在最近舉辦的GSA存儲大會上，芯片制造業的四大聯盟組織-IMEC, ITRI, Sematech以及SEMI都展示了他們各自在基于TSV的3D芯片技術方面的最新進展
2011-04-14 18:38:31
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據IC Insights發布的最新2020 McClean報告顯示，半導體行業研發的投入將在2024年出現明顯成效包括轉向EUV光刻，低于3納米制程技術，3D芯片堆疊技術和先進封裝在內的技術挑戰有望
2020-01-31 09:20:347042 3D堆疊、多芯片封裝大家想必都不陌生了，這年頭制造工藝已經沒有太多噱頭，有時甚至性能提升也有限，廠商只好從架構上入手。像蘋果的Ultra?Fusion拼接、Graphcore的3D WoW，都是在
2022-04-13 01:06:007527 視為堆疊邏輯與內存、3D NAND，甚至可能在高帶寬存儲(HBM)中的多層DRAM堆疊的關鍵技術。垂直堆疊使得芯片制造商能夠將互連間距從35μm的銅微凸點提升到10μm甚至更小。
2025-05-22 11:24:181405 
20nm硅片技術可支持高密度設計和高功效系統的同時實現。它可以在單片管芯以及多芯片3D硅片器件中集成規模更大、更復雜的硅片功能。 多種系統功能，一種架構 您經過優化的數字系
2012-09-07 10:43:09730 電子發燒友網訊【編譯/Triquinne】 ：賽靈思公司（Xilinx）今天發布公告，宣布其20nm產品系列發展戰略，包括下一代8系列All Programmable FPGA以及第二代3D IC和SoC。20nm產品系列建立在業經驗證
2012-11-14 15:32:291450 20nm能讓我們超越什么？對于像賽靈思（Xilinx）這樣剛剛在28nm上花了巨資量產的公司，為什么又要去追20nm呢？20nm FPGA會帶給我們什么樣的科技進步？20nm FPGA背后到底蘊藏了哪些巨大能量？
2013-01-22 08:36:341820 臺積電（TSMC）的高管對即將來臨的20nm芯片生產與銷售信心滿滿，臺積電CEO張忠謀上周就曾做過一個預測，他說最新的20nm工藝芯片2014年的成績會比先前28nm芯片頭兩年賣得還要好。
2013-01-23 08:57:451495 臺積電的20nm芯片生產設施或將與本月20日開始安裝,有可能在今年第2季度末期拿出20nm SoC產品樣品,正常情況下將在2014年進入量產。
2013-04-07 09:41:261214 Altera公司今天宣布，公司展出了業界首款具有32-Gbps收發器功能的可編程器件，在收發器技術上樹立了另一關鍵里程碑。此次展示使用了基于TSMC 20SoC工藝技術的20 nm器件，該成果證實了20nm硅片的性能。
2013-04-09 10:38:432988 截至2013年會計年度，賽靈思不僅囊括七成28納米FPGA的Design Win，整體市占率也沖破50.9%。Robert表示，賽靈思表現亮眼的關鍵因素在于制程往往領先對手一個世代，今年在搶先跨入20納米、3D IC制程的優勢帶動下，領導地位將更趨穩固。
2013-05-29 10:11:351324 Mentor CEO認為：進入20nm、14/16nm及10nm工藝時代后，摩爾定律可能會失效，每個晶體管成本每年的下降速度不到30%，這導致企業面臨的成本挑戰會更加嚴峻。
2013-09-20 10:06:002125 All Programmable FPGA、SoC和3D IC的全球領先企業賽靈思公司 （Xilinx， Inc. （NASDAQ:XLNX） ）今天宣布推出其20nm All Programmable UltraScale?產品系列，并提供相關產品技術文檔和Vivado?設計套件支持。
2013-12-10 22:50:331372 有消息稱，這款蘋果A8芯片將會采用臺積電的20nm制程工藝。出于貨源穩定性的考慮，不會采用年底更為超前的16nm。盡管16nm的芯片會在明年正式量產，但是產能和技術上仍不慎穩定。
2013-12-16 08:56:432381 蘋果A7處理器推出后，高通也迅速推出了64位移動處理器驍龍410，由于該處理器定位中低端，因此，它的風頭反被NVIDIA推出的Tegra K1所搶去。對此，外媒傳來消息稱，高通將在2014年下半年推出高端產品驍龍810，其將采用20nm工藝制造，GPU也升級為Adreno 430。
