在最近舉辦的GSA存儲大會上，芯片制造業(yè)的四大聯(lián)盟組織-IMEC, ITRI, Sematech以及SEMI都展示了他們各自在基于TSV的3D芯片技術(shù)方面的最新進(jìn)展
2011-04-14 18:38:31
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本文研究主要考慮基于CuSn金屬互化物的微凸點(diǎn)(μbump)作為芯片堆疊的手段。系統(tǒng)研究了形成金屬互化物凸點(diǎn)連接的兩種方法。
2012-03-08 16:29:246956 
據(jù)IC Insights發(fā)布的最新2020 McClean報告顯示，半導(dǎo)體行業(yè)研發(fā)的投入將在2024年出現(xiàn)明顯成效包括轉(zhuǎn)向EUV光刻，低于3納米制程技術(shù)，3D芯片堆疊技術(shù)和先進(jìn)封裝在內(nèi)的技術(shù)挑戰(zhàn)有望
2020-01-31 09:20:347042 3D堆疊、多芯片封裝大家想必都不陌生了，這年頭制造工藝已經(jīng)沒有太多噱頭，有時甚至性能提升也有限，廠商只好從架構(gòu)上入手。像蘋果的Ultra?Fusion拼接、Graphcore的3D WoW，都是在
2022-04-13 01:06:007527 視為堆疊邏輯與內(nèi)存、3D NAND，甚至可能在高帶寬存儲(HBM)中的多層DRAM堆疊的關(guān)鍵技術(shù)。垂直堆疊使得芯片制造商能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">互連間距從35μm的銅微凸點(diǎn)提升到10μm甚至更小。
2025-05-22 11:24:181405 
半導(dǎo)體協(xié)會理事長盧超群指出，未來半導(dǎo)體將要做3D垂直堆疊，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來會朝向類摩爾定律成長。
2016-06-10 00:14:002696 三星作為全球首家量產(chǎn)3D NAND Flash的廠商的風(fēng)光并沒有太久，日前東芝也研究出64層3D Flash，這樣的追趕速度讓人驚嘆。有消息顯示，英特可能暫緩擴(kuò)建大連廠，而是通過直接收購美光科技擴(kuò)大芯片領(lǐng)域?qū)嵙ΑＫ髂酨layStation VR國行版來襲，紅米Pro三個版本還有什么發(fā)布會沒說的細(xì)節(jié)？
2016-07-28 09:44:261235 據(jù)外媒報道，東芝今天宣布正式出貨BiCS FLASH 3D閃存，采用64層堆疊，單晶粒容量512Gb（64GB，TLC），相對于上一代48層256Gb，容量密度提升了65%，這樣封裝閃存芯片的最高容量將達(dá)到960GB。
2017-02-23 08:33:401752 臺積電（中國）有限公司技術(shù)總監(jiān)陳敏表示，TSMC 3D Fabric先進(jìn)封裝技術(shù)涵蓋 2.5D 和垂直芯片堆疊產(chǎn)，是臺積電過去10年以來對于3D IC的不斷完善和開發(fā)。客戶采用臺積3D Fabric所生產(chǎn)的產(chǎn)品取得的整個系統(tǒng)效能的提升，都有非常良好的表現(xiàn)。
2022-09-20 10:35:472930 
先進(jìn)封裝從MCM發(fā)展到2.5D/3D堆疊封裝，目前發(fā)展最快的制造商是TSMC。TSMC從Foundry端延伸入2.5D/3D先進(jìn)封裝，稱為3D Fabric。近十年來TSMC的2.5D先進(jìn)封裝技術(shù)
2022-10-26 10:21:375940 對于自動駕駛應(yīng)用來說，3D 場景感知至關(guān)重要。3D點(diǎn)云數(shù)據(jù)就是具有3D特征的數(shù)據(jù)。一方面，3D 點(diǎn)云可以直接用來獲取障礙物的距離和大小，以及場景的語義信息。
2023-12-28 16:35:222712 
背景部分介紹了3D點(diǎn)云應(yīng)用領(lǐng)域中公開可訪問的數(shù)據(jù)集的重要性，這些數(shù)據(jù)集對于分析和比較各種模型至關(guān)重要。研究人員專門設(shè)計了各種數(shù)據(jù)集，包括用于3D形狀分類、3D物體檢測和3D點(diǎn)云分割等任務(wù)的數(shù)據(jù)集。
2024-02-22 16:16:472454 
