三星宣布量產第九代V-NAND 1Tb TLC產品，采用290層雙重堆疊技術
近日，三星半導體宣布已順利實現第九代V-NAND 1Tb TLC產品大規模生產，單芯片容量較前代提升近50%，同時通過新型通道孔蝕刻技術提升了生產效益。
作為九代V-NAND的核心技術，雙重堆疊技術使旗艦V8閃存的層數從236層增至290層，主要應用于大型企業服務器及人工智能與云計算領域。據了解，三星計劃于明年推出第十代NAND芯片，采用三重堆疊技術，層數有望達到驚人的430層，從而大幅提升NAND密度，鞏固并擴大其行業領導地位。
市場研究機構Omdia預測，盡管NAND閃存市場在2023年出現37.7%的下滑，但預計今年將迎來38.1%的反彈。為抓住這一市場機遇，三星承諾加大對NAND業務的投入力度。
值得注意的是，三星高層曾表示，公司計劃在2030年前研發出超過1000層的NAND芯片，以滿足日益增長的數據存儲需求。
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