三星宣布量產(chǎn)第九代V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品，采用290層雙重堆疊技術(shù)
近日，三星半導體宣布已順利實現(xiàn)第九代V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品大規(guī)模生產(chǎn)，單芯片容量較前代提升近50%，同時通過新型通道孔蝕刻技術(shù)提升了生產(chǎn)效益。
作為九代V-NAND的核心技術(shù)，雙重堆疊技術(shù)使旗艦V8閃存的層數(shù)從236層增至290層，主要應(yīng)用于大型企業(yè)服務(wù)器及人工智能與云計算領(lǐng)域。據(jù)了解，三星計劃于明年推出第十代NAND芯片，采用三重堆疊技術(shù)，層數(shù)有望達到驚人的430層，從而大幅提升NAND密度，鞏固并擴大其行業(yè)領(lǐng)導地位。
市場研究機構(gòu)Omdia預(yù)測，盡管NAND閃存市場在2023年出現(xiàn)37.7%的下滑，但預(yù)計今年將迎來38.1%的反彈。為抓住這一市場機遇，三星承諾加大對NAND業(yè)務(wù)的投入力度。
值得注意的是，三星高層曾表示，公司計劃在2030年前研發(fā)出超過1000層的NAND芯片，以滿足日益增長的數(shù)據(jù)存儲需求。
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