2014-01-23 09:35:183038 據報道AMD明年代號“北極群島”的GPU家族將完全跳過有問題的20nm工藝節點，北極群島系列GPU將直接采用14nm FinFE工藝生產，希望實現更高的效率。
2015-04-24 11:15:501352 在歷經16nm/14nm閘極成本持續增加后，可望在10nm時降低。雖然IBS并未預期工藝技術停止微縮，但預計試錯成本（cost penalty）將出現在采用20nm bulk CMOS HKMG和16/14nm FinFET之際。
2015-06-23 10:39:271563 半導體協會理事長盧超群指出，未來半導體將要做3D垂直堆疊，全球半導體產業未來會朝向類摩爾定律成長。
2016-06-10 00:14:002696 著稱，三星為了趕超臺積電選擇直接跳過20nm工藝而直接開發14nmFinFET工藝，臺積電雖然首先開發出16nm工藝不過由于能效不佳甚至不如20nm工藝只好進行改進引入FinFET工藝，就此三星成功實現了領先。
2017-03-02 01:04:492107 先進封裝從MCM發展到2.5D/3D堆疊封裝，目前發展最快的制造商是TSMC。TSMC從Foundry端延伸入2.5D/3D先進封裝，稱為3D Fabric。近十年來TSMC的2.5D先進封裝技術
2022-10-26 10:21:375940 3D堆疊像素探測器芯片技術詳解
2024-11-01 11:08:074435 
3D堆疊將不斷發展，以實現更復雜和集成的設備——從平面到立方體
2024-09-19 18:27:412348 
3D閃存有著更大容量、更低成本和更高性能的優勢，本文介紹了3D閃存的制造工藝與挑戰。
2025-04-08 14:38:392048 
此前曾經報道ARM的下一代架構Cortex A15將提供雙倍于Cortex A9的性能，產品采用TSMC的28nm工藝，不過就在今天ARM和TSMC聯合宣布已經成功流片20nm ARM Cortex-A15 MPCore芯片。
2011-10-19 09:10:401873 什么是3D圖形芯片？3D圖像生成算法的原理是什么？
2021-06-04 06:29:06
快速制造優勢。采用3D打印技術制造的原型產品大大縮短了研發和實驗時間，加快了企業研發生產進度，同時還避免了許多創意想法受限于傳統制造工藝無法實現的窘境。在這方面，研發了中國首臺自產噴頭砂型3D打印機風暴
2018-08-11 11:25:58
浩辰3D作為由浩辰CAD公司研發的高端3D設計軟件，能夠提供更完備的2D+3D一體化解決方案，基于人們的實際應用需求，幫助設計師更智能高效地進行創新設計，以高精確、強交互的設計數據來銜接工藝制造等
2021-06-04 14:11:29
10nm、7nm等到底是指什么？芯片工藝從目前的7nm升級到3nm后，到底有多大提升呢？
2021-06-18 06:43:04
正在從二維走向三維世界——芯片設計、芯片封裝等環節都在向3D結構靠攏。晶體管架構發生了改變當先進工藝從28nm向22nm發展的過程中，晶體管的結構發生了變化——傳統的平面型晶體管技術（包括體硅技術
2020-03-19 14:04:57
功耗。 o 新一代布線技術支持快速時序收斂。 o 增強型邏輯基礎架構最大化性能和器件的利用率。 其他系列特有的功能包括： o 多達440萬個邏輯單元、采用20nm工藝以及第二代3D IC技術
2013-12-17 11:18:00
。
叉行片：連接并集成兩個晶體管NFET和PFET，它們之間同時被放置一層不到10nm的絕緣膜，放置缺陷的發生。
CFET：屬于下一代晶體管結構，采用3D堆疊式GAAFET，面積可縮小至原來的50
2025-09-15 14:50:58
三星電子近日在國際學會“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開發發表了演講。演講中稱，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達到10nm工藝”。 國際電子器件
2015-12-14 13:45:01
：“BeSang創立于三年前，是家專門做3D IC技術的公司， BeSang即將實現單芯片3D IC工藝的商業化應用。通過在邏輯器件頂部使用低溫工藝和縱向存儲設備，每個晶圓可以制造更多的裸片，這就是裸片
2008-08-18 16:37:37
如何使用新款TI DLP Pico芯片組實現高精度臺式3D打印和便攜式3D掃描？
2021-06-02 06:34:48
