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電子發燒友網>存儲技術>空氣產品公司與三星達成合作 為西安3D V-NAND芯片廠供應工業氣體

空氣產品公司與三星達成合作 為西安3D V-NAND芯片廠供應工業氣體

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2020-11-20 17:15:444306

日本最大的工業氣體生產商TNSC成立3D打印技術研究和開發中心

,它們都將依賴于TNSC自己專有的氣體技術。 作為日本最大的工業氣體生產商,大陽日酸株式會社認為3D打印技術是工業4.0發展的一項重要技術。因此大陽日酸株式會社近年來一直在研究3D打印技術,并計劃涉足3D打印產業。 在企業定位上,大陽日酸株式會社將自己的工業
2020-12-31 11:25:263028

特斯拉將與三星合作開發5納米芯片

據韓國媒體報道,特斯拉已經與三星達成合作,雙方將聯手開發一款全新的用于完全自動駕駛的5納米芯片
2021-01-26 14:39:051950

鎧俠和西部數據推出第六代162層3D閃存技術

新一代3D NAND技術已迎來新的戰局,繼美光和SK海力士在2020年底陸續推出新一代176層3D NAND之后,鎧俠和西部數據也正式宣布推出162層3D NAND技術,三星也稱將在2021年推出第七代V-NAND,再加上英特爾大力推廣144層3D NAND,硝煙已四起。
2021-02-24 11:22:072770

三星電子與Waymo達成合作協議,供應核心半導體芯片

有韓國媒體發布消息稱,韓國半導體生產商三星電子透露,該企業已與谷歌達成合作協議,將作為其自動駕駛技術子公司Waymo的核心半導體芯片產品供應商,其下一代自動駕駛汽車供貨。
2021-03-17 11:30:251920

三星第8代V-NAND已開始量產

市場對更高密度、更大容量存儲的需求,推動了V-NAND層數的增加,三星采用3D縮放(3D scaling)技術,減少表面積并降低高度,同時避免了縮小時通常會發生的單元間的干擾。我們的第8代V-NAND將有助于滿足快速增長的市場需求,更好地提供差異化產品和解決方案,有望成為未來存儲創新的基礎。
2022-11-07 10:33:551379

三星開始量產第8代V-NAND,存儲密度高達1Tb

* 三星第8代V-NAND具有目前三星同類產品中最高的存儲密度,可更高效地企業擴展存儲空間 深圳2020年11月8日 /美通社/ --? 作為全球化的半導體企業,正如在2022年度閃存峰會
2022-11-08 13:37:361624

三星第8代V-NAND已開始量產

三星采用 3D 縮放(3D scaling)技術,減少表面積并降低高度,同時避免了縮小時通常會發生的單元間的干擾。通過這項技術,三星顯著的提升每片晶圓的存儲密度,使三星的存儲密度達到了新的高度。
2022-11-10 09:43:25847

三星電子量產最高存儲密度的1Tb 第8代V-NAND

1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度,可為全球企業系統提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。
2022-12-06 10:39:311027

詳解NAND集成工藝(3D-NAND Integration Technology)

存儲單元中,電荷的存儲層可以是浮柵或氮化硅電荷俘獲層(Charge-Trapping Layer, CTL)。維CTL垂直溝道型NAND 閃存(3D NANDV-NAND)基于無結型 (Junctionless, JL)薄膜場效應晶體管(TFT),具有更好的可靠性。
2023-02-03 09:16:5717470

什么是3D NAND閃存?

我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來了,理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227

三星:2030年3D NAND將進入1000層以上

 三星已經確定了新一代3D NAND閃存的開發計劃,預計在2024年推出第九代3D NAND,其層數可達到280層
2023-07-04 17:03:293142

三星將于2024年量產超300層3D NAND芯片

 最近,三星集團援引業界有關負責人的話表示,計劃到2024年批量生產300段以上的第9代3d nand。預計將采用將nand存儲器制作成兩個獨立的程序之后,將其一起組裝的dual stack技術。三星將于2020年從第7代176段3d nand開始首次使用雙線程技術。
2023-08-18 11:09:052015

三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產層堆棧架構321層NAND閃存

三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產層堆棧架構321層NAND閃存 存儲領域的競爭愈加激烈,三星電子計劃在2023年正式生產第9代V-NAND閃存,三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53888

全面保障工業氣體穩定供應,匯川技術即將亮相CHINA 2023國際氣體

? ? 原文標題:全面保障工業氣體穩定供應,匯川技術即將亮相CHINA 2023國際氣體展 文章出處:【微信公眾號:匯川技術動態】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
2023-09-07 21:15:01797

三星西安計劃將NAND工藝升級236層 明年初更換設備

據業界2日透露,三星電子計劃對中國西安nand閃存工廠進行改造,將目前正在生產的128段(v6) nand閃存生產線擴大到236段(v8)。三星決定從明年初開始更換設備,并向業界通報了到2025年分階段完成的目標。
2023-11-03 11:48:032419