3D堆疊像素探測器芯片技術(shù)詳解
2024-11-01 11:08:074435 
3D堆疊將不斷發(fā)展，以實現(xiàn)更復(fù)雜和集成的設(shè)備——從平面到立方體
2024-09-19 18:27:412348 
3D 集成電路的優(yōu)勢有目共睹，因此現(xiàn)代芯片中也使用了 3D 結(jié)構(gòu)，以提供現(xiàn)代高速計算設(shè)備所需的特征密度和互連密度。隨著越來越多的設(shè)計集成了廣泛的功能，并需要一系列不同的特征，3D 集成將與異構(gòu)集成
2024-12-03 16:39:312918 
動力。 ? 據(jù)資料顯示，這項技術(shù)通過將銅金屬鍵合與介電層鍵合工藝結(jié)合，實現(xiàn)了亞微米級的垂直互連，使芯片堆疊密度提升兩個數(shù)量級，為突破摩爾定律物理極限提供了可行路徑。 ? 二十年來，錫基焊料凸點(diǎn)（Micro Bump）一直是芯片堆疊的標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)線。但當(dāng)
2025-06-29 22:05:131519 什么是3D圖形芯片？3D圖像生成算法的原理是什么？
2021-06-04 06:29:06
成微型的往往會導(dǎo)致很差的效果。比如建筑模型，在打印這種模型時尺寸非常關(guān)鍵，因為包含的細(xì)節(jié)非常之多，你將尺寸調(diào)的越小，3D 打印模型能展現(xiàn)出來的細(xì)節(jié)就越少。Sculpteo建議大家在打印精細(xì)的模型
2016-05-05 14:31:56
我公司專業(yè)從事3D全息風(fēng)扇研發(fā)生產(chǎn)，主要生產(chǎn)供應(yīng)3D全息風(fēng)扇PCBA，也可出售整機(jī)，其他配件可免費(fèi)提供供應(yīng)商信息或者代購，歡迎咨詢 劉先生：*** 微信同號3d全息風(fēng)扇燈條3d全息風(fēng)扇PCBA3D全息風(fēng)扇方案本廣告長期有效
2019-08-02 09:50:26
芯片封裝鍵合技術(shù)各種微互連方式簡介微互連技術(shù)簡介定義：將芯片凸點(diǎn)電極與載帶的引線連接，經(jīng)過切斷、沖壓等工藝封裝而成。載帶：即帶狀載體，是指帶狀絕緣薄膜上載有由覆 銅箔經(jīng)蝕刻而形成的引線框架，而且芯片
2012-01-13 14:58:34
正在從二維走向三維世界——芯片設(shè)計、芯片封裝等環(huán)節(jié)都在向3D結(jié)構(gòu)靠攏。晶體管架構(gòu)發(fā)生了改變當(dāng)先進(jìn)工藝從28nm向22nm發(fā)展的過程中，晶體管的結(jié)構(gòu)發(fā)生了變化——傳統(tǒng)的平面型晶體管技術(shù)（包括體硅技術(shù)
2020-03-19 14:04:57
無線通信（CCWC），可以解決傳統(tǒng)芯片內(nèi)采用金屬互連線、硅通孔燈通信的瓶頸，提高芯片的性能和能效，同時大大縮小面積。
CCWC面臨的挑戰(zhàn)：
2、3D堆疊
1)3D堆疊技術(shù)的發(fā)展
3D堆疊技術(shù)最早應(yīng)用于
2025-09-15 14:50:58
世界首款3D芯片工藝即將由無晶圓半導(dǎo)體公司BeSang授權(quán)。 BeSang制造了一個示范芯片，在邏輯控制方面包含1.28億個縱向晶體管的記憶存儲單元。該芯片由韓國國家Nanofab和斯坦福
2008-08-18 16:37:37
如何同時獲取2d圖像序列和相應(yīng)的3d點(diǎn)云？以上來自于谷歌翻譯以下為原文How to obtain the sequence of 2d image and corresponding 3d point cloud at the same time?
2018-11-13 11:25:01
`華爾街日報發(fā)布文章稱，科技產(chǎn)品下一個重大突破將在芯片堆疊領(lǐng)域出現(xiàn)。Apple Watch采用了先進(jìn)的的3D芯片堆疊封裝技術(shù)作為幾乎所有日常電子產(chǎn)品最基礎(chǔ)的一個組件，微芯片正出現(xiàn)一種很有意思的現(xiàn)象
2017-11-23 08:51:12
大家好， 在Ultrascale FPGA中，使用單片和下一代堆疊硅互連（SSI）技術(shù)編寫。 “單片和下一代堆疊硅互連（SSI）技術(shù)”是什么意思？謝謝娜文G K.
