4月11日，長江存儲以“芯存長江，智儲未來”為主題，慶賀存儲器基地正式移入生產設備。

2017年9月長江存儲新建的國家存儲器基地項目（一期）一號生產及動力廠房實現提前封頂，2018年2月份進行廠內潔凈室裝修和空調、消防等系統安裝，正是為4月搬入機臺設備而準備，預計很快就可以實現3D NAND量產。

中國內需龐大，不僅有華為、聯想等終端制造商，還有百度、騰訊、阿里巴巴等互聯網巨頭，再加上中國物聯網、人工智能、機器人等產業的快速發展，中國對半導體芯片需求龐大，尤其是存儲器。

對于中國而言，芯片國產化是一個戰略目標，長江存儲存儲器一期廠房建設的完工以及廠房正式移入生產設備，代表著國產存儲正式進入正軌。

據悉，國家存儲器基地一期規劃投資240億美元，占地面積1968畝，建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND閃存生產廠房，存儲器基地一號項目未來總產能將達到30萬片/月。

9日的CITE大會上，趙偉國表示：武漢長江存儲基地4月11日開始移入生產設備，后續將實現 32層64G存儲器小規模量產。

在長江存儲發展規劃中，第一階段長江存儲將以 3D Nand Flash 做為切入點，通過技術合作支持爭取快速發展，第二階段目標到 2020 年月產能達到 30 萬片，趙偉國稱借此長江存儲將能進入世界內存企業的第一梯隊，這階段將能貢獻中國芯片制造自產率的 8%，中國目標在 2020 年芯片自給率要達到 40%。

趙偉國曾透露，目前已經籌集1800億人民幣，其中武漢800億，成都、南京兩個基地各500億元。紫光正在和重慶市政府、國家大基金發起紫光國芯集成電路股份有限公司（簡稱大公司），注冊資本1000億人民幣，注冊地是重慶。希望通過注冊資本1000億的大公司合計籌集1900億。總計3700億，足夠五年的彈藥。

中國存儲器三大陣營成形

中囯己有三家企業向存儲器芯片制造發起沖鋒，分別是武漢長江存儲的32層3D NAND閃存；福建晉華的是32納米的DRAM利基型產品；以及合肥長鑫(睿力)的19納米 DRAM。而且三家都聲稱2018年底前將實現試產，開通生產線。

如果再計及紫光分別在南京和成都剛宣布再建兩個存儲器基地，總計己有五家企業。

中國半導體業要上馬存儲器芯片制造，當時大多數人持謹慎態度，不是看輕自己，而是存儲器業的競爭太激烈。

以目前現況來看，中國發展存儲器的策略能否成功，未來的3~5年將是極其重要的關鍵期，特別是強化IP的布局，中國政府以及廠商未來必須憑借內需市場、優秀的開發能力，以及具國際水平的產能，取得與國際廠商最有利的談判籌碼，才有機會立足全球并占有一席之地。