據報道，特斯拉已要求三星和 SK 海力士提供 HBM4 芯片樣品。這兩家半導體公司都在為特斯拉開發第六代高帶寬內存芯片原型。

據KEDGlobal報道，特斯拉已要求三星和 SK 海力士供應通用的 HBM4 芯片。預計在測試兩家公司的樣品后，特斯拉將選擇其中一家作為 HBM4 供應商。

通過使用三星和 SK 海力士生產的定制 HBM4 芯片，特斯拉除了減少對 Nvidia 的 AI 芯片依賴外，還尋求增強其人工智能 (AI) 能力。

三星正努力爭取特斯拉的 HMB4 芯片訂單。該公司甚至與臺灣的臺積電合作，以促進其 HBM 芯片的開發并保持對 SK 海力士的優勢。

SK Hynix 也在加速發展，以保持其在 HBM 領域的領先地位。贏得特斯拉 HMB 訂單的公司將在全球內存供應鏈中看到大幅推動。

值得注意的是，第 6 代 HBM4 芯片對于特斯拉的 Dojo 超級計算機至關重要，該超級計算機專為訓練 AI 模型而設計，還將支持其 AI 數據中心和自動駕駛汽車。

HBM4 半導體與前幾代相比有顯著的增強，可提供高達 1.65 Tbps 的帶寬，比 HBM3E 快 1.4 倍，同時功耗降低了 30%。

Nvidia 要求 SK 海力士將 HBM4 的交付時間提前

據路透社報道，SK 集團董事長崔泰源表示，Nvidia 已要求 SK 海力士將下一代HBM4 內存芯片的交付時間提前六個月。

SK海力士最初計劃在2025年下半年向客戶交付HBM4芯片。應Nvidia首席執行官黃仁勛的要求，時間表縮短了，但并未指定具體的新時間表。Nvidia目前正在開發用于AI和HPC的下一代GPU，這些GPU將使用HBM4內存（代號可能為Rubin）。因此，該公司必須盡早獲得下一代高帶寬內存。

受人工智能行業需求增長的推動，SK 海力士繼續鞏固其在 HBM 市場的領先地位。該公司為 Nvidia 的當前一代產品提供了 8-Hi 和 12-Hi HBM3E。展望未來，SK 海力士計劃明年推出 12 層 HBM4，并計劃在 2026 年推出 16 層版本，以滿足預期的行業需求。

最初，SK 海力士傾向于在其 HBM4 層中使用 1b DRAM 技術，但據報道，三星選擇更先進的 1c 生產技術，促使 SK 海力士重新評估其方法。

即將推出的 HBM4 標準將引入 24Gb 和 32Gb 的內存層，以及 4 高、8 高、12 高和 16 高 TSV 堆棧的堆疊選項。初始 HBM4 模塊的確切配置仍不確定，三星和 SK 海力士計劃在 2025 年下半年開始批量生產 12 高 HBM4 堆棧。這些模塊的速度等級會有所不同，具體取決于多種因素，但 JEDEC 的初步標準將速度設定為高達 6.4 GT/s。

為了制造其 HBM4 模塊的基礎芯片，SK 海力士與臺積電合作。在 2024 年歐洲技術研討會上，臺積電透露將使用其 12FFC+（12nm 級）和 N5（5nm 級）工藝技術生產這些基礎芯片。N5 工藝將實現更高的邏輯密度和更細的互連間距，從而允許將內存直接集成到 CPU 和 GPU 中。或者，12FFC+ 工藝將通過使用硅中介層將內存與主機處理器連接起來，提供更具成本效益的解決方案，在性能和可負擔性之間取得平衡。