2020-04-27 09:29:55
3D 點(diǎn)云。高度差異化 3D 機(jī)器視覺系統(tǒng)利用 DLP?(...)主要特色 集成型 API 和針對 DLP 芯片組的驅(qū)動程序支持，可實現(xiàn)快速以及可編程圖形針對同步捕捉的集成型攝像機(jī)支持投影儀和攝像機(jī)校準(zhǔn)例程用于生成視差圖、景深圖和點(diǎn)云的結(jié)構(gòu)光算法API 文檔應(yīng)用和源代碼的完全訪問權(quán)限
2018-10-12 15:33:03
構(gòu)建精細(xì)的 3D 點(diǎn)云。作為緊湊或手持解決方案的理想之選，此高分辨率 3D 掃描儀系統(tǒng)利用 DLP?(...)主要特色針對 DLP 芯片組的集成型 API 和驅(qū)動程序支持，可實現(xiàn)快速以及可編程圖形集成型攝像頭支持，實現(xiàn)同步捕捉投影儀和攝像頭校準(zhǔn)例程用于生成視差圖、景深圖和點(diǎn)云的結(jié)構(gòu)化照明算法
2018-09-18 08:38:28
3D 點(diǎn)云。高度差異化 3D 機(jī)器視覺系統(tǒng)利用 DLP? LightCrafter? 4500 估模塊 (EVM)（采用 DLP? 0.45 英寸 WXGA 芯片組），能夠靈活控制工業(yè)、醫(yī)療和安全
2022-09-22 10:20:04
被稱之為“堆疊硅片互聯(lián)技術(shù)”的3D封裝方法采用無源芯片中介層、微凸塊和硅通孔 (TSV)技術(shù)，實現(xiàn)了多芯
2010-10-29 17:54:251168 單片型3D技術(shù)實現(xiàn)的關(guān)鍵在于如何將各層功能單元轉(zhuǎn)換到單片3D堆疊結(jié)構(gòu)之中去，其采用的方法非常類似于Soitec在制作SOI晶圓時所采用的SMARTCUT技術(shù)
2011-05-04 11:27:212198 
據(jù)臺灣對外貿(mào)易發(fā)展協(xié)會(TAITRA)透露，芯片代工巨頭臺積電（TSMC）有望超過intel，在2011年底推出業(yè)內(nèi)首款采用3-D芯片堆疊技術(shù)的半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品。
2011-07-07 09:19:071168 賽靈思采用了稱之為“堆疊硅片互聯(lián)技術(shù)”的 3D 封裝方法，該技術(shù)采用無源芯片中介層、微凸塊和硅通孔 (TSV)技術(shù)，實現(xiàn)了多芯片可編程平臺
2011-10-26 14:35:263936 2012年4月27日訊 - GLOBALFOUNDRIES今天宣布，在為新一代移動和消費(fèi)電子應(yīng)用實現(xiàn)3D芯片堆疊的道路上，公司達(dá)到了一個重要的里程碑。在其位于美國紐約薩拉托加郡的Fab 8，GLOBALFOUNDRIES已開始
2012-04-28 09:15:031772 9月25日——全球電子設(shè)計創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計系統(tǒng)公司（NASDAQ：CDNS）今天宣布，臺積電與Cadence合作開發(fā)出了3D-IC參考流程，該流程帶有創(chuàng)新的真正3D堆疊。該流程通過
2013-09-26 09:49:201717 光固化3D打印技術(shù)憑借成型表面質(zhì)量好、尺寸精度高以及能夠?qū)崿F(xiàn)比較精細(xì)的細(xì)微之處等特點(diǎn)，在3D打印圈小有名氣，也得到了廣泛的應(yīng)用。今天咱們不談技術(shù)，聊聊光固化3D打印技術(shù)的核心——光敏樹脂材料
2017-06-27 17:48:5710848 ;x>nkedIn上發(fā)表了一篇跟澳大利亞科技公司優(yōu)立（Euclideon）所使用的點(diǎn)云數(shù)據(jù)有關(guān)的文章，并在業(yè)內(nèi)引起了一番討論。 1. 點(diǎn)云的問題 點(diǎn)云是由3D掃描硬件收集的數(shù)據(jù)，如FARO的Focus 3D激光掃描儀和Shining 3D的Einscan Pro。捕獲3D對象的基本原理是3D掃描儀反饋光
2017-09-15 09:28:05
20 。即便是掃描最小的對象，系統(tǒng)都會創(chuàng)建上百萬這樣的點(diǎn)，所以要管理這樣的海量數(shù)據(jù)并不容易。CAD軟件可以連接各個點(diǎn)，但這一過程需要大量的計算資源，完善成品模型往往是一個艱苦的過程。 從點(diǎn)云（右）到完成的3D模型（左和中心） 優(yōu)立的無限細(xì)節(jié)算法集成到SOLIDSCAN軟件中后能夠?qū)崟r渲染點(diǎn)
