電子發燒友網報道（文/周凱揚）在存儲行業有些萎靡不振的當下，大部分廠商都在絞盡腦汁地去庫存，也有的廠商考慮從新的技術方向給存儲行業注入生機，比如最近發布了3D X-DRAM技術的NEO Semiconductor。

X-NAND

相信去年的閃存峰會上，除了鎧俠、SK海力士、長江存儲、三星等大廠所做的技術分享外，大家也都注意到了這家名為NEO Semiconductor的初創企業。這是一家專為NAND閃存和DRAM內存開發創新架構的廠商，其去年推出的X-NAND第二代技術，允許3D NAND閃存并行編程（比如數據寫入）時用到更少的平面，從而實現20倍于傳統3D NAND閃存的性能。

對于固態硬盤來說，也就意味著可以使得更大容量更低成本的QLC閃存，擁有像SLC閃存一樣的性能指標。NEO Semiconductor還著重強調了X-NAND第二代技術不會對架構和設計造成影響，所以在不增加制造成本的同時也能提供極高的吞吐量和優異的時延改善。

話雖如此，NEO Semiconductor憑借這一技術也在FMS2022閃存峰會上獲得了創新存儲技術獎，但我們似乎還沒有見到落地的產品出現，更別說合作的廠商了。可也是這次會議上，NEO Semiconductor透露了他們在研的另一大技術，X-DRAM。

3D X-DRAM

近日，NEO Semiconductor公布了他們自研的3D X-DRAM技術，采用了3D NAND式的結構設計，可以顯著增加存儲密度，利用現在的制造工藝產出一個8倍密度的內存，比如230層的128GB DRAM芯片。NEO Semiconductor表示3D X-DRAM技術的出現，很好地解決了如今對高性能和大容量內存的需求問題，尤其是在ChatGPT這樣的AI應用襲來之際。

從上面的3D X-DRAM陣列架構來看，也可以看出其外表和3D NAND好像并無不同之處，但內部卻大有不同。比如3D X-DRAM的單元都是并聯的，所以可以完成高速的隨機訪問，而且3D X-DRAM單元的數據都存儲在浮體中，寫入速度要比尋常的3D NAND快上千倍。

正因有了類3D NAND技術的加持，NEO Semiconductor給出相當具有野心的容量擴展目標，其中在2030-2035年區間，借助3D X-DRAM可以打造出1TB的DRAM芯片。當然了，NEO Semiconductor在這里給出的密度仍是路線圖目標，只是對未來的3D NAND技術進行一個預估。

畢竟3D X-DRAM的制造流程與3D NAND極為接近，3D X-DRAM的密度勢必會隨著3D NAND的層數持續增長，比如鎧俠和西數可能在今年推出的300層3D NAND。至于真正的量產級1TB內存模組，應該還是先由堆疊芯片來打頭陣，比如三星計劃在2024年推出的1TB DDR5 RDIMM內存。

小結

無論是X-DRAM還是X-NAND，都代表了存儲結構上還有更多的創新空間，但真正令我們好奇的是，究竟會有哪些廠商把這一技術投入使用。照NEO Semiconductor對X-NAND的說法，這一技術應該支持不同顆粒，IP也可以部署到三星、鎧俠、長江存儲的產品中，不對制造產生影響。可從目前已知的公開信息來看，似乎并沒有哪家存儲廠商與NEO Semiconductor達成合作。

這也可能是大家對于浮體單元架構還是持以觀望的態度，畢竟過去這么多年里2D浮體單元的架構也都有出現，但無一實現商業化量產的，雖然NEO Semiconductor改成了3D結構，但是否解決了漏電流之類的問題仍是一個未知數。不過NEO Semiconductor的CEO AndyHsu也表示，目前公布的單元結構只是基礎形態，實際結構會包含更多特性，他們要等到今年FMS2023閃存峰會上才能正式揭曉了。