高的企業 SSD，由于 Z-NAND 在讀延遲上要比 V-NAND 低數倍，三星基于 Z-NAND 技術推出的 SZ985 系列 Z-SSD，讀延遲僅
2018-08-08 16:51:117721 
兩年前三星以 15.36TB 的數字，獲得世上最高容量 SSD 的稱號。今天這位置要讓出來。.. 給同門的新品 PM1643。這款 2.5 吋規格的 SSD 有著翻倍的容量和速度，達 30.72TB；讀寫速度分別為 2，100 MB/s 和 1，700 MB/s。
2018-08-13 11:53:004053 今年8月初，NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產業界首款消費級QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2018-11-23 08:36:521379 三星新一代860 QVO系列固態硬盤于今日上架美國官網，作為三星首款面向消費者的QLC固態硬盤，它采用傳統的2.5寸盤規格，內部為三星自主MJX主控、三星自產V-NAND QLC閃存顆粒，容量規格有1TB、2TB、4TB。1TB版本官方建議零售價149.99美元。
2018-11-30 14:08:012848 2019年1月23日 –三星電子有限公司今天推出了其非易失性存儲器（NVMe）SSD產品線的最新增強版三星970 EVO Plus。憑借業界領先的性能和高達2TB的超大容量，三星970 EVO
2019-01-25 09:04:323444 天字一號閃存企業三星電子今天（1月30日）宣布開始量產單芯片1TB容量的UFS存儲產品，主力用于智能手機。
2019-02-11 11:33:414436 
?c200 1TB microSDXC UHS-I 卡——全球容量最高的 microSD 卡，可提供一兆兆字節 （1TB）1 高性能可移動存儲。c200 1TB microSD 卡是全球首款采用美光先進
2019-02-26 17:26:511306 另一方面，市場經過一定時間的供需調整，再加上2019年新一代的旗艦機產品紛紛推出，尤其是三星、華為、OPPO、小米等5G手機、折疊手機等引爆市場商機，且搭載的Mobile DRAM容量向12GB升級，NAND Flash容量提高到1TB，將對存儲芯片需求快速增加。
2019-02-27 15:57:314840 SK海力士宣布已向主要SSD（固態硬盤）控制器公司提供新的1Tb QLC NAND樣品，并開發了自己的QLC軟件算法和控制器，計劃擴大基于96層1Tb QLC 4D NAND的組合產品。
2019-07-25 15:08:544100 在2016年的舊金山閃存峰會上，三星公布了Z-NAND與Z-SSD的相關信息。后者基于第四代V-NAND，但由于具有一些新的特性（介于DRAM內存和NAND閃存之間）、包含獨特的電路設計與優化后的主控，三星于是用Z-NAND來命名這款閃存芯片。
2019-08-31 09:43:426632 8月6日，三星電子宣布已開始批量生產250千兆字節（SATA）固態硬盤（SSD），該硬盤集成了該公司的第六代（1xx層）256Gb，適用于全球PC OEM的三位V-NAND。通過在短短13個月內推出新一代V-NAND，三星已將批量生產周期縮短了四個月，同時確保了業界最高的性能，功效和制造生產率。
2019-08-07 17:10:553350 
目前，兩大韓系NAND Flash 廠商──三星及SK 海力士在之前就已經公布了新NAND Flash 產品的發展規劃。其中，三星宣布推出136 層堆疊的第6 代V-NAND Flash 之外，SK
2019-08-15 09:05:123089 三星推出了第六代V-NAND內存，為了進一步提高容量和密度，它擁有100多個活動層。從性能的角度來看，要使V-NAND具有超過100層的可行性，三星公司不得不使用新的電路設計技術。
2019-09-03 10:38:04981 三星推出了第六代V-NAND內存，為了進一步提高容量和密度，它擁有100多個活動層。從性能的角度來看，要使V-NAND具有超過100層的可行性，三星公司不得不使用新的電路設計技術。
2019-09-09 16:05:251778 美光宣布推出一系列全新micro SD存儲卡，稱為i300系列，其容量從32GB到1TB不等，以滿足視頻監控市場和其他工業應用的邊緣存儲需求，其中具有最大存儲容量的型號是美光i3001TB3microSDXC UHS-I，可容納1TB數據，是所有micro SD卡的最高容量。