2017-09-27 15:27:2517 芯片晶粒在未來搭載愈來愈多晶體管可望成為趨勢，讓芯片運(yùn)算能力達(dá)到人腦水平也可望有朝一日達(dá)成，對于這類新技術(shù)的發(fā)展，在芯片上以及在多層堆疊芯片之間打造先進(jìn)3D結(jié)構(gòu)成為一大主要驅(qū)動力，在2017年
2017-12-20 08:45:505710 這款工業(yè)級3D相機(jī)使用動態(tài)結(jié)構(gòu)光方案實現(xiàn)高精度三維點(diǎn)云輸出，采用知微傳感自有的MEMS微振鏡技術(shù)，實現(xiàn)了3D相機(jī)的小型化、低成本和高精度。
2018-09-14 10:59:485470 被稱之為“堆疊硅片互聯(lián)技術(shù)”的3D封裝方法采用無源芯片中介層、微凸塊和硅通孔 （TSV）技術(shù)，實現(xiàn)了多芯片可編程平臺。
2019-01-03 13:20:593796 在近日舉行的英特爾“架構(gòu)日”活動中，英特爾不僅展示了基于10納米的PC、數(shù)據(jù)中心和網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)，支持人工智能和加密加速功能的下一代“Sunny Cove”架構(gòu)，還推出了業(yè)界首創(chuàng)的3D邏輯芯片封裝技術(shù)——Foveros。這一全新的3D封裝技術(shù)首次引入了3D堆疊的優(yōu)勢，可實現(xiàn)在邏輯芯片上堆疊邏輯芯片。
2018-12-14 15:35:328854 英特爾近日向業(yè)界推出了首款3D邏輯芯片封裝技術(shù)“Foveros”，據(jù)悉這是在原來的3D封裝技術(shù)第一次利用3D堆疊的優(yōu)點(diǎn)在邏輯芯片上進(jìn)行邏輯芯片堆疊。也是繼多芯片互連橋接2D封裝技術(shù)之后的又一個顛覆技術(shù)。
2018-12-14 16:16:453316 近日，武漢新芯研發(fā)成功的三片晶圓堆疊技術(shù)備受關(guān)注。有人說，該技術(shù)在國際上都處于先進(jìn)水平，還有人說能夠“延續(xù)”摩爾定律。既然3D芯片堆疊技術(shù)有如此大的作用，那今天芯師爺就跟大家一起揭開它的面紗。
2018-12-31 09:14:0034067 對于目前的高端市場，市場上最流行的2.5D和3D集成技術(shù)為3D堆疊存儲TSV，以及異構(gòu)堆疊TSV中介層。Chip-on-Wafer-on-Substrate（CoWos）技術(shù)已經(jīng)廣泛用于高性能計算
2019-02-15 10:42:198043 
從英特爾所揭露的技術(shù)資料可看出，F(xiàn)overos本身就是一種3D IC技術(shù)，透過硅穿孔(Through-Silicon Via, TSV)技術(shù)與微凸塊(micro-bumps)搭配，把不同的邏輯芯片堆疊起來。
2019-07-08 11:47:335835 對于3D封裝技術(shù)，英特爾去年宣布了其對3D芯片堆疊的研究，AMD也談到了在其芯片上疊加3D DRAM和SRAM的方案。
2019-08-13 10:27:533414 困于10nm的Intel也在這方面尋找新的機(jī)會，其在去年年底的“架構(gòu)日”活動中，推出其業(yè)界首創(chuàng)的3D邏輯芯片封裝技術(shù)——Foveros，F(xiàn)overos首次引入3D堆疊的優(yōu)勢，可實現(xiàn)在邏輯芯片上堆疊
2020-01-28 16:10:004118 德國3D打印機(jī)制造商EOS展示了其超精細(xì)細(xì)節(jié)分辨率（FDR，F(xiàn)INE DETAIL RESOLUTION）3D打印技術(shù)。
2020-05-18 14:51:353339 SIP有多種定義和解釋,其中一說是多芯片堆疊的3D封裝內(nèi)系統(tǒng)集成,在芯片的正方向堆疊2片以上互連的裸芯片的封裝。SIP是強(qiáng)調(diào)封裝內(nèi)包含了某種系統(tǒng)的功能封裝，3D封裝僅強(qiáng)調(diào)在芯片方向上的多芯片堆疊
2020-05-28 14:51:447076 與傳統(tǒng)的大面積SoC相比，3D IC具有許多優(yōu)勢，其中大部分是由于縮短了互連。與2D SoC中的長線相反，功能塊彼此堆疊并通過TSV連接，因此3D IC能夠顯著縮短互連長度。
2020-09-14 16:52:222925 三星計劃明年開始與臺積電在封裝先進(jìn)芯片方面展開競爭，因而三星正在加速部署3D芯片封裝技術(shù)。
