1. 法拉第未來被曝銷量造假,賈躍亭回應:誹謗
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近日市場消息,法拉第未來(Faraday Future)被兩名前員工舉報稱,迄今為止的銷量數據存在造假,而且法拉第未來還存在通過人力資源部門報復舉報人的行為。據披露,目前舉報法拉第未來銷量不實的人員為前銷售和售后總監約瑟·格雷羅(Jose Guerrero)、前市場項目經理維多利亞·謝(Victoria Xie),他們在兩起訴訟中指控法拉第未來、賈躍亭以及人力資源主管楊楠存在非法解雇、違約和精神傷害行為。
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關于銷量造假問題,兩名前員工舉報稱,法拉第未來在車輛未完成銷售即官宣交付,實際上有三輛車未獲全額付款,另有一輛延遲60多天才付款,法拉第未來此舉是為了抬高股價。維多利亞·謝同時稱,她舉報兩天后即遭解雇。針對被舉報一事,賈躍亭回應稱,“我認為該訴狀中存在大量的虛假陳述和誹謗,目的是陰謀報復和敲詐勒索,我將會對這兩人提起反訴!”
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2. 恩智浦發布S32N55處理器,率先實現汽車中央實時控制的超高集成度
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2024年4月10日,恩智浦半導體發布S32N55處理器, S32N系列超高集成度車載處理器家族的首位成員。
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S32N55作為最近發布的S32 CoreRide中央計算解決方案的核心,可提供安全、實時和應用處理的可擴展組合,滿足汽車制造商的多樣化中央計算需求。S32N55處理器在安全、集中、實時汽車控制方面表現出色,實現這種控制需要高性能、確定性計算能力來支持最高級別的功能安全。通過軟件定義的硬件強制隔離,S32N55可以承載數十種具有不同重要性級別的汽車功能,同時避免不同功能間的干擾。
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3. 三星研發出16層堆疊HBM3芯片樣品,采用混合鍵合技術
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三星電子表示,已經研發制造出16層堆疊的高帶寬存儲(HBM)的樣品。三星副總裁Kim Dae-woo表示,三星采用混合鍵合技術制造了該芯片。他表示,雖然16層堆棧HBM距離投入量產還需要一段時間,但證實其運行正常。
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Kim Dae-woo還補充說,該芯片是作為HBM3制造的,但三星計劃在HBM4中使用來提高生產率。消息人士稱,由于對準問題,三星預計只會對一兩個芯片堆疊組使用混合鍵合,但后來將該技術應用于所有堆疊。該樣品是使用三星晶圓廠設備子公司Semes的設備制造的。
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4. Meta推出新款AI芯片 降低對英偉達依賴
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臉書母公司 Meta Platforms (10 日)推出新款自研芯片“Meta 訓練和推論加速器”幫助驅動人工智能 (AI) 服務,在臉書和 IG 上對內容進行排名和推薦,也減少對英偉達和其他外部公司半導體的依賴。Meta 去年曾發表第一代 MTIA 產品。
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值得注意的是,新一代 MTIA 將采用臺積電5 納米制程,效能是上一代芯片的 3 倍。該款芯片已布署在資料中心,替 AI 應用程式提供服務,目前正在進行幾個專案,擴大 MTIA 的范圍,包括支援生成式 AI 運作。
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5. 消息稱 AMD APU 核顯將長期采用 RDNA3+ 架構,預計將持續到 2027 年
