采用的是超級結工藝。超級結技術是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導體器件開發的，用于改善導通電阻與擊穿電壓之間的矛盾。采用超級結技術有助于降低導通電阻，并提高MOS管開關速度，基于該技術的功率MOSFET已成為高壓開關轉換器領域的業界規范。
2026-01-05 06:12:51
超結MOSFET（Super-Junction MOSFET，簡稱SJ-MOS）是一種在高壓功率半導體領域中突破傳統性能限制的關鍵器件。它通過在器件結構中引入交替分布的P型與N型柱區，實現了在高耐壓下仍保持低導通電阻的特性，顯著提升了功率轉換效率與功率密度。
2026-01-04 15:01:46
1311 
、4A輸出的半橋門極驅動器，旨在通過增強抗擾性、提升驅動效率并簡化設計，幫助工程師更穩妥地駕馭MOSFET和IGBT，確保系統在高功率場景下穩定運行。產品主要特性：
寬工作電壓范圍：可承受高達600V
2025-12-23 08:36:15
（1）Rds（on）和導通損耗直接相關，RDSON越小，功率MOSFET的導通損耗越小、效率越高、工作溫升越低。
（2）Rds（on）時正溫度系數，會隨著MOSFET溫度升高而變大，也就是Rds
2025-12-23 06:15:35
設計的優選。然而，在實際市場中，是否真的存在0.42mΩ的超低導通電阻MOSFET？本文MDD將探討這種超低導通電阻MOSFET的市場應用、優勢及其面臨的挑戰。一、0
2025-12-16 11:01:13198 
N通道MOSFET的導通電阻RDS(on)極低，僅為1.99 mΩ，可在功率密集型設計中實現卓越的導通效率、簡化熱管理并提高系統可靠性。
2025-12-12 11:40:40376 
高壓濾波車規電容在600V耐壓條件下的應用與換電站接口電壓穩定性保障 隨著新能源汽車產業的快速發展，換電模式作為重要的能源補給方式正獲得廣泛應用。在換電站系統中，高壓濾波電容作為關鍵電子元件，其性能
2025-12-05 15:11:03269 MOSFET等新一代寬帶隙半導體器件，支持系統向更高頻、更高效的方向演進。
堅固耐用，無懼苛刻環境：從600V的高壓耐受到寬溫工作范圍（-40℃~150℃），再到集成化的保護功能，其設計充分考慮了工業現場
2025-12-03 08:25:35
威兆半導體推出的VSP015N15HS-G是一款面向150V中高壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，基于VeriMOS?II技術實現低導通電阻與高效能，適配中高壓DC/DC轉換器、電源管理、中功率
2025-12-02 09:29:20207 
EliteSiC 系列，具備 23 毫歐導通電阻、650V 耐壓，采用 M3S 技術和 TO - 247 - 4L 封裝，在快速開關應用領域表現出色。
2025-11-27 10:55:14244 溝道功率器件實現650伏耐壓與13安培連續電流的平衡，采用超結工藝讓VGS為10伏時的導通電阻低至300毫歐，比傳統平面MOS管顯著降低導通損耗。
2025-11-26 09:42:00545 
、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適配低壓大電流供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)
2025-11-25 15:31:05218 
。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓大電流供電場景；導通電阻（\(R_{DS(o
2025-11-25 15:23:16209 ：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}
2025-11-25 15:14:47190 類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓功率轉換場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{
2025-11-24 14:27:27203 、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適配低壓大電流供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}
2025-11-21 10:57:56177 仁懋電子（MOT）推出的MOT3136D是一款面向30V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借2.4mΩ超低導通電阻、120A超大連續電流及優異散熱封裝，適用于功率開關應用、硬開關高頻
