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電子發燒友網>存儲技術>2018年三星將其生產比重提升至90%以上,三星全面進入3D NAND時代

2018年三星將其生產比重提升至90%以上,三星全面進入3D NAND時代

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2014-04-15 12:30:11

郭臺銘收拾三星,決定富士康停止向三星供應面板

夏普(原富士康科技集團CCPBG事業群兼人資總處總經理戴正吳任夏普會長)之后,決定不再向三星電子供應面板;三星和LG在2008的時候曾經聯手打壓奇美電子(富士康子公司,生產面板)與友達,當時前2者一直
2016-12-18 01:18:05

高價回收三星芯片,專業收購三星芯片

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2021-07-06 19:32:41

高價收購三星字庫

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2021-02-23 17:54:12

XPD318BP25 三星25w充電器協議芯片單c口支持三星25w方案

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2023-05-29 10:09:46

三星稱將開始批量生產3D LED和LCD電視面板

三星稱將開始批量生產3D LED和LCD電視面板     據報道,韓國三星電子28日表示,將開始批量生產3DLED和LCD電視面板。三星
2010-01-28 09:25:31631

三星啟動量產 3D電視決戰正式開火

三星啟動量產 3D電視決戰正式開火 在三星宣布正式開始量產40寸、46寸與55寸3D電視開始,全球3D電視的市場熱戰也正式引燃。由三星
2010-01-30 10:02:581172

空氣產品公司與三星達成合作 為西安3D V-NAND芯片廠供應工業氣體

西安3D V-NAND芯片廠是三星最大的海外投資項目之一,也是是三星第二座3D V-NAND芯片廠。今日報道,工業氣體供應商空氣產品公司將助力三星生產3D V-NAND閃存芯片,宣布將為3D V-NAND芯片廠供氣。
2018-02-03 11:07:271538

三星電子速轉向3D NAND 正在向半導體和系統公司靠攏

三星電子內存解決方案的需求,隨著內存的增加而飆升。目前三星正迅速轉向3D NAND,尤其是TLC 3D NAND,于三星半導體是拉動三星營收和利潤的關鍵,三星正在轉向一家半導體和系統公司。
2018-02-07 14:41:521318

空氣產品公司將為三星電子西安第二座3D V-NAND芯片廠供氣

位于西安高新技術開發區的芯片廠是三星電子最大的海外投資項目之一,也是中國最先進的半導體工廠之一。其生產3D V-NAND閃存芯片廣泛應用于嵌入式NAND存儲、固態硬盤、移動設備和其它消費電子產品。
2018-02-09 10:18:468073

三星已經開始批量生產第五代V-NAND 3D堆疊閃存

三星第五代V-NAND 3D堆疊閃存業界首次采用Toggle DDR 4.0接口,傳輸速率提升至1.4Gbps,與前代64層堆棧的V-NAND閃存相比提升了40%。數據寫入延遲僅為500微秒,比上代提升30%,而讀取信號響應時間也大幅縮短到50微秒。
2018-07-17 11:52:173338

三星意圖拉大與對手間的差距,2019NAND Flash資本支出將達90億美元

韓國業界最近指出,三星電子2019NAND Flash資本支出將達90億美元,預計將以韓國平澤、中國西安為主,擴大高容量3D NAND生產規模,期望拉大與其它競爭對手間的差距。
2018-08-05 11:53:421631

三星、美光3D-NAND Flash產出比重已逾50%

集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)最新研究顯示,隨著下半年各家原廠最新64層堆棧的3D-NAND Flash產能開出,在三星及美光等領頭羊帶領下,預估第3D-NAND Flash
2018-11-16 08:45:591450

3D NAND技術的轉換促進產業洗牌戰 三星/英特爾/東芝各有應對招數

NAND Flash產業在傳統的Floating Gate架構面臨瓶頸后,正式轉進3D NAND Flash時代,目前三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)的3D
2018-12-03 09:04:572304

3D NAND flash大戰開打 三星獨霸局面打破

記憶體的3D NAND flash大戰即將開打!目前3D NAND三星電子獨家量產,但是先有東芝(Toshiba)殺入敵營,如今美光(Micron)也宣布研發出3D NAND,而且已經送樣,三星一家獨大的情況將劃下句點。
2018-12-13 15:07:471294

三星擴大西安3D NAND工廠設施,新投資數十億美元

根據AnandTech的報道,三星計劃投資數十億美元擴大其在中國西安的3D NAND生產設施。
2019-12-18 10:38:203458

三星正在研發160層及以上3D閃存

據了解,136層第六代V-NAND閃存是三星今年的量產主力。韓媒報道稱三星可能會大幅改進制造工藝,從現在的單堆棧(single-stack)升級到雙堆棧(double-stack),以便制造更高層數的3D閃存。
2020-04-20 09:06:01776

三星為什么部署3D芯片封裝技術

三星計劃明年開始與臺積電在封裝先進芯片方面展開競爭,因而三星正在加速部署3D芯片封裝技術。
2020-09-20 12:09:163743

三星第8代V-NAND已開始量產

三星采用 3D 縮放(3D scaling)技術,減少表面積并降低高度,同時避免了縮小時通常會發生的單元間的干擾。通過這項技術,三星顯著的提升每片晶圓的存儲密度,使三星的存儲密度達到了新的高度。
2022-11-10 09:43:25847

三星:20303D NAND進入1000層以上

 三星已經確定了新一代3D NAND閃存的開發計劃,預計在2024推出第九代3D NAND,其層數可達到280層
2023-07-04 17:03:293142

三星將于2024量產超300層3D NAND芯片

 最近,三星集團援引業界有關負責人的話表示,計劃到2024批量生產300段以上的第9代3d nand。預計將采用將nand存儲器制作成兩個獨立的程序之后,將其一起組裝的dual stack技術。三星將于2020從第7代176段3d nand開始首次使用雙線程技術。
2023-08-18 11:09:052015

三星將推出GDDR7產品及280層堆疊的3D QLC NAND技術

三星將在IEEE國際固態電路研討會上展示其GDDR7產品以及280層堆疊的3D QLC NAND技術。
2024-02-01 10:35:311299

三星2025后將首家進入3D DRAM內存時代

在Memcon 2024上,三星披露了兩款全新的3D DRAM內存技術——垂直通道晶體管和堆棧DRAM。垂直通道晶體管通過降低器件面積占用,實現性能提升
2024-04-01 15:43:081209

三星將于今年內推出3D HBM芯片封裝服務

近日,據韓國媒體報道,全球領先的半導體制造商三星即將在今年推出其高帶寬內存(HBM)的3D封裝服務。這一重大舉措是三星在2024三星代工論壇上正式宣布的,同時也得到了業內消息人士的證實。
2024-06-19 14:35:501643

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