達到300億美元的規模，2014年更可望成長10%-20%。對此，趙甘鳴預測，2014年將是晶圓代工產業20納米技術與3D NAND起飛量產的一年，3D存儲器的發展將導致芯片代工企業的主要支出由光刻向
2014-07-12 17:17:04
像我們看到的Xilinx 28nm Virtex 7 28mm或者20nm 的UltraScale啊。nm在FPGA里面具體指什么呢
2018-10-08 17:18:18
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:10 編輯
高清圖詳解英特爾最新22nm 3D晶體管
2012-08-05 21:48:28
臺積電又跳過22nm工藝 改而直上20nm
為了在競爭激烈的半導體代工行業中提供最先進的制造技術，臺積電已經決定跳過22nm工藝的研
2010-04-15 09:52:161210 單片型3D技術實現的關鍵在于如何將各層功能單元轉換到單片3D堆疊結構之中去，其采用的方法非常類似于Soitec在制作SOI晶圓時所采用的SMARTCUT技術
2011-05-04 11:27:212198 
據臺灣對外貿易發展協會(TAITRA)透露，芯片代工巨頭臺積電（TSMC）有望超過intel，在2011年底推出業內首款采用3-D芯片堆疊技術的半導體芯片產品。
2011-07-07 09:19:071168 GlobalFoundries日前試產了20nm測試芯片，該芯片采用Cadence，Magma，Mentor Graphics和Synopsys的設計工具。此次試制的測試芯片使用了雙重圖形(Double Patterning)，每家EDA合作伙伴都提供了大量的布局
2011-09-01 09:53:111660 Sondrel公司近日將在IIC-China 2012現場展示20nm的模擬和數碼設計技術。Sondrel在歐洲不同國家，以及以色列和中國有強大的設計服務團隊，包括前端，驗證，DFT等全套設計服務。
2012-02-23 09:49:461301 GlobalFoundries 已開始在紐約的 Fab 8 廠房中安裝硅穿孔（TSV）設備。如果一切順利，該公司希望在2013下半年開始採用 20nm 及 28nm 製程技術製造3D堆疊晶片。
2012-05-01 10:13:121435 據報道，2012年臺積電準備為其R&D投入13億美元，作為本年度資本支出預算中的一部分。去年，臺積電的R&D預算首次突破10億美元。而今年多出的30%將會用于20nm和14nm工藝研發。20nm工藝預計
2012-05-15 10:18:21942 3D已經成為半導體微細加工技術到達物理極限之后的必然趨勢，目前正處于3D工藝的探索期。在這一過程中，以及今后在實現3D工藝的發展趨勢中，半導體產業發展模式到底如何演義，會
2012-05-15 10:43:251295 據臺灣媒體報道，臺積電（TSMC）預計會在下月試產20nm芯片制程，即將成為全球首家進入20nm技術的半導體公司。若該芯片試產成功，將超越英特爾（Intel）的22nm制程，拉開與三星電子（
2012-07-18 09:44:331159 本文通過高清圖詳解Intel最新22nm 3D 晶體管 。業界一直傳說3D三柵級晶體管技術將會用于下下代14nm的半導體制造，沒想到英特爾竟提前將之用于22nm工藝，并且于上周四向全世界表示將在
2012-08-03 17:09:18
0 8月14日消息，ARM和芯片工廠Globalfoundries日前宣布，雙方將聯手研發20nm工藝節點和FinFET技術。 ARM之前和臺積電進行了緊密合作，在最近發布了若干使用臺積電28nm工藝節點制作的硬宏處理
2012-08-14 08:48:11877 Altera公司昨日公開了在其下一代20nm產品中規劃的幾項關鍵創新技術。延續在硅片融合上的承諾，Altera向客戶提供終極系統集成平臺，以結合FPGA的硬件可編程功能、數字信號處理器和微
2012-09-07 09:25:04881 每一代硅片新技術既帶來了新機遇，也意味著挑戰，因此，當我們設計系統時，需要重新審視最初所作出的成本和功耗決定。20 nm以及今后的硅片技術亦是如此。 Altera在 20nm 制造節點的
2012-09-07 09:41:08703 Mentor Graphics公司日前宣布Calibre LFD（光刻友好設計）光刻檢查工具已獲得TSMC的20nm IC制造工藝認證。 Calibre LFD可對熱點進行識別，還可對設計工藝空間是否充足進行檢查。光學臨近校正法
