致鈦品牌的成立，就是長(zhǎng)江存儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)了Xtacking架構(gòu)芯片量產(chǎn)的最好證明。如今，新品SSD硬盤(pán)的推出，則標(biāo)志著長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式從幕后走到臺(tái)前。

類(lèi)品推進(jìn)：推消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)

9月10日，紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式推出致鈦系列兩款消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)（SSD）新品，分別為PCIe接口PC005Active和SATA接口SC001Active。

·PC005Active采用PCIeGen3x4接口，NVMe協(xié)議，搭配512MB至1GBDRAM緩存，致力于滿(mǎn)足高階用戶(hù)的需求。

能夠承載電競(jìng)、設(shè)計(jì)類(lèi)高性能應(yīng)用，使得設(shè)計(jì)源文件的打開(kāi)速度和游戲加載的速度明顯提升。

·SC001Active采用SATA3．0接口，是兼具速度與超長(zhǎng)壽命的固態(tài)硬盤(pán)，讓所有消費(fèi)者都能享受它所帶來(lái)的速度美學(xué)。

可以大幅提升系統(tǒng)的開(kāi)機(jī)、程序加載、文件保存、文件傳輸?shù)人俣龋m用于日常存儲(chǔ)使用，尤其適合辦公電腦、筆記本電腦等場(chǎng)景使用。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)此次全新發(fā)布的致鈦SC001Active和致鈦PC005Active均搭載創(chuàng)新Xtacking架構(gòu)3D NAND高品質(zhì)原廠顆粒。

致鈦產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在對(duì)傳統(tǒng)閃存技術(shù)的創(chuàng)新，釋放3DNAND閃存潛能。基于長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking創(chuàng)新架構(gòu)打造的致鈦系列SSD兼具強(qiáng)勁的性能和可靠的品質(zhì)，從而為消費(fèi)者帶來(lái)優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品體驗(yàn)。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)SSD產(chǎn)品的研發(fā)用了幾近2年的時(shí)間，而之所以花費(fèi)這么長(zhǎng)時(shí)間，是因?yàn)殚L(zhǎng)江存儲(chǔ)從零開(kāi)始建立了一套檢測(cè)檢驗(yàn)系統(tǒng)。

在這套系統(tǒng)的幫助下，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的SSD產(chǎn)品能夠在提升性能的前提下，保證硬盤(pán)使用壽命。

而本次長(zhǎng)江存儲(chǔ)憑借這兩款消費(fèi)級(jí)SSD產(chǎn)品，可以拉進(jìn)他們與客戶(hù)端之間的距離，進(jìn)一步向業(yè)界展示其創(chuàng)新存儲(chǔ)技術(shù)的實(shí)力。

SSD產(chǎn)品不僅需要高品質(zhì)的閃存做支撐，還需要主控芯片等產(chǎn)品的配合。在長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出SSD以后，也會(huì)為這個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈上的其他企業(yè)帶來(lái)了新的發(fā)展機(jī)會(huì)。

架構(gòu)推進(jìn)：Xtacking架構(gòu)是提升關(guān)鍵

在長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層、128層3D NAND取得成績(jī)的背后，Xtacking架構(gòu)是發(fā)力關(guān)鍵，與其他架構(gòu)相比，Xtacking架構(gòu)的最大不同便是CMOS邏輯控制單元與存儲(chǔ)單元的“去耦合”式分離研發(fā)和制造。

當(dāng)兩片晶圓各自完工后，Xtacking技術(shù)只需一個(gè)處理步驟就可將二者鍵合接通電路，且成本增加有限。

從本次發(fā)布的PC005Active和SC001Active中，能夠更清晰地看到長(zhǎng)江存儲(chǔ)對(duì)于拓展SSD產(chǎn)品的態(tài)度。

從閃存市場(chǎng)進(jìn)軍到SSD市場(chǎng)并不是一個(gè)意料之外的事情。在國(guó)際市場(chǎng)當(dāng)中，有很多閃存巨頭都參與到了SSD市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中，并占據(jù)著重要的地位。

如此來(lái)看，長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出SSD品牌也是在萬(wàn)事俱備下，走出了那必要的一步。

技術(shù)推進(jìn)：今年Q4 SSD市場(chǎng)即將爆發(fā)

SSD是用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)并由半導(dǎo)體制成的固態(tài)磁盤(pán)或電子磁盤(pán)。它使用與HDD相同的I／O接口設(shè)計(jì)，并將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在固態(tài)存儲(chǔ)器中。

與HDD相比，采用電性能來(lái)讀取數(shù)據(jù)的方式，使得SSD規(guī)避了機(jī)械故障的風(fēng)險(xiǎn)，從而可以實(shí)現(xiàn)更高速度的數(shù)據(jù)傳輸。

但在2018年以前，SSD在價(jià)格方面并不占據(jù)優(yōu)勢(shì)，這也使得很多用戶(hù)對(duì)SSD望而卻步。2018年以后，伴隨著相關(guān)技術(shù)的成熟，SSD開(kāi)始被市場(chǎng)所青睞。

加之目前閃存技術(shù)已經(jīng)從2D走向了3D，相較于傳統(tǒng)的2DNAND技術(shù)，3DNAND能夠顯著提升單位閃存內(nèi)部的存儲(chǔ)空間，從而降低固態(tài)硬盤(pán)的單位容量成本，進(jìn)而推動(dòng)整體固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

