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電子發燒友網>制造/封裝>今日看點丨三星研發出16層堆疊HBM3芯片樣品;Meta推出新款AI芯片

今日看點丨三星研發出16層堆疊HBM3芯片樣品;Meta推出新款AI芯片

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Meta擬將自研AI芯片交由三星代工

Meta正在積極拓展其AI技術領域,尋求與新的芯片代工伙伴合作。據外媒報道,Meta CEO扎克伯格在近期訪問韓國期間,與三星高層深入探討了AI芯片代工合作的可能性。此舉被看作是Meta為減少對臺積電依賴,進一步推動自研AI芯片發展的重要一步。
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三星效仿SK海力士,采用競爭對手主導的芯片封裝工藝

就此,知情人士指出,三星此舉體現出該公司提升HBM良率的決心。對此,一家行業分析機構表示,考慮到AI行業對HBM3HBM3E芯片需求日益增長,三星有必要作出調整。
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三星HBM3芯片生產良率約為10-20%!

3月13日消息,據外媒報道,三星電子將采用競爭對手 SK 海力士主導的 MR-MUF(批量回流模制底部填充)芯片封裝工藝,而非此前堅持使用的非導電薄膜(NCF)技術。
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據業內透露,三星HBM3E芯片研發方面遙遙領先其他公司,有能力在2024年9月實現對英偉達的替代,這意味著它將成為英偉達12HBM3E的壟斷供應商。然而,三星方面不愿透露具體客戶信息。
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韓美半導體新款TC鍵合機助力HBM市場擴張

TC鍵合機作為一種應用熱壓技術將芯片與電路板連接的設備,近年來廣泛應用于HBM3E和HBM3的垂直堆疊工藝中,提升了生產效率和精度。
2024-04-12 09:44:462069

三星聯席CEO在AI合作交流中力推HBM內存

慶桂顯此行主要推廣三星HBM內存,并探索AI合作可能性。然而,由于此前在HBM策略上出現失誤,三星已被競爭對手SK海力士超越;位于第位的美光近年來也在HBM3芯片上取得突破,成功獲得英偉達H200訂單。
2024-04-16 16:46:051044

三星宣布量產第九代V-NAND 1Tb TLC產品,采用290雙重堆疊技術

作為九代V-NAND的核心技術,雙重堆疊技術使旗艦V8閃存的層數從236增至290,主要應用于大型企業服務器及人工智能與云計算領域。據了解,三星計劃于明年推出第十代NAND芯片,采用堆疊技術
2024-04-28 10:08:011536

三星HBM3E芯片驗證仍在進行,英偉達訂單分配備受關注

業內評論指出,三星HBM之所以出現問題,主要原因在于負責英偉達GPU制造的臺積電在驗證過程中采用了SK海力士的標準。由于SK海力士8HBM3E的生產方式與三星有所差異,導致三星產品未能順利通過驗證。
2024-05-16 17:56:201863

三星電子研發163D DRAM芯片及垂直堆疊單元晶體管

在今年的IEEE IMW 2024活動中,三星DRAM業務的資深副總裁Lee指出,已有多家科技巨頭如三星成功制造出163D DRAM,其中美光更是發展至8水平。
2024-05-22 15:02:201616

三星Meta等公司將用高通驍龍XR2+ Gen 3芯片,追趕蘋果

據TechRadar 23日報道,三星Meta已確定應用高通驍龍XR2+Gen3芯片組于各自的XR頭顯設備中,以此試圖超越蘋果Vision Pro頭顯。
2024-05-23 10:30:232447

三星HBM芯片遇阻英偉達測試

近日,三星電子最新的高帶寬內存(HBM芯片在英偉達測試中遭遇挫折。據知情人士透露,芯片因發熱和功耗問題未能達標,影響到了其HBM3及下一代HBM3E芯片
2024-05-24 14:10:011108

三星HBM研發受挫,英偉達測試未達預期,如何滿足AI應用GPU的市場需求?