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@金豬升級包 表示,由于三星 Exynos 合作的原因,AMD 無法對 APU 的核顯進行重大架構升級,因此只能長期維持在 RDNA3+,預計將至少持續到 2027 年。RDNA 3+ 圖形架構將首先在接下來的 AMD Zen 5 系列“Strix Point”APU 中采用,至少要等到今年年中才能看到。
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實際上,AMD RDNA 3+ 架構已經測試了很長一段時間,之前已經出現在了 Linux 補丁中,ID 屬于“GFX115X”系列,可以理解為 RDNA 3.5。官方稱,該架構將被命名為 RDNA 3+,只是對現有 RDNA 3 系列(應用于 Radeon RX 7000 GPU 和 Ryzen 7040/8040 APU)IP 的優化。
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6. 比亞迪混動 + 華為 HiCar,賽力斯藍電 E5 榮耀版上市:9.98 萬元起
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賽力斯藍電 E5 榮耀版現已上市,官方指導價 9.98 萬元-11.98 萬元,較上一代車型下調 4.01 萬元。該系列車型定位中型大七座插混 SUV,全系標配 100 公里純電續航及 5 項主動安全科技。
性能方面,藍電 E5 榮耀版賽力斯集團 DE-i 超級電驅智能平臺,搭載弗迪動力 1.5L 高效插混專用發動機,功率達到 81kW,電動機最大功率為 130kW,系統綜合功率 211kW,系統綜合扭矩 435N.m,WLTC 綜合百公里饋電油耗 5.4L,0-50km/h加速 2.9 秒。
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今日看點丨三星研發出16層堆疊HBM3芯片樣品;Meta推出新款AI芯片
- Meta(12383)
- AI芯片(36639)
- 三星(33892)
- HBM3(470)
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1945三星電子發布業界最大容量HBM
三星電子近日宣布,公司成功研發并發布了其首款12層堆疊HBM3E DRAM,即HBM3E 12H,該產品在帶寬和容量上均實現了顯著的提升,這也意味著三星已開發出業界迄今為止容量最大的新型高帶寬存儲器(HBM)。
2024-03-08 10:10:51
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1277Meta擬將自研AI芯片交由三星代工
Meta正在積極拓展其AI技術領域,尋求與新的芯片代工伙伴合作。據外媒報道,Meta CEO扎克伯格在近期訪問韓國期間,與三星高層深入探討了AI芯片代工合作的可能性。此舉被看作是Meta為減少對臺積電依賴,進一步推動自研AI芯片發展的重要一步。
2024-03-08 13:55:30
1153
1153三星效仿SK海力士,采用競爭對手主導的芯片封裝工藝
就此,知情人士指出,三星此舉體現出該公司提升HBM良率的決心。對此,一家行業分析機構表示,考慮到AI行業對HBM3及HBM3E芯片需求日益增長,三星有必要作出調整。
2024-03-13 13:35:19
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1094三星的HBM3芯片生產良率約為10-20%!
3月13日消息,據外媒報道,三星電子將采用競爭對手 SK 海力士主導的 MR-MUF(批量回流模制底部填充)芯片封裝工藝,而非此前堅持使用的非導電薄膜(NCF)技術。
2024-03-13 13:46:22
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1416英偉達CEO贊譽三星HBM內存,計劃采購
提及此前有人預測英偉達可能向三星購買HBM3或HBM3E等內存,黃仁勛在會上直接認可三星實力,稱其為“極具價值的公司”。他透露目前已對三星HBM內存進行測試,未來可能增加采購量。
2024-03-20 16:17:24
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1406英偉達尋求從三星采購HBM芯片