2012-09-29 10:30:462224 電子發燒友網核心提示 :Mentor Graphics公司日前宣布Calibre LFD（光刻友好設計）光刻檢查工具已獲得TSMC的20nm IC制造工藝認證。 Calibre LFD可對熱點進行識別，還可對設計工藝空間是否充足進
2012-10-08 16:00:141264 近期，Altera發布其下一代20nm產品中規劃的幾項關鍵創新技術，延續在硅片融合上的承諾，克服了20nm設計五大挑戰，實現了系統集成、串行帶寬、DSP性能三大突破。
2012-10-16 11:29:101517 電子發燒友網核心提示： 本文就可編程邏輯廠商阿爾特拉（Altera）公司首次公開的20nm創新技術展開調查以及深入的分析；深入闡述了FPGA邁向20nm工藝，Altera憑借其異構3D IC、高速收發器
2012-11-01 13:48:582580 電子發燒友網訊：關于摩爾定律的經濟活力問題，有很多的討論。在過去的一年中，20nm節點進入到這個辯論的前沿和中心。無論說辭如何，包括賽靈思在內的行業領導在20nm研發上的積極
2012-11-14 11:19:521661 Xilinx公布其在20nm產品的表現上還將保持領先一代的優勢，究竟在20 nm制程上，Xilinx的產品有哪些演進使其保持領先競爭對手一代的優勢？詳見本文
2013-01-10 09:33:431314 臺灣半導體制造公司(TSMC)將為蘋果提供AP/ GPU集成的解決方案，并且采用20nm Soc片上系統工藝為蘋果代工。
2013-01-17 20:58:171766 本月25日，2013年3D打印技術產業化論壇將于東莞南城天安數碼城舉行，屆時，全球頂尖3D打印機制造商美國Stratasys公司將展出當今世界最尖端的3D打印機及相關設備。
2013-04-22 11:37:111488 Programmable器件;發布行業第一個ASIC級可編程架構UltraScale?。這些具有里程碑意義的行業第一發布，延續了賽靈思在28nm領域投片首款器件以及在All Programmable SoC、All Programmable 3D IC和SoC增強型設計套件上所實現的一系列行業第一的優勢。
2013-07-09 20:01:504286 基于Wide I/O接口的3D堆疊，在邏輯搭載存儲器設計上進行了驗證 ，可實現多塊模的整合。它將臺積電的3D堆疊技術和Cadence?3D-IC解決方案相結合，包括了集成的設計工具、靈活的實現平臺，以及最終的時序物理簽收和電流/熱分析。
2013-09-26 09:49:201717 017年20nm、16nm及以下的先進工藝將成為主流，這對我們設計業、制造業是一個很大的啟示：我們怎么樣適應全球先進工藝。
2013-12-16 09:40:212411 在絕大部分使用電池供電和插座供電的系統中，功耗成為需要考慮的第一設計要素。Xilinx決定使用20nm工藝的UltraScale器件來直面功耗設計的挑戰，本文描述了在未來的系統設計中，使用Xilinx 20nm工藝的UltraScale FPGA來降低功耗的19種途徑。
2018-07-14 07:21:006608 intel的22nm 3D工藝牛，到底牛到什么程度，到底對業界有神馬影響，俺也搞不太清楚。這不，一封email全搞定了。
2017-02-11 10:47:111694 20nm會延續摩爾定律在集成上發展趨勢，但是要付出成本代價。2.5D封裝技術的發展，進一步提高了集成度，但是也增大了成本，部分解決了DRAM總線電源和帶寬問題，在一個封裝中集成了種類更多的IC。隨著系統性能的提高，這一節點也增加了體系結構的復雜度。目前為止，它也是功耗管理最復雜的節點。
2017-09-15 09:54:3010 在28nm技術突破的基礎上，賽靈思又宣布推出基于20nm節點的兩款業界首創產品。賽靈思是首家推出20nm商用芯片產品的公司。此外，該新型器件也是賽靈思將向市場推出的首款采用UltraScale技術
2018-01-12 05:49:451061 層數的增加也就意味著對工藝、材料的要求會提高，要想達到140層堆疊就必須使用新的基礎材料。而且在堆疊層數增加的時候，存儲堆棧的高度也在增大，然而每層的厚度卻在縮小，以前的32/36層3D NAND
2018-05-28 16:25:4851340 而且在堆疊層數增加的時候，存儲堆棧的高度也在增大，然而每層的厚度卻在縮小，以前的32/36層3D NAND的堆棧厚度為2.5μm，層厚度大約70nm，48層的閃存堆棧厚度為3.5μm，層厚度減少到
