三星在2月27日發布了世界上第一款12層堆疊HBM3E 12H高帶寬存儲芯片，其容量做到驚人的36GB，帶寬更達到驚人的1280GB/s。相較于8層堆疊的HBM3產品，新款HBM3E 12H無論從容量還是帶寬上都有大幅提升，可極大助力AI（人工智能）的訓練和推斷速度。

三星電子存儲產品規劃執行副總裁Yongcheol Bae說，隨著AI行業對HBM的迫切需求，這就是他們研發新型HBM3E 12H產品的原因。

三星在技術上采用了最新的熱壓力傳導性膜（TC NCF）技術，成功維持了12層產品的高度與其前身8層HBM芯片保持一致，滿足了現有的HBM封裝要求。他預測，這種技術在未來會帶來更大的突破，尤其是在高層次堆疊方面，因為全球都在為此頭疼的薄晶圓翹曲問題提供解決之道。他強調，三星正在努力減少NCF材料的厚度，并且已經實現了當今市場上最小的芯片間隙（7微米），如此一來就可以消除分層空隙，且新技術的進步提高了垂直密度超過20％。

另外，三星也表示，TC NCF技術還可以通過利用不同尺寸的凸塊在芯片之間改善HBM的熱性能。新的芯片鍵合策略中，小凸塊用于釋放信號處理區域，而大凸塊則應用于需要降溫的地方。

據目前已知的消息，英偉達的H200旗艦AI芯片已經選擇了HBM3E存儲，接下來的B100芯片同樣將使用該技術。全球三大存儲芯片制造商——三星、SK海力士以及美光都在大力投資HBM領域。

最后，三星稱，HBM3E 12H將會成為未來的首選解決方案，它可以大大地降低數據中心的總體成本（TCO）。性能方面，新產品比之前的HBM3 8H能讓AI訓練速度提高約34%，適用于推理服務支持的用戶數量可增長多達11.5倍以上。

據悉，三星已開始向客戶提供HBM3E 12H樣本，并預期將于今年上半年正式投入量產。