據DigiTimes報道,三星HBM3E未能通過英偉達測試可能源于臺積電審批環節出現問題。三星與臺積電在晶圓代工領域長期競爭,但在英偉達主導的HBM市場,三星不得不尋求與臺積電合作。臺積電作為英偉達GPU芯片的制造商和封裝商
2024-05-27 16:53:211264

中國AI芯片HBM市場的未來

 然而,全球HBM產能幾乎被SK海力士、三星和美光壟斷,其中SK海力士占據AI GPU市場80%份額,是Nvidia HBM3內存獨家供應商,且已于今年3月啟動HBM3E量產。
2024-05-28 09:40:311726

三星已成功開發163D DRAM芯片

在近日舉行的IEEE IMW 2024活動上,三星DRAM部門的執行副總裁Siwoo Lee宣布了一個重要里程碑:三星已與其他公司合作,成功研發出163D DRAM技術。同時,他透露,競爭對手美光也已將其3D DRAM技術擴展至8
2024-05-29 14:44:071398

三星將于今年內推出3D HBM芯片封裝服務

近日,據韓國媒體報道,全球領先的半導體制造商三星即將在今年推出其高帶寬內存(HBM)的3D封裝服務。這一重大舉措是三星在2024年三星代工論壇上正式宣布的,同時也得到了業內消息人士的證實。
2024-06-19 14:35:501643

三星電子否認HBM3e芯片通過英偉達測試

韓國新聞源NewDaily近日發布了一則報道,聲稱三星電子的HBM3e芯片已成功通過英偉達的產品測試,預示著即將開啟大規模生產并向英偉達供貨的序幕。然而,三星電子方面迅速對此消息進行了否認,表示并未收到官方確認。
2024-07-05 16:09:581392

今日看點蘋果 iPhone 16 Pro / Max 被曝支持 Wi-Fi 7;三星HBM3e先進芯片今年量產

1. 三星HBM3e 先進芯片今年量產,營收貢獻將增長至60% ? 三星電子公司計劃今年開始量產其第五代高帶寬存儲器(HBM芯片HBM3e,并迅速提高其對營收的貢獻。三星電子表示,該公司預計其
2024-08-01 11:08:111375

三星HBM3e芯片量產在即,營收貢獻將飆升

三星電子公司近日宣布了一項重要計劃,即今年將全面啟動其第五代高帶寬存儲器(HBM芯片HBM3e的量產工作,并預期這一先進產品將顯著提升公司的營收貢獻。據三星電子透露,隨著HBM3e芯片的逐步放量
2024-08-02 16:32:371053

三星電子HBM3E芯片測試進展引發市場關注

8月7日,市場上關于三星電子第五代高頻寬記憶體芯片HBM3E已通過英偉達(Nvidia)測試的消息引起了廣泛關注。然而,三星電子對此事態的反應卻顯得較為謹慎。三星電子官方表示:“我們無法證實與我
2024-08-07 15:23:26968

三星否認HBM3E芯片通過英偉達測試

近日,有關三星的8HBM3E芯片已通過英偉達測試的報道引起了廣泛關注。然而,三星電子迅速對此傳聞進行了回應,明確表示該報道并不屬實。
2024-08-08 10:06:021161

三星HBM3E內存挑戰英偉達訂單,SK海力士霸主地位受撼動

進入八月,市場傳言四起,韓國存儲芯片巨頭三星電子(簡稱“三星”)的8HBM3E內存(新一代高帶寬內存產品)已順利通過英偉達嚴格測試。然而,三星迅速澄清,表示這一報道與事實相去甚遠,強調目前質量測試
2024-08-23 15:02:561635

三星攜手臺積電,共同研發無緩沖HBM4 AI芯片技術

據最新報道,三星電子與臺積電攜手共謀AI芯片的未來,雙方正緊密合作開發下一代高帶寬存儲器(HBM4)芯片,旨在鞏固并加強各自在快速增長的人工智能芯片市場中的領先地位。在Semicon Taiwan
2024-09-06 16:42:092602

三星與臺積電合作開發無緩沖HBM4 AI芯片

在科技日新月異的今天,三星電子與臺積電兩大半導體巨頭的強強聯合再次引發業界矚目。據最新報道,雙方正攜手并進,共同開發下一代高帶寬存儲器(HBM4)人工智能(AI芯片,旨在進一步鞏固并提升在快速增長的AI芯片市場的領導地位。
2024-09-09 17:37:511434