2018-06-03 09:50:556262 三維單片堆疊基本上是多芯片堆疊，先將需要高溫工藝的芯片做好，然后將其它已半制造好的芯片以離子切割(ion cut，基本上是氫離子)方式打薄，粘著于原來的芯片之上，繼續后面的低溫工藝。由于芯片內各模塊
2018-08-17 14:54:444930 在近日舉行的英特爾“架構日”活動中，英特爾不僅展示了基于10納米的PC、數據中心和網絡系統，支持人工智能和加密加速功能的下一代“Sunny Cove”架構，還推出了業界首創的3D邏輯芯片封裝技術——Foveros。這一全新的3D封裝技術首次引入了3D堆疊的優勢，可實現在邏輯芯片上堆疊邏輯芯片。
2018-12-14 16:03:409951 在近日舉行的英特爾“架構日”活動中，英特爾不僅展示了基于10納米的PC、數據中心和網絡系統，支持人工智能和加密加速功能的下一代“Sunny Cove”架構，還推出了業界首創的3D邏輯芯片封裝技術——Foveros。這一全新的3D封裝技術首次引入了3D堆疊的優勢，可實現在邏輯芯片上堆疊邏輯芯片。
2018-12-14 15:35:328854 英特爾近日向業界推出了首款3D邏輯芯片封裝技術“Foveros”，據悉這是在原來的3D封裝技術第一次利用3D堆疊的優點在邏輯芯片上進行邏輯芯片堆疊。也是繼多芯片互連橋接2D封裝技術之后的又一個顛覆技術。
2018-12-14 16:16:453316 近日，武漢新芯研發成功的三片晶圓堆疊技術備受關注。有人說，該技術在國際上都處于先進水平，還有人說能夠“延續”摩爾定律。既然3D芯片堆疊技術有如此大的作用，那今天芯師爺就跟大家一起揭開它的面紗。
2018-12-31 09:14:0034067 關鍵詞：UltraScale+ , MPSoC , 3D IC 引言 在賽靈思 20nm UltraScale MT 系列成功基礎上，賽靈思現又推出了全新的 16nm UltraScale+ 系列
2018-12-28 00:02:021503 對于目前的高端市場，市場上最流行的2.5D和3D集成技術為3D堆疊存儲TSV，以及異構堆疊TSV中介層。Chip-on-Wafer-on-Substrate（CoWos）技術已經廣泛用于高性能計算
2019-02-15 10:42:198043 
“臺積公司是我們在 28nm、20nm 和 16nm 實現‘三連冠（3 Peat）’成功的堅實基礎。其出色的工藝技術、3D 堆疊技術和代工廠服務，讓賽靈思在出色的產品、優異的品質、強大的執行力以及領先的市場地位上享有了無與倫比的聲譽。
2019-08-01 09:24:522912 對于3D封裝技術，英特爾去年宣布了其對3D芯片堆疊的研究，AMD也談到了在其芯片上疊加3D DRAM和SRAM的方案。
2019-08-13 10:27:533414 年初，Intel推出了全新的Foveros 3D立體芯片封裝技術，首款產品為Lakefield，基于英特爾最新的10nm工藝制造，集成了一個大核心CPU和四個小核心CPU，其中大核心
2019-09-03 11:23:004487 困于10nm的Intel也在這方面尋找新的機會，其在去年年底的“架構日”活動中，推出其業界首創的3D邏輯芯片封裝技術——Foveros，Foveros首次引入3D堆疊的優勢，可實現在邏輯芯片上堆疊
2020-01-28 16:10:004118 賽靈思UltraScale架構：行業第一個ASIC級可編程架構，可從20nm平面晶體管結構 （planar）工藝向16nm乃至FinFET晶體管技術擴展，從單芯片（monolithic）到3D IC擴展。
2019-12-18 15:30:231310 SIP有多種定義和解釋,其中一說是多芯片堆疊的3D封裝內系統集成,在芯片的正方向堆疊2片以上互連的裸芯片的封裝。SIP是強調封裝內包含了某種系統的功能封裝，3D封裝僅強調在芯片方向上的多芯片堆疊
2020-05-28 14:51:447076 他們未來的3nm工廠，預計2022年下半年臺積電3nm工藝就會投產。 當然隨著半導體工藝的逐漸發展，工藝的升級也逐漸困難，所需的投入也越來越大，報團合作也越來越多，臺積電拉了Google和AMD過來合作。 臺積電正在和Google合作，以推動3D芯片制
2020-11-30 15:50:101146 在Intel、臺積電各自推出自家的3D芯片封裝技術之后，三星也宣布新一代3D芯片技術——X-Cube，基于TSV硅穿孔技術，可以將不同芯片搭積木一樣堆疊起來，目前已經可以用于7nm及5nm工藝。