2020-09-20 12:09:163743 在Intel、臺積電各自推出自家的3D芯片封裝技術(shù)之后，三星也宣布新一代3D芯片技術(shù)——X-Cube，基于TSV硅穿孔技術(shù)，可以將不同芯片搭積木一樣堆疊起來，目前已經(jīng)可以用于7nm及5nm工藝。
2020-10-10 15:22:582004 測量表面法向量估計 幾何測量平面提取 3D重建從離散點(diǎn)云得到光滑曲面 3D重建ICP點(diǎn)云配準(zhǔn) 3D重建SDF表面重建 應(yīng)用例子：從稀疏的點(diǎn)云中，構(gòu)造出可以3D打印的模型 3D物體分割、識別與測量 應(yīng)用算法流程3D物體分割、識別與測量 應(yīng)用算法流程靜態(tài)手勢識別 應(yīng)用算
2020-10-23 09:40:464061 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供3D堆疊技術(shù)的誘因資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-03-31 08:50:5812 倒裝芯片技術(shù)正得到廣泛應(yīng)用 ，凸點(diǎn)形成是其工藝過程的關(guān)鍵。介紹了現(xiàn)有的凸點(diǎn)制作方法 ，包括蒸發(fā)沉積、印刷、電鍍、微球法、黏點(diǎn)轉(zhuǎn)移法、SB2 - Jet 法、金屬液滴噴射法等。每種方法都各有其優(yōu)缺點(diǎn) ，適用于不同的工藝要求。可以看到要使倒裝芯片技術(shù)得到更廣泛的應(yīng)用 ，選擇合適的凸點(diǎn)制作方法是極為重要的。
2021-04-08 15:35:4726 堆疊技術(shù)也可以叫做3D堆疊技術(shù)，是利用堆疊技術(shù)或通過互連和其他微加工技術(shù)在芯片或結(jié)構(gòu)的Z軸方向上形成三維集成，信號連接以及晶圓級，芯片級和硅蓋封裝具有不同的功能，針對包裝和可靠性技術(shù)的三維堆疊處理技術(shù)。
2022-05-10 15:58:134946 
融合標(biāo)注使用的3D標(biāo)注工具仍以3D立體框為主，但在3D點(diǎn)云數(shù)據(jù)以外，還需要使用2D標(biāo)注工具在點(diǎn)云數(shù)據(jù)相對應(yīng)的2D圖像中進(jìn)行標(biāo)注，3D點(diǎn)云數(shù)據(jù)中的標(biāo)注對象與2D圖像中的標(biāo)注對象一一對應(yīng)，具體形式如下：
2022-07-21 15:52:3610125 異質(zhì)整合需要通過先進(jìn)封裝提升系統(tǒng)性能，以2.5D/3D IC封裝為例，可提供用于存儲器與小芯片集成的高密度互連，例如提供Sub-micron的線寬與線距，或五層的互連，是良好的Interposer(中介層)。
2022-08-24 09:35:535418 目前有多種基于 3D 堆疊方法, 主要包括: 芯片與芯片的堆疊( D2D) 、芯片與圓片的堆疊( D2W ) 以及圓片與圓片的堆疊( W2W) 。
2022-11-01 09:52:512488 當(dāng)裸片尺寸無法繼續(xù)擴(kuò)大時，開發(fā)者開始考慮投入對 3D 堆疊裸片方法的研究。考慮用于 3D 封裝的高端器件已經(jīng)將當(dāng)前的可測試性設(shè)計 (DFT) 解決方案推向了極限。
2023-02-28 11:39:262362 我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227 裸芯通過微凸點(diǎn)組裝到Interposer上，如上圖所示。其Interposer上堆疊了三顆裸芯。Interposer包括兩種類型的互聯(lián)：①由微凸點(diǎn)和Interposer頂部的RDL組成的水平互連，它連接各種裸芯②由微凸點(diǎn)、TSV簇和C4凸點(diǎn)組成的垂直互聯(lián)，它將裸芯連接至封裝。
2023-04-10 11:28:5014215 在Hybrid Bonding前，2D，2.5D及3D封裝都是采用焊錫球凸點(diǎn)(solder bump)或微凸點(diǎn)（Micro bump）來實現(xiàn)芯片與基板
2023-04-20 09:40:1621819 隨著計算機(jī)視覺技術(shù)的不斷發(fā)展，3D 數(shù)字化技術(shù)已經(jīng)成為了當(dāng)今工業(yè)制造領(lǐng)域和三維醫(yī)學(xué)影像領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)。然而，構(gòu)建高精度、高分辨率的 3D 點(diǎn)云數(shù)據(jù)集對于實現(xiàn)這一技術(shù)至關(guān)重要。在這篇文章中，我們將深入探討 3D 點(diǎn)云數(shù)據(jù)集的構(gòu)建、應(yīng)用以及其在 3D 數(shù)字化技術(shù)中的重要性。
