三星量產(chǎn)第九代V-NAND閃存芯片，突破最高堆疊層數(shù)紀錄
三星公司預(yù)計將于今年四月份大批量生產(chǎn)目前行業(yè)內(nèi)為止密度最大的290層第九代V-NAND （3D NAND） 閃存芯片，這是繼之前的236層第八代V-NAND后的顯著提升，也代表著當(dāng)前行業(yè)中最高的可量產(chǎn)堆疊層數(shù)。據(jù)悉，該公司還計劃于2025年推出430層V-NAND產(chǎn)品。
有業(yè)內(nèi)人士分析稱，三星此舉主要是為了應(yīng)對人工智能（AI）領(lǐng)域?qū)AND閃存的巨大需求。隨著AI從“訓(xùn)練”向“推理”轉(zhuǎn)變，需要處理海量的圖像和視頻等數(shù)據(jù)，因此對大容量存儲設(shè)備的需求日益增長。同時，觀察者們也注意到，三星對其NAND業(yè)務(wù)在第一季度的盈利狀況持樂觀態(tài)度。
值得一提的是，三星即將推出的第九代V-NAND采用了雙層鍵合技術(shù)以提高生產(chǎn)效率，這一突破性進展打破了之前業(yè)內(nèi)專家預(yù)測的需使用三層鍵合技術(shù)才能實現(xiàn)300層的觀點。
研究機構(gòu)TechInsights預(yù)測，三星將在2025年下半年批量生產(chǎn)第十代V-NAND，堆疊層數(shù)可高達430層，并直接越過350層。
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