2020-10-10 15:22:582004 根據報道，華為將在國內建設一家45nm制程工藝起步的芯片工廠，計劃在2021年底為物聯網設備制造28nm的芯片，并在2022年底之前為5G設備供應20nm的芯片。
2020-11-02 17:41:303542 Integrity 3D-IC 是 Cadence 新一代多芯片設計解決方案，它將硅和封裝的規劃和實現，與系統分析和簽核結合起來，以實現系統級驅動的 PPA 優化。 原生 3D 分區流程可自動智能
2021-11-19 11:02:244231 三星3nm芯片量產 2nm芯片還遠嗎 全球第一款正式量產的3nm芯片即將出自三星半導體了，根據三星半導體官方的宣布，4D（GAA）架構制程技術芯片正式開始生產。 4D（GAA）架構制程是3D
2022-06-30 20:21:522069 目前有多種基于 3D 堆疊方法, 主要包括: 芯片與芯片的堆疊( D2D) 、芯片與圓片的堆疊( D2W ) 以及圓片與圓片的堆疊( W2W) 。
2022-11-01 09:52:512488 在20nm 工藝節點之后，傳統的平面浮柵 NAND 閃速存儲器因受到鄰近浮柵 -浮柵的耦合電容干擾而達到了微縮的極限。為了實現更高的存儲容量，NAND集成工藝開始向三維堆疊方向發展。在三維NAND
2023-02-03 09:16:5717470 當裸片尺寸無法繼續擴大時，開發者開始考慮投入對 3D 堆疊裸片方法的研究。考慮用于 3D 封裝的高端器件已經將當前的可測試性設計 (DFT) 解決方案推向了極限。
2023-02-28 11:39:262362 UltraScale是基于20nm工藝制程的FPGA，而UltraScale+則是基于16nm工藝制程的FPGA。
2023-03-09 14:12:548669 我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:394222 3D NAND閃存是一種把內存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術。這種技術垂直堆疊了多層數據存儲單元，具備卓越的精度，可支持在更小的空間內，容納更高的存儲容量，從而有效節約成本、降低能耗，以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:563209 
有許多外行人認為3D打印就是從熱噴嘴中擠出材料并堆疊成形狀，但其實3D打印遠不止于此！今天南極熊將介紹七大類3D打印工藝，即使是3D打印小白也能清晰地區分不同的3D打印工藝。 事實上，3D 打印也
2023-06-29 15:36:274381 隨著摩爾定律接近物理界限，在3納米以下的先進工藝中，能夠負擔較高費用的顧客受到限制，晶片sip和邏輯芯片的3D堆疊概念正在成為重要的新一代趨勢。
2023-09-11 11:09:582010 Cadence員工MohamedNaeim博士曾在CadenceLIVE歐洲用戶大會上做過一場題為《2D/3D熱分析和三裸片堆疊設計實現》的演講，本文將詳細講述該演講內容。實驗：兩個裸片是否優于一個
2023-09-16 08:28:052057 
長期以來，個人計算機都可以選擇增加內存，以便提高處理超大應用和大數據量工作的速度。由于3D芯片堆疊的出現，CPU芯粒也有了這個選擇，但如果你想打造一臺更具魅力的計算機，那么訂購一款有超大緩存的處理器可能是正確的選擇。
2023-10-15 10:24:232733 
當芯片變身 3D 系統，3D 異構集成面臨哪些挑戰
2023-11-24 17:51:071969 
在3D實現方面，存儲器比邏輯更早進入實用階段。NAND閃存率先邁向3D 。隨著目前量產的20-15nm工藝，所有公司都放棄了小型化，轉而轉向存儲單元的三維堆疊，以提高每芯片面積的位密度。它被稱為“ 3D（三維）NAND ” 。
2023-12-02 16:38:402967 
在半導體行業的快速發展歷程中，芯片封裝技術始終扮演著至關重要的角色。隨著集成電路設計復雜度的不斷提升和終端應用對性能、功耗、尺寸等多方面要求的日益嚴苛，傳統的2D封裝技術已經難以滿足市場的需求。在此背景下，芯片3D堆疊封裝技術應運而生，成為半導體技術發展的新里程碑。
2025-02-11 10:53:452819 
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