2025-11-21 10:46:19181 、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：20V，適配低壓大電流供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)
2025-11-21 10:38:31150 仁懋電子（MOT）推出的MOT3712G是一款P溝道增強型功率MOSFET，憑借-30V耐壓、低導通電阻及高電流承載能力，適用于PWM應用、負載開關、電源管理等領域。一、產品基本信息器件類型：P溝道
2025-11-21 10:31:06233 仁懋電子（MOT）推出的MOT6929G是一款N+N增強型MOSFET，集成兩顆N溝道單元，憑借60V耐壓、低導通電阻及高電流承載能力，適用于電動工具電機驅動、電動汽車機器人等大功率開關場景。一
2025-11-21 10:24:58204 一、概述：高性能半橋驅動SLM2181CA-DG是一款高壓、高速的功率MOSFET和IGBT驅動器，具備獨立的高邊和低邊參考輸出通道。核心優勢在于600V的高耐壓能力、450mA/950mA的非對稱
2025-11-21 08:35:25
溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓大電流供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS
2025-11-20 16:22:54302 基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適配低壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\
2025-11-20 16:15:04256 、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適配低壓大電流供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)
2025-11-20 16:06:45264 。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓大電流供電場景；導通電阻（\(R_{DS(o
2025-11-20 15:31:06159 一、概述：SLM21814CJ-DG是一款高壓高速高低邊門極驅動器，專為驅動MOSFET和IGBT設計。其核心優勢在于600V高耐壓能力、2.5A/3.5A非對稱驅動電流以及全電壓范圍內的浮動通道
2025-11-20 08:47:23
基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(
2025-11-19 15:25:38249 VGS＝-2.5V時，導通電阻約為120mΩ。如果VGS電壓太小，低于閾值電壓VGS(th)，AO3401A可能無法完全開通，無法正常工作。建議將VGS的絕對值設定2.5V以上，如-3.5V左右，通過
2025-11-19 06:35:56
仁懋電子（MOT）推出的MOT65R180HF是一款N溝道超級結功率MOSFET，憑借650V耐壓、低導通電阻及高頻開關特性，適用于功率因數校正、開關模式電源、不間斷電源等領域。一、產品基本信息器件
2025-11-18 15:39:25204 仁懋電子（MOT）推出的MOT65R380F是一款N溝道超級結功率MOSFET，憑借650V耐壓、低導通電阻及高頻開關特性，適用于功率因數校正、開關模式電源、不間斷電源等領域。一、產品基本信息器件
2025-11-18 15:32:14195 ：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}
2025-11-17 11:27:39241 Vishay Semiconductors Gen 5 600V超快和極快整流器將低導通和低開關損耗完美結合在一起。該整流器設計用于提高高頻轉換器和軟開關或諧振設計的效率。Gen 5 600V超快和極快整流器與采用SOT-227封裝的銅基板隔離，有助于構建常見散熱片和緊湊型組件。
2025-11-14 17:12:221224 
仁懋電子（MOT）推出的MOT2718J是一款P-溝道增強型功率MOSFET，憑借-20V耐壓、低導通電阻及高效功率處理能力，適用于PWM應用、負載開關、電源管理等場景。一、產品基本信息器件類型
2025-11-14 16:04:15309 器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：20V，適配低壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{