2019-11-19 10:40:191625 660p 僅采用了 64 層 3D QLC NAND 。為了與西部數據（WD）爭搶上市，英特爾率先推出了 1TB 的版本，2TB 版本則要等到 2020 年 1 季度。
2019-11-26 15:20:383770 NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產業界首款消費級QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2019-12-13 11:35:481655 三星S10 Lite正面搭載20:9的6.7英寸Super AMOLED屏幕，屏幕分辨率為1080 X 2400，同時采用挖孔屏設計，開孔的位置位于屏幕頂部中央；搭載高通驍龍855移動平臺，輔以8GB+128GB內存組合，支持最大1TB microSD卡拓展。
2019-12-20 11:40:173221 固態硬盤市場的霸主三星，是四大NAND閃存廠商中最早量產3D NAND閃存的，也是目前技術最強的，已經發展了三代V-NAND閃存，堆棧層數達到了48層。
2019-12-22 11:19:011518 今日凌晨，XDA主編Max Winebach爆料稱，三星Galaxy S20 Ultra 5G將保留SD卡插槽，最高支持1TB存儲卡擴展。
2020-01-14 14:15:2011161 
存儲公司Patriot宣布推出P300 Gen3 x4 NVMe M.2 SSD，容量從256GB到1TB。
2020-03-03 16:09:24991 從去年底到現在，NAND閃存價格止跌回升，連帶著SSD硬盤價格也上漲了不少，現在1TB容量的SSD全面回到了千元甚至更高價位。什么時候1TB SSD硬盤才能降到300多元呢？這還得再等等，需要第四代QLC閃存了。
2020-04-01 09:14:261332 4月8日消息，近日，SK海力士宣布推出基于首款 128 層 1Tb TLC 4D NAND 閃存的企業級 SSD-- PE8111，是針對讀取密集型應用設計的高容量存儲解決方案。SK海力士是一家全球存儲器半導體制造商，其產品組合中包括 DRAM，NAND 閃存和控制器，以及 SSD 的全套技術。
2020-04-09 14:09:194477 長江存儲宣布推出致鈦系列PC005 Active NVMe 1TB版本消費級固態硬盤（SSD），并于致鈦京東店鋪開啟預售，11月1日正式開售。預售期間，下單即可享受20元抵100元的定金膨脹活動
2020-10-27 15:13:523746 SSD快12.7倍。 其提供256GB/512GB/1TB三種容量可選，售價分別為629元、1049元、1999元。 我們快科技以及拿到了1TB版本，下面為大家帶來圖賞。 外性方面，采用緊湊型M.2
2020-10-28 15:44:472773 容量高達 1TB 的 PRO Elite SDXC 閃存卡。對于攝影師等專業人士來說，顯然會感到極大的驚喜。 ? 這款 UHS-I 存儲卡的標稱速度等級為 C10 / U3 / V30（支持 4K 視頻
2020-12-10 13:52:422163 當市場中“TLC黨”和“MLC黨”還在爭論不休的時候，三星決然的將頂級980PRO SSD改用了TLC閃存，而入門級別的860EVO之后一直沒有新品，倒是接連推出了采用QLC閃存的860QVO
2021-01-04 10:03:319530 1 月 19 日消息 根據外媒 WinFuture 的消息，三星即將發布新款的 870 EVO SSD ，采用了 TLC 顆粒，SATA 3 接口，最高 4TB 容量。 IT之家了解到，三星 870
2021-01-19 17:52:314575 據外媒最新消息稱，iPhone 13將提供1TB容量版本，而目前iPhone 12 系列最高容量選擇為512GB。
2021-03-01 09:30:342048 據供應鏈消息，今年 iPhone Pro 系列的最高存儲容量將從 512GB 翻倍到 1TB。
2021-03-05 16:35:20892 從昨天蘋果發布的iPhone13系列新機來看，暫時只有iPhone 13 Pro和iPhone 13 Pro Max有1TB的內存版本，售價分別是11999元和12999元。那么1TB到底是多少呢？
