（文章來源：半導體投資聯盟）

Xtacking是長江存儲在去年FMS（閃存技術峰會）首次公開的3D NAND架構，榮獲當年“Best of Show”獎項。其獨特之處在于，采用Xtacking，可在一片晶圓上獨立加工負責數據I/O及記憶單元操作的外圍電路。這樣的加工方式有利于選擇合適的先進邏輯工藝，以讓NAND獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存儲單元同樣也將在另一片晶圓上被獨立加工。當兩片晶圓各自完工后，創新的Xtacking技術只需一個處理步驟就可通過數十億根金屬VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互聯通道)將二者鍵合接通電路，帶來更快的I/O傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產品上市周期，而且只增加了有限的成本。

在傳統3D NAND架構中，外圍電路約占芯片面積的20~30%，降低了芯片的存儲密度。隨著3D NAND技術堆疊到128層甚至更高，外圍電路可能會占到芯片整體面積的50%以上。而長江存儲的Xtacking技術將外圍電路置于存儲單元之上，外圍電路和存儲單元是2片晶圓，2顆裸芯片的大小是一樣的，這就意味著其CMOS可用面積遠大于其他傳統3D NAND架構，從而實現更高的存儲密度，節省出來的CMOS部分，除了控制電路，也為引入NAND外圍電路的創新功能以實現NAND閃存的定制化提供了無限可能。

長江存儲64層3D NAND閃存就是全球首款基于Xtacking架構設計并實現量產的閃存產品，擁有同代產品中最高的存儲密度。根據先前的資料，目前世界上最快的3D NAND的I/O速度目標值是1.4Gbps，大多數NAND供應商僅能供應1.0Gbps或更低的速度。而利用Xtacking技術，有望大幅提升NAND的I/O速度到3.0Gbps，提升三倍左右。Xtacking技術的研發成功和64層3D NAND閃存的批量生產標志著長江存儲已成功走出了一條高端芯片設計制造的創新之路。

據悉，今天官宣的Xtacking2.0將充分利用Xtacking架構優勢，通過進一步提升NAND吞吐速率、提升系統級存儲的綜合性能、開啟定制化NAND全新商業模式等方面的改進為客戶帶來更多價值。未來搭載Xtacking 2.0技術的長江存儲第三代產品將被廣泛應用于數據中心，企業級服務器、個人電腦和移動設備等領域，并將開啟高性能、定制化NAND解決方案的全新篇章。

長江存儲表示，相比上一代技術，Xtacking2.0的開發工作更需要與客戶、行業合作伙伴和行業標準機構的緊密合作。

自2018年以來，閃存價格一直下滑，主要是由于64層及72層3D芯片的供應增加，市場預期96層3D NAND的全球產量將自2019第二季開始擴大，這可能將會為今年的SSD市場與價格帶來更多變數。因此，主要NAND廠商已經開始放慢產能擴張的步伐。然而在市場周期性波動中，對技術研發的持續投入和迭代升級是保持競爭優勢的關鍵，新一代96層3D NAND量產的腳步未見減慢，各大存儲廠商正著力推動96層3D NAND技術的主流化，預計到2020年將廣泛普及。

除了沖擊更高的NAND堆棧層數外，各大存儲廠商也紛紛提出了新一代閃存方案，SK海力士的“4D NAND”、美光的“CuA”和長江存儲的“Xtracking”是主要代表。其中，長江存儲的Xtracking 架構能使存儲單元面積比重從傳統架構的65%提升至90%，在同一堆棧層數下較SK海力士和美光提升的存儲密度更高，是我國在存儲器領域重大技術突破之一。

未來，但愿長江存儲在提升NAND層數的同時，能抓住自主閃存架構上的優勢，加速產品迭代，推動我國存儲器產業跨越式發展。