英偉達正在尋求與三星建立合作伙伴關系,計劃從后者采購高帶寬存儲(HBM)芯片。HBM作為人工智能(AI)芯片的核心組件,其重要性不言而喻。與此同時,三星正努力追趕業內領頭羊SK海力士,后者已率先實現下一代HBM3E芯片的大規模量產。
2024-03-25 11:42:04
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1287NVIDIA預定購三星獨家供應的大量12層HBM3E內存
據悉,HBM3E 12H內存具備高達1280GB/s的寬帶速率以及36GB的超大存儲容量,較8層堆疊的HBM3 8H,分別提升了50%以上的帶寬及容量。
2024-03-25 15:36:11
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989三星電子HBM存儲技術進展:12層HBM3E芯片,2TB/s帶寬HBM4即將上市
據業內透露,三星在HBM3E芯片研發方面遙遙領先其他公司,有能力在2024年9月實現對英偉達的替代,這意味著它將成為英偉達12層HBM3E的壟斷供應商。然而,三星方面不愿透露具體客戶信息。
2024-03-27 09:30:09
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1912三星電子力推AI存儲芯片和算力芯片競爭力提升
在 AI 存儲芯片方面,慶桂顯示三星組建了以DRAM產品與技術掌門人Hwang Sang-joon為首的HBM內存產能與質素提升團隊,這是今年成立的第二支HBM專業隊伍。全力挽救因誤判市場導致業績下滑的局面。
2024-04-01 10:34:33
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1300韓美半導體新款TC鍵合機助力HBM市場擴張
TC鍵合機作為一種應用熱壓技術將芯片與電路板連接的設備,近年來廣泛應用于HBM3E和HBM3的垂直堆疊工藝中,提升了生產效率和精度。
2024-04-12 09:44:46
2069
2069三星聯席CEO在AI合作交流中力推HBM內存
慶桂顯此行主要推廣三星的HBM內存,并探索AI合作可能性。然而,由于此前在HBM策略上出現失誤,三星已被競爭對手SK海力士超越;位于第三位的美光近年來也在HBM3芯片上取得突破,成功獲得英偉達H200訂單。
2024-04-16 16:46:05
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1044三星宣布量產第九代V-NAND 1Tb TLC產品,采用290層雙重堆疊技術
作為九代V-NAND的核心技術,雙重堆疊技術使旗艦V8閃存的層數從236層增至290層,主要應用于大型企業服務器及人工智能與云計算領域。據了解,三星計劃于明年推出第十代NAND芯片,采用三重堆疊技術
2024-04-28 10:08:01
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1536三星HBM3E芯片驗證仍在進行,英偉達訂單分配備受關注
業內評論指出,三星HBM之所以出現問題,主要原因在于負責英偉達GPU制造的臺積電在驗證過程中采用了SK海力士的標準。由于SK海力士8層HBM3E的生產方式與三星有所差異,導致三星產品未能順利通過驗證。
2024-05-16 17:56:20
1863
1863三星電子研發16層3D DRAM芯片及垂直堆疊單元晶體管
在今年的IEEE IMW 2024活動中,三星DRAM業務的資深副總裁Lee指出,已有多家科技巨頭如三星成功制造出16層3D DRAM,其中美光更是發展至8層水平。
2024-05-22 15:02:20
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1616三星、Meta等公司將用高通驍龍XR2+ Gen 3芯片,追趕蘋果
據TechRadar 23日報道,三星與Meta已確定應用高通驍龍XR2+Gen3芯片組于各自的XR頭顯設備中,以此試圖超越蘋果Vision Pro頭顯。
2024-05-23 10:30:23
2447
2447三星HBM芯片遇阻英偉達測試
近日,三星電子最新的高帶寬內存(HBM)芯片在英偉達測試中遭遇挫折。據知情人士透露,芯片因發熱和功耗問題未能達標,影響到了其HBM3及下一代HBM3E芯片。
2024-05-24 14:10:01
1108
1108三星HBM研發受挫,英偉達測試未達預期,如何滿足AI應用GPU的市場需求?