全球形勢(shì)：國(guó)產(chǎn)SSD追趕但占比劣勢(shì)大

全球SSD市場(chǎng)在2019年的總出貨量為1．2億塊，而金士頓一家就占了18．3％（2200萬(wàn)塊）。分列二三名的是西部數(shù)據(jù)（16．5％）和三星（15．1％）。

如果將行業(yè)和OEM領(lǐng)域算在內(nèi)，全球2019年SSD出貨總量為2．76億塊，較2018年大幅提升了36％，而金士頓在這個(gè)排行中依然以10．4％的比重排名第三，位列三星和西部數(shù)據(jù)之后。

在2月份的SSD出貨量排行中，金士頓穩(wěn)居榜首，西數(shù)、臺(tái)積電、金泰克和七彩虹分列前五，而三星、影馳等品牌的出貨量也都比1月份有所提升。

在2020年第一季度，全球經(jīng)濟(jì)都遭受了影響。在2020第一季度PC市場(chǎng)，全球出貨量較去年同期下跌了8％，幾乎所有企業(yè)的出貨量均有不同程度的下降。

其中希捷作為一季度出貨量最多的廠商大約共出貨2790—2870萬(wàn)塊，份額占到了42％左右，但依舊有最多接近15％的跌幅。

出貨量第二的是西部數(shù)據(jù)，一季度出貨2460—2520萬(wàn)塊，占市場(chǎng)份額37％，環(huán)比跌幅最大在16％左右。

出貨量第三名東芝在第一季度出貨400—1520萬(wàn)塊，占領(lǐng)了21％左右的市場(chǎng)份額，而Trendfocus預(yù)估其年跌幅可能高達(dá)24％。

市場(chǎng)推進(jìn)：SSD直接影響NAND需求

目前NAND Flash主要應(yīng)用在手機(jī)和SSD上，其占比分別為48％和43％，因此該兩類(lèi)產(chǎn)品的出貨量則會(huì)直接影響NAND Flash的需求。

目前市場(chǎng)上的主流3DNAND產(chǎn)品為64層，但國(guó)際領(lǐng)先的廠商目前都已擁有100層以上的技術(shù)。

全球SSD市場(chǎng)規(guī)模將從去年的231億美元增長(zhǎng)到今年的326億美元，增長(zhǎng)41％；預(yù)計(jì)NAND閃存將成為今年最大的增長(zhǎng)，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)將比上一年略有增長(zhǎng)。

在SSD消費(fèi)類(lèi)市場(chǎng)和智能手機(jī)的容量進(jìn)一步增大，將消耗大量閃存芯片，隨著閃存芯片需求量的逐步擴(kuò)大，中國(guó)閃存芯片廠商也在努力進(jìn)行升級(jí)研發(fā)，滿(mǎn)足閃存需求。

總的來(lái)講，隨著NAND Flash進(jìn)入3D制程并且層數(shù)快速增加，國(guó)產(chǎn)SSD主控設(shè)計(jì)難度設(shè)計(jì)愈加復(fù)雜、門(mén)檻也越來(lái)越高，SSD主控研發(fā)技術(shù)難度的增加。

而且不同廠商的NAND閃存顆粒特性差異較大，同一廠商N(yùn)AND顆粒制程不同，產(chǎn)品差異性也非常大，SSD主控與不同廠商的NAND閃存顆粒進(jìn)行搭配的能力也有待加強(qiáng)。

壓力推進(jìn)：芯片等核心要素掌控成本

幾年前，三星、美光、海力士等閃存芯片大廠旗下的生產(chǎn)工廠，動(dòng)不動(dòng)就發(fā)生洪水、火災(zāi)、停電等事故，然后以事故為借口對(duì)內(nèi)存、SSD產(chǎn)品進(jìn)行漲價(jià)。

長(zhǎng)期的創(chuàng)新和研發(fā)投入，帶給了美國(guó)和日本廠商以技術(shù)優(yōu)勢(shì)，這也是他們的產(chǎn)品目前成為主流，并且很難被取代的原因。

眾所周知，全球最牛的存儲(chǔ)芯片廠商是三星，DRAM內(nèi)存全球第一，份額高達(dá)40％，而在NAND閃存領(lǐng)域，三星也是全球前三強(qiáng)。

而中國(guó)是全球最大的芯片消耗國(guó)，每年進(jìn)口芯片金額超過(guò)3000億美元，其中三分之一是存儲(chǔ)芯片，所以這些年為了存儲(chǔ)產(chǎn)品，國(guó)內(nèi)可是花了大價(jià)錢(qián)的。

對(duì)于存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)而言，所謂的國(guó)產(chǎn)替代真的是任重道遠(yuǎn)，并不是生產(chǎn)出國(guó)產(chǎn)的芯片就行了，需要建立一個(gè)中國(guó)體系，從上游材料、設(shè)備，再到下游的技術(shù)、產(chǎn)品才行。

結(jié)尾：

目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)的產(chǎn)能非常有限，還不足以撐起中國(guó)龐大的市場(chǎng)需求，但至少已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了0到1的突破。突破之后的風(fēng)景，自然比之前看上去更美。

責(zé)任編輯：gt