安森美半導體推出12款新N溝道功率MOSFET系列

經過100%雪崩測試的MOSFET提供業界領先的雪崩額定值，能承受電源和電機控制應用中的大電壓尖峰

2010年2月2日 – 應用于綠色電子產品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN) 擴充N溝道功率MOSFET系列，新增12款100伏(V)器件。安森美半導體經過完備測試的N溝道功率MOSFET提供高達500毫焦(mJ)的業界領先雪崩額定值，非常適用于要顧慮因非鉗位電感型負載引致過渡電壓應力的設計。

安森美半導體這些100 V功率MOSFET器件的典型應用包括工業電機控制、電源、不間斷電源(UPS)中的電源逆變器，以及汽車中的直接燃氣噴射(DGI)。這些無鉛器件，符合RoHS指令，關鍵的規范特性包括：
* 導通阻抗(RDS(on))低至13毫歐(mΩ)
* 電流能力高達76安培(A)
* 經過100%雪崩測試
* 通過AEC-Q101標準認證

安森美半導體MOSFET產品部副總裁兼總經理Paul Leonard說：“為了應對開關電感型負載時潛在的大電壓尖峰，以及推動更高能效，安森美半導體的N溝道功率MOSFET提供強固及可靠的方案。我們100 V產品系列新增的器件為客戶提供更多的選擇，幫助他們獲得適合他們特定應用的最優器件。”

封裝及價格
NTP641x和NTB641x系列42到76 A器件包括NTB6410AN、NTP6410AN、NTB6411AN、NTP6411AN、NTB6412AN、NTP6412AN、NTB6413AN及NTP6413AN，采用無鉛及符合RoHS指令的TO-220及D2PAK封裝。NTD641x系列17到32 A器件包括NTD6414AN、NTD6415AN、NTD6416AN及NTD6416ANL，采用無鉛及符合RoHS指令的DPAK及IPAK封裝。所有這些器件的工作溫度范圍為-55°C至+175°C。這些MOSFET每10,000片批量的價格為0.92至1.90美元。現提供樣品。