測試堆疊硅互連技術的車輛演示

被稱之為“堆疊硅片互聯技術”的3D封裝方法采用無源芯片中介層、微凸塊和硅通孔 （TSV）技術，實現了多芯片可編程平臺。對于那些需要高密度晶體管和邏輯、以及需要極大的處理能力和帶寬性能的市場應用而言，這些28nm平臺和單芯片方法相比，將提供更大的容量，更豐富的資源，并顯著降低功耗。