2025-11-14 15:51:42201 在電池管理系統（BMS）中，MDD辰達半導體MOSFET作為電池組充放電的開關與保護核心元件，其導通電阻（RDS(on)）參數對系統性能有著直接且深遠的影響。作為MDDFAE，在支持客戶調試或可
2025-11-12 11:02:47339 
Vishay Semiconductors VOR1060M4 1A型1式固態繼電器在表面貼裝4引腳SOP封裝中進行光隔離。VOR1060M4具有50mA負載電流、600V負載電壓以及40Ω低導通電阻
2025-11-11 15:15:04395 
、電動汽車機器人）等領域。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適配低壓大電流供電場景；導通電阻（
2025-11-11 09:34:34187 仁懋電子（MOT）推出的MOT2914J是一款雙N溝道增強型MOSFET，憑借20V耐壓、超低導通電阻及優異的高頻開關特性，適用于DC/DC轉換器、高頻開關電路及同步整流等場景。一、產品基本信息器件
2025-11-10 16:17:38296 仁懋電子（MOT）推出的MOT3920J是一款雙N溝道增強型MOSFET，憑借30V耐壓、超低導通電阻及優異的高頻開關特性，適用于DC/DC轉換器、高頻開關電路及同步整流等場景。一、產品基本信息器件
2025-11-10 16:12:40305 仁懋電子（MOT）推出的MOT70R380D是一款N溝道超級結功率MOSFET，憑借700V耐壓、低導通電阻及高頻開關特性，適用于功率因數校正（PFC）、電源功率級、適配器、電機控制、DC-DC
2025-11-10 15:42:30277 仁懋電子（MOT）推出的MOT70R280D是一款N溝道超級結功率MOSFET，憑借700V耐壓、超低導通電阻及高頻開關特性，適用于功率因數校正、開關模式電源、不間斷電源等領域。一、產品基本信息器件
2025-11-07 10:54:01164 大電流與3.5毫歐低導通電阻的N溝槽MOS管——ZK150G002P應運而生。它不僅精準契合了新能源、工業控制等領域的嚴苛需求，更以硬核參數彰顯了功率半導體技術的
2025-11-06 13:44:04202 
效電源轉換場景。一、產品基本信息MOT1793G為P溝道增強型功率MOSFET，漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）達-100V；導通電阻（\(R_{DS(on)}
2025-11-05 12:01:34245 仁懋電子（MOT）推出的MOT4025G是一款互補增強型MOSFET，集成N溝道與P溝道管，憑借40V耐壓、超低導通電阻及優異開關特性，適用于電機驅動、DC-DC轉換器等大功率場景。以下從器件特性
2025-11-04 16:33:13496 仁懋電子（MOT）推出的MOT65R600F是一款基于超級結技術的N溝道功率MOSFET，憑借650V耐壓、低導通損耗及高魯棒性，廣泛適用于功率因數校正（PFC）、開關模式電源（SMPS
2025-10-31 17:28:48199 展會盛況規模空前，精英匯聚NEWS”功率半導體全系列解決方案薩瑞微電子重點展示了其新一代SGTMOSFET系列產品，覆蓋40V-150V全電壓范圍，其優化的導通電阻表現引發了專業觀眾的濃厚興趣。同時
2025-10-31 14:14:12357 
STMicroelectronics STTH30RQ06L2超快高壓整流器采用HU3PAK封裝，是一款采用ST 600V技術的600V、30A器件。該器件具有高結溫能力和超快開關速度。STMicroelectronics STTH30RQ06L2非常適合用作二次側整流二極管的應用。
2025-10-27 15:13:18398 
600V、4A/4A 半橋門極驅動SiLM2285，超強抗干擾、高效驅動、高邊直驅設計三大核心優勢，解決工業開關電源、電機拖動、新能源逆變及儲能設備中的驅動難題，實現對高壓、高功率MOSFET
2025-10-21 09:09:18
：持續輸出電流最高 3A，峰值電流可達 3A（受外置限流設定與散熱條件限制）。
效率與頻率
轉換效率：典型值＞90%，優化的同步整流架構及低導通電阻 MOSFET，減少熱量產生。
開關頻率：固定
2025-09-27 11:16:06
龍騰半導體最新推出650V/40A/99mΩ超結MOSFET，其內置FRD，適應LLC應用，并適合多管應用，具有更快的開關速度，更低的導通損耗；極低的柵極電荷（Qg），大大提高系統效率和優異的EMI性能。
2025-09-26 17:39:511272 
在快充技術快速迭代的當下，高效能與高可靠性成為電源設計的核心挑戰。泉州海川半導體推出的SM5501 30V N溝道功率MOSFET，以5.8mΩ超低導通電阻、50A最大電流承載能力及6.2℃/W結殼熱阻的卓越性能，為快充行業提供了極具競爭力的高性能解決方案。
2025-09-18 16:41:231158 