三星擴建半導體封裝工廠,專注HBM內存生產

方式獲得三星顯示的一座大樓,并計劃在年內完成該建筑的半導體后端加工設備導入。 此次擴建工廠的背景是,三星正在為微軟和Meta等科技巨頭供應量身定制的HBM4內存。微軟和Meta分別推出了Mia100和Artemis人工智能芯片,對高性能內存有著迫切需求,而三星的定制化HBM4內
2024-11-13 11:36:161756

特斯拉或向SK海力士、三星采購HBM4芯片

近日,SK海力士和三星電子正在為特斯拉公司開發第六代高帶寬內存(HBM4)芯片樣品。據悉,特斯拉計劃在測試這兩家公司提供的樣品后,選擇其中一家作為其HBM4芯片的供應商。 與微軟、谷歌、Meta
2024-11-21 14:22:441524

特斯拉也在搶購HBM 4

在測試兩家公司的樣品后,特斯拉將選擇其中一家作為HBM4供應商。通過使用三星和SK海力士生產的定制HBM4芯片,特斯拉除了減少對Nvidia的AI芯片依賴外,還尋
2024-11-22 01:09:321508

英偉達加速認證三星AI內存芯片

芯片。作為當前市場上最先進的內存技術之一,HBM3E(High Bandwidth Memory 3 Enhanced)以其超高的帶寬和低功耗特性而備受矚目。英偉達正在對三星提供的兩種不同堆疊規格的HBM3E內存進行評估,分別是8堆疊和12堆疊。 這兩種堆疊規格的HBM3E內存各具特色。
2024-11-25 14:34:171028

英偉達加速認證三星新型AI存儲芯片

近日,英偉達首席執行官黃仁勛近日在接受采訪時透露,英偉達正在全力加速對三星最新推出AI存儲芯片——HBM3E的認證進程。這一舉措標志著英偉達在AI存儲技術上的又一次重要布局。 據黃仁勛介紹,英偉達
2024-11-26 10:22:171129

三星電子將供應改良版HBM3E芯片

三星電子在近期舉行的業績電話會議中,透露了其高帶寬內存(HBM)的最新發展動態。據悉,該公司的第五代HBM3E產品已在2024年第季度實現大規模生產和銷售,并在第四季度成功向多家GPU廠商及數據中心供貨。與上一代HBM3相比,HBM3E的銷售額實現了顯著增長。
2025-02-06 17:59:001106

三星與英偉達高層會晤,商討HBM3E供應

其高帶寬存儲器HBM3E產品中的初始缺陷問題,并就三星第五代HBM3E產品向英偉達供應的相關事宜進行了深入討論。 此次高層會晤引發了外界的廣泛關注。據推測,三星8HBM3E產品的質量認證工作已接近尾聲,這標志著三星即將正式邁入英偉達的HBM供應鏈。對于三星而言
2025-02-18 11:00:38979

三星推出抗量子芯片 正在準備發貨

三星半導體部門宣布已成功開發出名為S3SSE2A的抗量子芯片,目前正積極準備樣品發貨。這一創新的芯片專門設計用以保護移動設備中的關鍵數據,用以抵御量子計算可能帶來的安全威脅。 據悉,三星
2025-02-26 15:23:282482

突破堆疊瓶頸:三星電子擬于16HBM導入混合鍵合技術

成為了全球存儲芯片巨頭們角逐的焦點。三星電子作為行業的領軍企業,一直致力于推動 HBM 技術的革新。近日有消息傳出,三星電子準備從 16 HBM 開始引入混合鍵合技術,這一舉措無疑將在存儲芯片領域掀起新的波瀾。 編輯 ? 編輯 ? 技術背景:HBM 發展的必然趨
2025-07-24 17:31:16632

HBM格局生變!傳三星HBM3量產供貨英偉達,國內廠商積極布局

電子發燒友網報道(文/吳子鵬)根據韓媒sedaily 的最新報道,三星華城17號產線已開始量產并向英偉達供應HBM3內存。同時,美光已經為英偉達供應HBM3E。至此,高端HBM內存的供應由SK海力士
2024-07-23 00:04:005533

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