2023-05-06 16:46:172219 凸塊制造技術(shù)（Bumping）是在芯片上制作凸塊，通過在芯片表面制作金屬凸塊提供芯片電氣互連的“點(diǎn)”接口，廣泛應(yīng)用于 FC、WLP、CSP、3D 等先進(jìn)封裝。
2023-05-15 16:42:197001 
3D NAND閃存是一種把內(nèi)存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術(shù)。這種技術(shù)垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲單元，具備卓越的精度，可支持在更小的空間內(nèi)，容納更高的存儲容量，從而有效節(jié)約成本、降低能耗，以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:563209 
隨著異構(gòu)集成模塊功能和特征尺寸的不斷增加，三維集成技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。凸點(diǎn)之間的互連 是實現(xiàn)芯片三維疊層的關(guān)鍵，制備出高可靠性的微凸點(diǎn)對微電子封裝技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展具有重要意 義。整理歸納了先進(jìn)封裝中的凸點(diǎn)
2023-07-06 09:56:165076 
相對于傳統(tǒng)平面型的金絲鍵合焊接的MMIC應(yīng)用，三維（3D）多芯片互連封裝MMIC以其高集成度、低損耗、高可靠性等性能優(yōu)勢，正逐步在先進(jìn)電路與系統(tǒng)中得到應(yīng)用。而3D封裝引入的復(fù)雜電磁耦合效應(yīng)，在傳統(tǒng)
2023-08-30 10:02:075731 
隨著摩爾定律接近物理界限，在3納米以下的先進(jìn)工藝中，能夠負(fù)擔(dān)較高費(fèi)用的顧客受到限制，晶片sip和邏輯芯片的3D堆疊概念正在成為重要的新一代趨勢。
2023-09-11 11:09:582010 長期以來，個人計算機(jī)都可以選擇增加內(nèi)存，以便提高處理超大應(yīng)用和大數(shù)據(jù)量工作的速度。由于3D芯片堆疊的出現(xiàn)，CPU芯粒也有了這個選擇，但如果你想打造一臺更具魅力的計算機(jī)，那么訂購一款有超大緩存的處理器可能是正確的選擇。
2023-10-15 10:24:232733 
多個垂直堆疊的活動層(模具)較短的垂直互連：功耗、延遲、帶寬..分離的和小的模具：異構(gòu)集成，產(chǎn)量，成本，尺寸山復(fù)雜設(shè)計、設(shè)計自動化和制造過程
2023-10-17 12:25:501388 
VT6000系列共聚焦顯微鏡擅長微納級粗糙輪廓的檢測，配備了真彩相機(jī)并提供還原的3D真彩圖像，具有很強(qiáng)的縱向深度的分辨能力，所展示的圖像形態(tài)細(xì)節(jié)更清晰更微細(xì)，橫向分辨率更高。為國內(nèi)3D顯微檢測的應(yīng)用場景提供更全的解決方案。
2023-02-03 10:31:493 3D實例分割（3DIS）是3D領(lǐng)域深度學(xué)習(xí)的核心問題。給定由點(diǎn)云表示的 3D 場景，我們尋求為每個點(diǎn)分配語義類和唯一的實例標(biāo)簽。 3DIS 是一項重要的 3D 感知任務(wù)，在自動駕駛、增強(qiáng)現(xiàn)實和機(jī)器人導(dǎo)航等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，其中可以利用點(diǎn)云數(shù)據(jù)來補(bǔ)充 2D 圖像提供的信息。
2023-11-13 10:34:273744 
三星計劃在2024年先進(jìn)3D芯片封裝技術(shù)SAINT（Samsung Advanced Interconnection Technology，三星高級互連技術(shù)），能以更小尺寸的封裝，將AI芯片等高性能芯片的內(nèi)存和處理器集成。
2023-11-15 11:09:302499 來源：《半導(dǎo)體芯科技》雜志 ASIC設(shè)計服務(wù)暨IP研發(fā)銷售廠商智原科技（Faraday Technology Corporation）宣布推出其2.5D/3D先進(jìn)封裝服務(wù)。通過獨(dú)家的芯片中介層