N100V MOSFET產品采用特殊優化的SGT技術，具有較低的導通電阻Rdson和柵極電荷Qg，明顯降低導通和開關損耗，同時提升了MOSFET抗雪崩沖擊能力。
2025-09-15 09:57:56624 
“超結”技術憑借其優異的性能指標，長期主導著耐壓超過600V的功率MOSFET市場。本文闡述了工程師在應用超結功率器件時需關注的關鍵問題，并提出了一種優化解決方案，可顯著提升電源應用的效率、功率密度及可靠性。
2025-09-11 16:21:5144299 
SiLM2234 600V半橋門極驅動器，支持290mA拉電流和600mA灌電流輸出能力，專為高壓、高功率MOSFET和IGBT驅動設計，內部集成自舉二極管，顯著簡化外部電路設計，具備優異的抗負向
2025-09-11 08:34:41
了其對電壓波動的適應性。3. 簡化設計，集成度高
采用浮動通道架構，可直接驅動工作電壓高達600V的高邊N溝道MOSFET或IGBT，無需復雜的隔離電源，極大地簡化了半橋、全橋等拓撲的設計，降低了方案
2025-09-05 08:31:35
了強有力的支持。 ? 工業高壓電源系統對電解電容的要求極為嚴苛，不僅需要承受高電壓，還要在高溫、高紋波電流等惡劣環境下保持穩定工作。冠坤600V高耐壓電解電容采用特殊的設計和材料，具有極低的等效串聯電阻(ESR)和較高的紋波電流
2025-09-02 15:44:42630 Texas Instruments TPS22995導通電阻負載開關支持可配置上升時間，以最大限度地減小浪涌電流。該單通道負載開關包含一個可在0.4V至5.5V輸入電壓范圍內運行的N溝道MOSFET，并且支持3.8A的最大連續電流。
2025-09-02 14:57:49637 
，是各種高壓半橋和全橋拓撲的簡潔解決方案。核心優勢解析：
高壓與強驅動力： 芯片的浮動通道設計支持高達600V的工作電壓，并能耐受負壓瞬變，抗dV/dt性能好。提供450mA拉電流和950mA灌電流
2025-08-26 09:15:40
代替IR2186，為600V以下的MOSFET和IGBT應用提供高性價比的單芯片驅動方案。核心優勢：高壓驅動與可靠保護的完美結合SiLM2186CA-DG的核心價值在于其卓越的電氣性能和強大的系統保護
2025-08-23 09:36:06
成。 ? SiC MOSFET導通電阻的降低，意味著提高器件的開關效率，降低器件在導通狀態下的功率損耗。根據Wolfspeed的數據，以100A電流為例，13mΩ 器件的導通損耗為 13W，較 16m
2025-08-10 03:18:008198 升/下降時間及170ns典型傳播延遲，顯著降低開關損耗，提升高頻應用下的轉換效率和功率密度。
高邊直驅設計： 獨特的浮動通道設計，支持直接驅動600V高邊N溝道MOSFET/IGBT，無需額外隔離電源
2025-08-08 08:46:25
一、產品概述?
SL3170是一款高度集成的開關降壓型DC-DC控制器，其核心優勢在于內置150V耐壓的功率MOSFET，支持10V-150V寬輸入電壓范圍，最大輸出電流達1A。該器件通過自適應降頻
2025-08-07 15:40:03
在相同650V耐壓下，超結MOS的導通電阻（85mΩ）僅為傳統器件（200mΩ）的約42%，開關頻率上限提升至100kHz（傳統為50kHz）。超結MOS相較于傳統MOSFET，效率提升顯著。今天
2025-08-06 11:41:261055 ：SLM21867CA-DG是一款高壓(600V)、高速的功率MOSFET和IGBT驅動器，專為驅動半橋或類似拓撲中的高邊和低邊開關而設計。其最大亮點在于直接兼容替代IRS21867S，且封裝同為緊湊的SOP8
2025-07-29 08:46:54
0.75mΩ超低導通電阻與300A持續電流能力，在高功率應用領域持續輸出。 一、技術突破：PowerTrench工藝與屏蔽柵設計 MDDG03R01G在柵源電壓 VGS = 10V、漏極電流 ID
2025-07-28 15:20:11466 
新品650VCoolMOS8超結(SJ)MOSFET英飛凌推出全新650VCoolMOS8引領全球高壓超結SJMOSFET技術，為行業技術和性價比樹立了全球標準。該系列為高功率應用提供了額外的50V
2025-07-04 17:09:031014 
產品描述:(替代LM5017)PC3417是一款100V,600mA同步降壓控制器,集成了高側和低側MOSFET。PC3417采用恒定導通時間(COT)控制，因此不需要環路補償，可提供出色的瞬態響應
2025-07-01 10:18:37
本款產品采用新一代超結技術，專為汽車電子和高功率場景打造。在質量與可靠性方面，產品嚴格遵循 AEC - Q101 車規級可靠性認證標準以及 IATF 16949 汽車質量管理體系認證要求。憑借低導通電阻與高功率密度設計，確保在極端工況下穩定運行，為高效電機系統提供核心動力支持。