據DigiTimes報道,三星HBM3E未能通過英偉達測試可能源于臺積電審批環節出現問題。三星與臺積電在晶圓代工領域長期競爭,但在英偉達主導的HBM市場,三星不得不尋求與臺積電合作。臺積電作為英偉達GPU芯片的制造商和封裝商
2024-05-27 16:53:21
1264
1264中國AI芯片和HBM市場的未來
然而,全球HBM產能幾乎被SK海力士、三星和美光壟斷,其中SK海力士占據AI GPU市場80%份額,是Nvidia HBM3內存獨家供應商,且已于今年3月啟動HBM3E量產。
2024-05-28 09:40:31
1726
1726三星已成功開發16層3D DRAM芯片
在近日舉行的IEEE IMW 2024活動上,三星DRAM部門的執行副總裁Siwoo Lee宣布了一個重要里程碑:三星已與其他公司合作,成功研發出16層3D DRAM技術。同時,他透露,競爭對手美光也已將其3D DRAM技術擴展至8層。
2024-05-29 14:44:07
1398
1398三星將于今年內推出3D HBM芯片封裝服務
近日,據韓國媒體報道,全球領先的半導體制造商三星即將在今年推出其高帶寬內存(HBM)的3D封裝服務。這一重大舉措是三星在2024年三星代工論壇上正式宣布的,同時也得到了業內消息人士的證實。
2024-06-19 14:35:50
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1643三星電子否認HBM3e芯片通過英偉達測試
韓國新聞源NewDaily近日發布了一則報道,聲稱三星電子的HBM3e芯片已成功通過英偉達的產品測試,預示著即將開啟大規模生產并向英偉達供貨的序幕。然而,三星電子方面迅速對此消息進行了否認,表示并未收到官方確認。
2024-07-05 16:09:58
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1392今日看點丨蘋果 iPhone 16 Pro / Max 被曝支持 Wi-Fi 7;三星:HBM3e先進芯片今年量產
1. 三星:HBM3e 先進芯片今年量產,營收貢獻將增長至60% ? 三星電子公司計劃今年開始量產其第五代高帶寬存儲器(HBM)芯片HBM3e,并迅速提高其對營收的貢獻。三星電子表示,該公司預計其
2024-08-01 11:08:11
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1375三星HBM3e芯片量產在即,營收貢獻將飆升
三星電子公司近日宣布了一項重要計劃,即今年將全面啟動其第五代高帶寬存儲器(HBM)芯片HBM3e的量產工作,并預期這一先進產品將顯著提升公司的營收貢獻。據三星電子透露,隨著HBM3e芯片的逐步放量
2024-08-02 16:32:37
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1053三星電子HBM3E芯片測試進展引發市場關注
8月7日,市場上關于三星電子第五代高頻寬記憶體芯片HBM3E已通過英偉達(Nvidia)測試的消息引起了廣泛關注。然而,三星電子對此事態的反應卻顯得較為謹慎。三星電子官方表示:“我們無法證實與我
2024-08-07 15:23:26
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968三星否認HBM3E芯片通過英偉達測試
近日,有關三星的8層HBM3E芯片已通過英偉達測試的報道引起了廣泛關注。然而,三星電子迅速對此傳聞進行了回應,明確表示該報道并不屬實。
2024-08-08 10:06:02
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1161三星HBM3E內存挑戰英偉達訂單,SK海力士霸主地位受撼動
進入八月,市場傳言四起,韓國存儲芯片巨頭三星電子(簡稱“三星”)的8層HBM3E內存(新一代高帶寬內存產品)已順利通過英偉達嚴格測試。然而,三星迅速澄清,表示這一報道與事實相去甚遠,強調目前質量測試
2024-08-23 15:02:56
1635
1635三星攜手臺積電,共同研發無緩沖HBM4 AI芯片技術
據最新報道,三星電子與臺積電攜手共謀AI芯片的未來,雙方正緊密合作開發下一代高帶寬存儲器(HBM4)芯片,旨在鞏固并加強各自在快速增長的人工智能芯片市場中的領先地位。在Semicon Taiwan
2024-09-06 16:42:09
2602
2602三星與臺積電合作開發無緩沖HBM4 AI芯片