2023-11-20 18:35:421107 當(dāng)芯片變身 3D 系統(tǒng)，3D 異構(gòu)集成面臨哪些挑戰(zhàn)
2023-11-24 17:51:071969 
在3D實現(xiàn)方面，存儲器比邏輯更早進(jìn)入實用階段。NAND閃存率先邁向3D 。隨著目前量產(chǎn)的20-15nm工藝，所有公司都放棄了小型化，轉(zhuǎn)而轉(zhuǎn)向存儲單元的三維堆疊，以提高每芯片面積的位密度。它被稱為“ 3D（三維）NAND ” 。
2023-12-02 16:38:402967 
中得到了廣泛的應(yīng)用。隨著3D封裝技術(shù)的發(fā)展，凸點(diǎn)鍵合技術(shù)也被應(yīng)用于芯片-芯片、芯片-圓片鍵合及封裝體的3D疊層封裝。
2023-12-05 09:40:003259 
隨著I/O數(shù)量的增加，對具有更高性能的微小電子設(shè)備的高需求使得集成電路 (IC) 更加復(fù)雜，封裝技術(shù)也更迎來變革。隨著元件尺寸的減小，IC芯片與焊盤或印刷電路板的互連結(jié)構(gòu)需要用到焊料凸點(diǎn)陣列，從而
2024-01-22 10:04:371063 
三星將在IEEE國際固態(tài)電路研討會上展示其GDDR7產(chǎn)品以及280層堆疊的3D QLC NAND技術(shù)。
2024-02-01 10:35:311299 日月光半導(dǎo)體宣布VIPack? 平臺先進(jìn)互連技術(shù)最新進(jìn)展，透過微凸塊(microbump)技術(shù)將芯片與晶圓互連間距制程能力從 40um提升到 20um，可以滿足人工智能 (AI)應(yīng)用于多樣化小芯片(chiplet)整合日益增長的需求。
2024-03-22 14:15:081191 上的先進(jìn)封裝技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。微凸點(diǎn)作為實現(xiàn)芯片到圓片異構(gòu)集成的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)，可有效縮短信號傳輸距離，提升芯片性能。利用電沉積法在 Si基板上以 Cu作支撐層、Ni作阻擋層淀積微米級別的 Au/Sn凸點(diǎn)，所制得的多層凸點(diǎn)直徑約 60 μm、高度約 54 μm，其高
2024-03-23 08:42:101560 
先進(jìn)封裝技術(shù)持續(xù)朝著連接密集化、堆疊多樣化和功能系統(tǒng)化的方向發(fā)展，探索了扇出型封裝、2.5D/3D、系統(tǒng)級封 裝等多種封裝工藝。晶圓微凸點(diǎn)技術(shù)已被廣泛應(yīng)用于各種先進(jìn)封裝工藝技術(shù)中，是最重要的基礎(chǔ)技術(shù)
2024-10-16 11:41:372939 
市場對于產(chǎn)品小型化需求增長，讓SiP（系統(tǒng)級封裝）和 PoP（疊成封裝）奠定了先進(jìn)封裝的初始階段。此后，倒裝芯片（Flip-Chip）、晶圓級封裝（WLP）和3D IC封裝技術(shù)出現(xiàn)， 不斷縮短芯片之間的互連距離。近年來，先進(jìn)封裝的發(fā)展非常快，臺積電
2024-11-21 10:14:404681 
引言 Cu-Cu混合鍵合(Cu-Cu Hybrid Bonding) 技術(shù)正在成為先進(jìn)3D集成的重要技術(shù)，可實現(xiàn)細(xì)間距互連和高密度芯片堆疊。本文概述了Cu-Cu混合鍵合的原理、工藝、主要挑戰(zhàn)和主要
2024-11-24 12:47:063760 
隨著集成電路技術(shù)的飛速發(fā)展，芯片封裝技術(shù)也在不斷進(jìn)步，以適應(yīng)日益增長的微型化、多功能化和高集成化的需求。其中，球柵陣列封裝（BGA）作為一種先進(jìn)的封裝技術(shù)，憑借其硅片利用率高、互連路徑短、信號傳輸
2024-11-28 13:11:043498 
晶圓微凸點(diǎn)封裝，更常見的表述是晶圓微凸點(diǎn)技術(shù)或晶圓級凸點(diǎn)技術(shù)（Wafer Bumping），是一種先進(jìn)的半導(dǎo)體封裝技術(shù)。以下是對晶圓微凸點(diǎn)封裝的詳細(xì)解釋：