2025-06-17 11:20:411017 
場景
1A持續輸出能力：內置低導通電阻MOS管（典型值350mΩ），支持最大1.5A峰值電流輸出
恒壓精度±2%：集成精密電壓基準源，輸出電壓范圍3.3V-30V可調
二、關鍵技術優勢
2.1 內置
2025-06-04 17:45:16
? ? ? ?BDR6307B是一款耐壓600V的半橋柵極驅動芯片，內部集成了邏輯信號輸入處理電路、死區控制電路、電平位移電路及輸出驅動電路，用來驅動雙 N型 MOS 半橋
2025-05-27 17:21:03
1 導通電阻（RDSON）指的是在規定的測試條件下，使MOSFET處于完全導通狀態時（工作在線性區），漏極（D）與源極（S）之間的直流電阻，反映了MOSFET在導通狀態下對電流通過的阻礙程度。
2025-05-26 15:09:343808 
瑞能G3 超結MOSFET Analyzation 瑞能超結MOSFET “表現力”十足 可靠性表現 ? ? 可靠性保障 ?瑞能嚴謹執行三批次可靠性測試，確保產品品質。? ?瑞能超級結 MOSFET
2025-05-22 13:59:30490 
隨著AI技術井噴式快速發展，進一步推動算力需求，服務器電源效率需達97.5%-98%，通過降低能量損耗，來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機遇，瑞能半導體先發制人，推出的第三代超結MOSFET，能全面滿足高效能需求。
2025-05-22 13:58:35726 
內容概要：HPD2606X是一款600V半橋柵極驅動器，采用專有的HVIC和閂鎖免疫CMOS技術，能夠穩定驅動高壓MOSFET和IGBT。其主要特性包括懸浮通道設計、抗dV/dt瞬態負電壓能力、寬門
2025-05-19 11:33:300 TPS22995是一款單通道負載開關，集成了N-channel MOSFET，具有低導通電阻（18 mΩ）和可配置的上升時間，用于限制啟動時的涌入電流。該開關適用于筆記本電腦、平板電腦、工業PC及離散工業解決方案等應用。
2025-05-07 17:52:38663 
電壓的平衡。另超結MOSFET具有更低的導通電阻和更優化的電荷分布，因此其開關速度通常比普通MOSFET更快，有助于減少電路中的開關損耗。由于其出色的高壓性能和能效比，超結MOSFET更適合于高壓、大功率的應用場景。
2025-05-06 15:05:381499 
隨著通信基站和工業設備電源系統向48V升級，高效、節能的元器件需求日益迫切。KUU憑借先進工藝與封裝技術，全新推出2款100V耐壓雙MOSFET，以超低導通電阻和緊湊尺寸，為風扇電機驅動提供高性能
2025-04-30 18:33:29877 
2N7002KDW 是一款采用 SOT363封裝 的雙N溝道MOSFET，集成了ESD保護功能，兼具低導通電阻（RDS(ON)）與高耐壓（60V）特性。其超小封裝和低閾值電壓（VTH=1.6V）使其成為便攜式設備、信號開關和ESD敏感電路的理想選擇。
2025-04-29 18:14:340 本人剛入坑不久，對單片機的熱情很高，于是也加入了瑞薩的板子申請隊伍，很榮幸也成為了試用者之一，此前對于瑞薩的板子從未接觸過，包括對于使用e2studio編寫程序燒錄等工作也是從小白開始，跟著官方給
2025-04-29 17:28:12
2N7002KDW 是一款采用 SOT363封裝 的雙N溝道MOSFET，集成了ESD保護功能，兼具低導通電阻（RDS(ON)）與高耐壓（60V）特性。其超小封裝和低閾值電壓（VTH=1.6V）使其
2025-04-27 16:59:26
AW2K21是一款同時實現了超小型封裝和超低導通電阻的30V耐壓Nch MOSFET。利用可共享2枚MOSFET電路源極的共源電路，不僅能以一體化封裝實現雙向電路保護，還可以通過改變引腳連接來作為單MOSFET使用。
2025-04-17 14:55:11615 
3.3mm × 3.3mm 塑料封裝 參數 方框圖 1. 產品特性 ? 超低柵極電荷（Q_g 和 Q_gd） ?：有助于減少開關損耗。 ? 低導通電阻（R_DS(on)） ?：在V_GS = 10V時，導通電阻為8.1 mΩ，有助于降低功耗。 ? 低熱阻 ?：結到殼熱阻
2025-04-16 10:35:32787 
電荷 ?：Qg（總柵極電荷）在VGS=10V時為118nC，有助于減少開關損耗。 ? 低導通電阻 ?：RDS(on)（漏源導通電阻）在VGS=10V時為1.4mΩ，有助于降低傳導損耗。 ? 低熱阻 ?：結到殼熱阻
2025-04-16 10:13:57763 
塑料封裝 參數 方框圖 1. 產品特性 ? 低導通電阻（R_DS(on)） ?：在V_GS = 10V時，導通電阻僅為0.79 mΩ，有助于減少功率損耗。 ? 低熱阻 ?：結到殼熱阻（R_θJC）僅為0.8°C/W，有助于散熱。 ? 邏輯電平兼容
2025-04-16 10:05:07663 