在科技日新月異的今天,三星電子與臺積電兩大半導體巨頭的強強聯合再次引發業界矚目。據最新報道,雙方正攜手并進,共同開發下一代高帶寬存儲器(HBM4)人工智能(AI)芯片,旨在進一步鞏固并提升在快速增長的AI芯片市場的領導地位。
2024-09-09 17:37:51
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1434三星擴建半導體封裝工廠,專注HBM內存生產
方式獲得三星顯示的一座大樓,并計劃在三年內完成該建筑的半導體后端加工設備導入。 此次擴建工廠的背景是,三星正在為微軟和Meta等科技巨頭供應量身定制的HBM4內存。微軟和Meta分別推出了Mia100和Artemis人工智能芯片,對高性能內存有著迫切需求,而三星的定制化HBM4內
2024-11-13 11:36:16
1756
1756特斯拉或向SK海力士、三星采購HBM4芯片
近日,SK海力士和三星電子正在為特斯拉公司開發第六代高帶寬內存(HBM4)芯片樣品。據悉,特斯拉計劃在測試這兩家公司提供的樣品后,選擇其中一家作為其HBM4芯片的供應商。 與微軟、谷歌、Meta等
2024-11-21 14:22:44
1524
1524特斯拉也在搶購HBM 4
在測試兩家公司的樣品后,特斯拉將選擇其中一家作為HBM4供應商。通過使用三星和SK海力士生產的定制HBM4芯片,特斯拉除了減少對Nvidia的AI芯片依賴外,還尋
2024-11-22 01:09:32
1508
1508
英偉達加速認證三星AI內存芯片
芯片。作為當前市場上最先進的內存技術之一,HBM3E(High Bandwidth Memory 3 Enhanced)以其超高的帶寬和低功耗特性而備受矚目。英偉達正在對三星提供的兩種不同堆疊規格的HBM3E內存進行評估,分別是8層堆疊和12層堆疊。 這兩種堆疊規格的HBM3E內存各具特色。
2024-11-25 14:34:17
1028
1028英偉達加速認證三星新型AI存儲芯片
近日,英偉達首席執行官黃仁勛近日在接受采訪時透露,英偉達正在全力加速對三星最新推出的AI存儲芯片——HBM3E的認證進程。這一舉措標志著英偉達在AI存儲技術上的又一次重要布局。 據黃仁勛介紹,英偉達
2024-11-26 10:22:17
1129
1129三星電子將供應改良版HBM3E芯片
三星電子在近期舉行的業績電話會議中,透露了其高帶寬內存(HBM)的最新發展動態。據悉,該公司的第五代HBM3E產品已在2024年第三季度實現大規模生產和銷售,并在第四季度成功向多家GPU廠商及數據中心供貨。與上一代HBM3相比,HBM3E的銷售額實現了顯著增長。
2025-02-06 17:59:00
1106
1106三星與英偉達高層會晤,商討HBM3E供應
其高帶寬存儲器HBM3E產品中的初始缺陷問題,并就三星第五代HBM3E產品向英偉達供應的相關事宜進行了深入討論。 此次高層會晤引發了外界的廣泛關注。據推測,三星8層HBM3E產品的質量認證工作已接近尾聲,這標志著三星即將正式邁入英偉達的HBM供應鏈。對于三星而言
2025-02-18 11:00:38
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979三星推出抗量子芯片 正在準備發貨
三星半導體部門宣布已成功開發出名為S3SSE2A的抗量子芯片,目前正積極準備樣品發貨。這一創新的芯片專門設計用以保護移動設備中的關鍵數據,用以抵御量子計算可能帶來的安全威脅。 據悉,三星
2025-02-26 15:23:28
2482
2482突破堆疊瓶頸:三星電子擬于16層HBM導入混合鍵合技術
成為了全球存儲芯片巨頭們角逐的焦點。三星電子作為行業的領軍企業,一直致力于推動 HBM 技術的革新。近日有消息傳出,三星電子準備從 16 層 HBM 開始引入混合鍵合技術,這一舉措無疑將在存儲芯片領域掀起新的波瀾。 編輯 ? 編輯 ? 技術背景:HBM 發展的必然趨
2025-07-24 17:31:16
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HBM格局生變!傳三星HBM3量產供貨英偉達,國內廠商積極布局
電子發燒友網報道(文/吳子鵬)根據韓媒sedaily 的最新報道,三星華城17號產線已開始量產并向英偉達供應HBM3內存。同時,美光已經為英偉達供應HBM3E。至此,高端HBM內存的供應由SK海力士
2024-07-23 00:04:00
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