2021-09-16 10:46:3654681 iphone13promax價格1tb官網售價12999元起，這是蘋果13機型中最貴的一款機型，iphone13promax規格1tb版本主要適用于對儲存容量、屏幕方面有很大需求的用戶。畢竟容量越大，版本越高價格就越貴，iphone13promax 1TB價格真香！
2021-09-27 10:14:1925737 三星的UFS4.0閃存芯片采用全新第7代V-NAND技術，傳輸帶寬每通道達到23.2Gbps，相較UFS3.1提升一倍，順序讀取速度可以達到4200MB/s，同時順序寫入速度也提升到2800MB/s
2022-05-05 10:45:274464 
市場對更高密度、更大容量存儲的需求，推動了V-NAND層數的增加，三星采用3D縮放（3D scaling）技術，減少表面積并降低高度，同時避免了縮小時通常會發生的單元間的干擾。我們的第8代V-NAND將有助于滿足快速增長的市場需求，更好地提供差異化產品和解決方案，有望成為未來存儲創新的基礎。
2022-11-07 10:33:551380 和2022年度三星內存技術日上所承諾的，三星今日宣布，已開始量產三星產品中具有最高存儲密度的1Tb（太字節）三比特單元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度，可為全球企業系統提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。 三星電子第八代V-NAND，
2022-11-08 13:37:361626 1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度，可為全球企業系統提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。
2022-12-06 10:39:311027 基于先進的5納米工藝控制器和第七代?V-NAND 技術，PM9C1a將個人計算機日常工作效率提升至新高度，同時，可處理高要求的計算和游戲任務 深圳2023年1月12日 /美通社/ -- 今日，三星
2023-01-12 21:32:101153 三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產三層堆棧架構321層NAND閃存 存儲領域的競爭愈加激烈，三星電子計劃在2023年正式生產第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53888 正式進入中國市場。990 PRO系列屬于高性能PCIe【1】 4.0固態硬盤系列，采用三星第8代V-NAND技術和三星自研控制器。 990 PRO系列擁有強悍的速度和優秀的功效，并且針對3D/4K圖形處理
2023-09-07 09:35:411163 
2023年9月6日三星電子宣布推出固態硬盤990 PRO系列4TB（萬億字節）產品，預計將于10月正式進入中國市場。990 PRO系列屬于高性能PCIe【1】4.0固態硬盤系列，采用三星第8代V-NAND技術和三星自研控制器。
2023-09-07 09:44:151751 
在硬件設施方面，三星選用的是具有1RU機架大小的PB SSD v2存儲服務器。據悉，每個PB SSD v2服務器均配備1顆AMD EPYC處理器及16個EDSFF E3.S規制的固態硬盤，每個硬盤容量高達15.36TB。
2024-03-21 14:21:561556 據韓媒Hankyung透露，第九代V-NAND閃存的堆疊層數將高達290層，但IT之家此前曾報道過，三星在學術會議上展示了280層堆疊的QLC閃存，其IO接口速度可達3.2GB/s。
2024-04-12 16:05:391415 據韓國業界消息，三星最早將于本月開始量產當前業界密度最高的290層第九代V-NAND（3D NAND）閃存芯片。
2024-04-17 15:06:591504 三星公司預計將于今年四月份大批量生產目前行業內為止密度最大的290層第九代V-NAND （3D NAND） 閃存芯片，這是繼之前的236層第八代V-NAND后的顯著提升，也代表著當前行業中最高的可量產堆疊層數。
2024-04-18 09:49:201500 近日，三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC產品開始量產，這將有助于鞏固其在NAND閃存市場的卓越地位。