Power MOSFET 設計電源時，大多直接以 PowerMOSFET 的最大耐壓、最大導通電流能力及導通電阻等三項參數做出初步決定。但實際上，在不同的應用電路中，Power MOSFET 的選用
2025-03-24 15:03:44
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向企業級高性能服務器和AI服務器電源，開發出實現了業界超低導通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。
2025-03-13 15:08:041206 
GNE1040TB是柵極耐壓高達8V的150V GaNHEMT。該產品屬于EcoGaN?系列，該系列產品通過更大程度地激發低導通電阻和高速開關性能，助力應用產品更節能和小型化。GNE1040TB
2025-03-07 15:19:09977 
選用 Power MOSFET 設計電源時，大多直接以 PowerMOSFET 的最大耐壓、最大導通電流能力及導通電阻等三項參數做出初步決定。但實際上，在不同的應用電路中，Power MOSFET
2025-03-06 15:59:14
卓爾凡電力科技變壓器，當進口的加拿大380V半導體設備在國內600V電網環境下運行時，電壓不匹配問題常常導致設備無法正常工作，甚至可能損壞設備。為解決這一難題，卓爾凡電力科技有限公司推出了600V變
2025-03-05 08:50:52547 
：SiC器件在175°C高溫下仍能保持穩定性能（如導通電阻僅從40mΩ升至55mΩ），而SJ MOSFET在高溫下損耗顯著增加。 低損耗特性 ：SiC的導
2025-03-02 11:57:01899 
隨著BASiC基本半導體等企業的650V碳化硅MOSFET技術升級疊加價格低于進口超結MOSFET，不少客戶已經開始動手用國產SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET,電源客戶從超結MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅動力分析。
2025-03-01 08:53:441053 
LMG341xR150 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能，使設計人員能夠在電力電子系統中實現更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，該器件的固有優勢包括超低輸入和輸出電容、零
2025-02-25 14:44:30754 
LMG341xR150 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能，使設計人員能夠在電力電子系統中實現更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，該器件的固有優勢包括超低輸入和輸出電容、零
2025-02-25 14:16:45702 
600V 變 380V 以及 600V 變 480V 的變壓器，憑借卓越性能與可靠品質，成為眾多行業的理想選擇。 CSA 認證：品質與安全的堅實背書 CSA，即加拿大標準協會認證，在加拿大電氣設備市場擁有至高權威性。對于變壓器而言，獲得 CSA 認證絕非易事。從設計
2025-02-21 14:56:40797 
BDR6307B 是一款耐壓 600V 的半橋柵極驅動芯片，內部集成了邏輯信號輸入處理電路、死區控制電路、電平位移電路及輸出驅動電路，用來驅動雙 N 型 MOS 半橋。
BDR6307B 的邏輯
2025-02-20 10:22:03
近期，充電頭網拆解了機械師G6Pro游戲手柄，該款產品使用的過壓保護芯片來自Prisemi芯導科技，型號P14C13，是一顆高集成的過壓保護芯片，過壓保護點為6V，耐壓為32V，內置MOS管導通電阻為250mΩ，采用SOT23封裝。
2025-02-19 14:30:371091
您好！我將DAC7625與DSP2812相連，DSP主頻設為了150M。請問下DAC7625的轉換速率是多少？我在數據手冊上沒有找到！
2025-02-12 06:51:54
650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780 
BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
MOSFET的核心亮點在于采用了瑞薩電子創新的晶圓制造工藝——REXFET-1。這項技術有效降低了MOSFET的導通電阻(Rdson)高達30%，從而顯著減少了功率損耗，為
2025-01-13 11:41:38957 
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