三星將推出GDDR7產品及280層堆疊的3D QLC NAND技術

三星將在IEEE國際固態電路研討會上展示其GDDR7產品以及280層堆疊的3D QLC NAND技術。
2024-02-01 10:35:311299

三星即將量產290層V-NAND閃存

據韓國業界消息,三星最早將于本月開始量產當前業界密度最高的290層第九代V-NAND3D NAND)閃存芯片
2024-04-17 15:06:591502

三星量產第九代V-NAND閃存芯片,突破最高堆疊層數紀錄

三星公司預計將于今年四月份大批量生產目前行業內為止密度最大的290層第九代V-NAND3D NAND) 閃存芯片,這是繼之前的236層第八代V-NAND后的顯著提升,也代表著當前行業中最高的可量產堆疊層數。
2024-04-18 09:49:201500

三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC產品開始量產

近日,三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC產品開始量產,這將有助于鞏固其在NAND閃存市場的卓越地位。
2024-04-23 11:48:051287

三星宣布量產第九代V-NAND 1Tb TLC產品,采用290層雙重堆疊技術

作為九代V-NAND的核心技術,雙重堆疊技術使旗艦V8閃存的層數從236層增至290層,主要應用于大型企業服務器及人工智能與云計算領域。據了解,三星計劃于明年推出第十代NAND芯片,采用重堆疊技術
2024-04-28 10:08:011536

三星宣布量產第九代V-NAND芯片,位密度提升50%

在技術層面,第九代V-NAND無疑展現出了三星的卓越技術實力。它采用了雙重堆疊技術,在原有的旗艦V8閃存236層的基礎上,再次實現了技術上的重大突破,堆疊層數飆升至驚人的290層。
2024-04-28 16:02:241874

任天堂Switch 2將大幅依靠三星供應

據悉,Switch 2游戲機可能搭載由三星代工廠生產的SoC(英偉達Tegra T239芯片,采用三星7LPH工藝節點)。此外,任天堂還計劃采用三星第五代V-NAND存儲技術以及三星作為顯示面板供應商。
2024-04-29 10:23:182172

三星已成功開發16層3D DRAM芯片

在近日舉行的IEEE IMW 2024活動上,三星DRAM部門的執行副總裁Siwoo Lee宣布了一個重要里程碑:三星已與其他公司合作,成功研發出16層3D DRAM技術。同時,他透露,競爭對手美光也已將其3D DRAM技術擴展至8層。
2024-05-29 14:44:071398

工業氣體監測系統功能特點與應用

生產效率等方面發揮著不可替代的作用。 系統原理 工業氣體監測系統,一種用于監測空氣質量和有害氣體濃度的解決方案。通過部署在工業園區內的傳感器、變送器等感知設備,實時監測生產過程中產生的有害氣體,如一氧化碳、
2024-06-18 16:11:261067

三星第9代V-NAND采用鉬金屬布線技術

據韓國媒體最新報道,三星電子在其第9代V-NAND閃存技術中實現了重大突破,首次在“金屬布線”工藝中引入了鉬(Mo)技術。這一創新標志著三星在半導體制造領域的又一次技術飛躍。
2024-07-04 09:23:501262

三星電子量產1TB QLC第九代V-NAND

三星電子今日宣布了一項重大里程碑——其自主研發的1太比特(Tb)容量四層單元(QLC)第九代V-NAND閃存已正式邁入量產階段。這一成就不僅標志著三星在存儲技術領域的持續領先,也預示著數據存儲市場即將迎來一場革命性的變革。
2024-09-12 16:27:311108

三星QLC第九代V-NAND量產啟動,引領AI時代數據存儲新紀元

三星電子在NAND閃存技術領域再次邁出重要一步,其最新推出的QLC V-NAND第九代產品,集成了多項前沿技術突破,標志著數據存儲性能與容量的全新飛躍。這款基于雙堆棧架構的QLC V-NAND,通過創新的通道孔蝕刻技術,實現了業界領先的單元層數,各類AI應用提供了前所未有的內存解決方案。
2024-09-23 14:53:521479

三星西安NAND閃存工廠將建第九代產線

還將進一步邁出重要一步——建設第九代V-NAND(286層技術)產線。 報道指出,為了實現這一目標,三星西安NAND將在今年上半年引入生產第九代V-NAND所需的新設備。這些先進設備的導入,將為產線建設提供堅實的基礎,確保技術升級順利進行。 據悉,三星西安NAND的目標
2025-02-14 13:43:271089

索尼與VAST達成3D業務合作

近日,索尼空間現實顯示屏與VAST旗下的3D大模型Tripo AI正式宣布達成業務合作:雙方將圍繞裸眼3D顯示技術、AI驅動的3D內容生成與交互創新展開深度協同,致力于通過索尼空間現實顯示屏
2025-08-28 17:32:001116

預期提前,鎧俠再次加速,3D NAND準備沖擊1000層

2030年實現1000層堆疊的3D NAND存儲器。 ? 3D NAND似乎已經成為各大存儲企業競相追逐的“工業明珠”,包括三星、海力士、美光、鎧俠、長江存儲等都在這一領域投入大量資源,而比拼的就是堆疊層數。 ? 3D NAND 為何如此重要? ? 隨著數字化信息的爆炸性增長,對對存儲容量的需求也在
2024-06-29 00:03:008061

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