2024-04-23 11:48:051287 據了解，日本存儲巨頭鎧俠于近日宣布推出全新第四代UFS 4.0閃存顆粒。該系列閃存包含256GB、512GB及1TB三種容量版本，主要面向高端智能手機等新一代移動設備領域。
2024-04-23 14:28:522421 作為九代V-NAND的核心技術，雙重堆疊技術使旗艦V8閃存的層數從236層增至290層，主要應用于大型企業服務器及人工智能與云計算領域。據了解，三星計劃于明年推出第十代NAND芯片，采用三重堆疊技術
2024-04-28 10:08:011540 在技術層面，第九代V-NAND無疑展現出了三星的卓越技術實力。它采用了雙重堆疊技術，在原有的旗艦V8閃存236層的基礎上，再次實現了技術上的重大突破，堆疊層數飆升至驚人的290層。
2024-04-28 16:02:241874 第九代V-NAND采用雙堆疊設計，將旗艦版V8閃存原先的236層進一步增加至290層，主要應用于大型企業服務器及人工智能與云計算設備領域。
2024-04-28 17:36:181369 據悉，Switch 2游戲機可能搭載由三星代工廠生產的SoC（英偉達Tegra T239芯片，采用三星7LPH工藝節點）。此外，任天堂還計劃采用三星第五代V-NAND存儲技術以及三星作為顯示面板供應商。
2024-04-29 10:23:182172 據報道，三星Galaxy S24 Ultra已現身市場，其存儲版本分別有256GB、512GB及1TB三款，但內存皆為12GB。然而，最新傳聞稱三星將于明年推出的Galaxy S25 Ultra或將內存提升至16GB。
2024-05-10 14:25:371355 在人工智能（AI）技術日新月異的今天，數據中心對大容量固態硬盤（SSD）的需求呈現出前所未有的增長態勢。業內最新消息顯示，由于NAND閃存供應可能在下半年出現短缺，三星電子的V8-NAND技術正成為市場關注的焦點。
2024-07-01 10:11:121152 據韓國媒體最新報道，三星電子在其第9代V-NAND閃存技術中實現了重大突破，首次在“金屬布線”工藝中引入了鉬（Mo）技術。這一創新標志著三星在半導體制造領域的又一次技術飛躍。
2024-07-04 09:23:501262 microSD 存儲卡 PRO Plus 和 EVO Plus 采用三星先進的 V-NAND 技術，可安全可靠地捕捉和存儲日常瞬間 性能提升后，順序讀取速度高達 180MB/s，傳輸速度達
2024-08-01 09:24:59700 
三星電子今日宣布了一項重大里程碑——其自主研發的1太比特（Tb）容量四層單元（QLC）第九代V-NAND閃存已正式邁入量產階段。這一成就不僅標志著三星在存儲技術領域的持續領先，也預示著數據存儲市場即將迎來一場革命性的變革。
2024-09-12 16:27:311109 三星電子在NAND閃存技術領域再次邁出重要一步，其最新推出的QLC V-NAND第九代產品，集成了多項前沿技術突破，標志著數據存儲性能與容量的全新飛躍。這款基于雙堆棧架構的QLC V-NAND，通過創新的通道孔蝕刻技術，實現了業界領先的單元層數，為各類AI應用提供了前所未有的內存解決方案。
2024-09-23 14:53:521480 三星電子在車載存儲技術領域邁出了重要一步，正式宣布成功研發出業界首款基于其先進第八代V-NAND技術的PCIe 4.0車載SSD——AM9C1。這一創新成果不僅標志著三星在車載數據存儲領域的深厚積累與前瞻布局，更為未來智能汽車的高性能、高效率數據存儲需求提供了強有力的支持。
2024-09-24 15:24:031104 b nm DRAM。 這一新版DRAM工藝項目被命名為D1B-P，其重點將放在提升能效和散熱性能上。這一命名邏輯與三星此前推出的第六代V-NAND改進版制程V6P相似，顯示出三星在半導體工藝研發上的持續創新與投入。 據了解，在決定啟動D1B-P項目時，三星現有的12nm級DRAM工藝良率
2025-01-22 14:04:071411 還將進一步邁出重要一步——建設第九代V-NAND(286層技術)產線。 報道指出，為了實現這一目標，三星西安NAND廠將在今年上半年引入生產第九代V-NAND所需的新設備。這些先進設備的導入，將為產線建設提供堅實的基礎，確保技術升級順利進行。 據悉，三星西安NAND廠的目標
2025-02-14 13:43:271092
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