2024-12-11 13:21:231416 在半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展歷程中，芯片封裝技術(shù)始終扮演著至關(guān)重要的角色。隨著集成電路設(shè)計復(fù)雜度的不斷提升和終端應(yīng)用對性能、功耗、尺寸等多方面要求的日益嚴(yán)苛，傳統(tǒng)的2D封裝技術(shù)已經(jīng)難以滿足市場的需求。在此背景下，芯片3D堆疊封裝技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，成為半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展的新里程碑。
2025-02-11 10:53:452820 
隨著電子設(shè)備向小型化、高性能化發(fā)展，芯片封裝技術(shù)也在不斷演進(jìn)。高密度芯片封裝是滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品需求的關(guān)鍵技術(shù)之一，而芯片互連技術(shù)作為封裝的核心環(huán)節(jié)，經(jīng)歷了從焊球到銅柱再到微凸點(diǎn)的技術(shù)革新。本文將從
2025-02-20 10:06:003303 
在摩爾定律逼近物理極限的當(dāng)下，先進(jìn)封裝技術(shù)正成為半導(dǎo)體行業(yè)突破性能瓶頸的關(guān)鍵路徑。以系統(tǒng)級封裝（SiP）、晶圓級封裝（WLP）、3D堆疊、Chiplet異構(gòu)集成為代表的顛覆性方案，正重新定義芯片性能
2025-04-10 14:36:311189 
隨著臺積電在 2011年推出第一版 2.5D 封裝平臺 CoWoS、海力士在 2014 年與 AMD 聯(lián)合發(fā)布了首個使用 3D 堆疊的高帶寬存儲(HBM)芯片，先進(jìn)封裝技術(shù)帶來的片上互連拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的改變和帶來的集成能力的提升，成為當(dāng)前片上互連技術(shù)發(fā)展的主要驅(qū)動因素。
2025-05-22 10:17:51975 
先進(jìn)封裝中，凸點(diǎn)作為芯片互連的 “微型橋梁”，材料選擇需匹配場景：錫基焊料（SAC系列、SnBi）性價比高，適用于消費(fèi)電子；銅基凸點(diǎn)適合高頻場景；金錫合金、金屬間化合物則用于特殊領(lǐng)域。其性能需滿足低
2025-07-05 10:43:031652 
凸點(diǎn)（Bump）是倒裝芯片的“神經(jīng)末梢”，其從金凸點(diǎn)到Cu-Cu鍵合的演變，推動了芯片從平面互連向3D集成的跨越。未來，隨著間距縮小至亞微米級、材料與工藝的深度創(chuàng)新，凸點(diǎn)將成為支撐異構(gòu)集成、高帶寬芯片的核心技術(shù)，在AI、5G、汽車電子等領(lǐng)域發(fā)揮關(guān)鍵作用。
2025-08-12 09:17:553767 
、3D及5.5D的先進(jìn)封裝技術(shù)組合與強(qiáng)大的SoC設(shè)計能力，Socionext將提供高性能、高品質(zhì)的解決方案，助力客戶實現(xiàn)創(chuàng)新并推動其業(yè)務(wù)增長。
2025-09-24 11:09:542350 
3D封裝架構(gòu)主要分為芯片對芯片集成、封裝對封裝集成和異構(gòu)集成三大類，分別采用TSV、TCB和混合鍵合等先進(jìn)工藝實現(xiàn)高密度互連。
2025-10-16 16:23:321553 
在晶圓級封裝（WLP）中，Bump 凸點(diǎn)是芯片與基板互連的關(guān)鍵，主流實現(xiàn)方式有電鍍法、焊料印刷法、蒸發(fā) / 濺射法、球放置法四類，差異顯著。選型需結(jié)合凸點(diǎn)密度、成本預(yù)算與應(yīng)用特性，平衡性能與經(jīng)濟(jì)性。
2025-10-23 14:49:141709 
？在芯片成品制造的環(huán)節(jié)中，堆疊封裝（StackedPackaging）是一種將多個芯片垂直堆疊在一起，通過微型互連方式（如TSV硅通孔、RDL重布線層、微凸點(diǎn)等）
2025-10-27 16:40:34428 
堅固的 IP67 防護(hù)等級，即便在強(qiáng)光直射下也能提供穩(wěn)定的深度信息。無論是用于精細(xì)結(jié)構(gòu)掃描，還是高性價比的 3D 采集，對于既需要高細(xì)節(jié)度又要求可靠深度數(shù)據(jù)的應(yīng)用而言，Nion 都是理想之選。 二
2025-12-15 14:59:41171 
燒結(jié)銀：3D封裝中高功率密度和高密度互連的核心材料
2025-12-29 11:16:01119
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