瑞薩電子公司宣布開發面向消費類產品（如無線電動工具和電動自行車）中電機驅動的100A大電流功率MOSFET，
2011-07-29 09:17:46
2363 本文簡要比較了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分電氣性能參數并分析了這些電氣參數對電路設計的影響，并且根據SiC Mosfet管開關特性和高壓高頻的應用環境特點，推薦了金升陽可簡化設計隔離驅動電路的SIC驅動電源模塊。
2015-06-12 09:51:237449 全球領先的半導體解決方案供應商瑞薩電子株式會社（TSE：6723）今日宣布推出用于空調功率系數校正（PFC）電路的新型功率半導體器件，可廣泛用于中低端空調的部分開關
2015-12-01 16:49:381982 瑞薩電子用于開發智能手機光學圖像防抖系統的固件和開發工具2015年11月25日，日本東京訊——全球領先的半導體解決方案供應商瑞薩電子株式會社（TSE：6723）于今日宣布推出功能先進的光學圖像防抖器（OIS）驅動器IC RAA305315GBM，該器件可使先進智能手機的攝像頭進行高精度、廣范圍的定位。
2015-12-10 09:38:232529 在高壓開關電源應用中，相較傳統的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET有明顯的優勢。使用硅MOSFET可以實現高頻（數百千赫茲）開關，但它們不能用于非常高的電壓（>
2023-08-03 11:09:572587 
適用SiC逆變器的各要素技術(SiCpower module,柵極驅動回路,電容器等)最優設計與基準IGBT對比逆變器能量損失減少→EV續駛里程提升(5%1)
2024-01-26 10:25:44853 
硅基MOSFET和IGBT過去一直在電力電子應用行業占據主導地位，這些應用包括不間斷電源、工業電機驅動、泵以及電動汽車（EV）等。然而，市場對更小型化產品的需求，以及設計人員面臨的提高電源能效的壓力，使得碳化硅（SiC）MOSFET成為這些應用中受歡迎的替代品。
2025-01-02 14:24:401640 
大電流 Si IGBT 和小電流 SiC MOSFET 兩者并聯形成的混合器件實現了功率器件性能和成本的折衷。 但是SIC MOS和Si IGBT的器件特性很大不同。為了盡可能在不同工況下分別利用
2025-01-21 11:03:572639 
：LFUS）是一家工業技術制造公司，致力于為可持續發展、互聯互通和更安全的世界提供動力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動器。 這款創新的驅動器專門設計用于驅動
2024-05-23 11:23:221233 
33V，適合驅動 Si 或 SiC MOSFET 和 IGBT 功率開關。集成的 UVLO 保護確保在異常情況下輸出保持在低電平。輸入側供電電壓 VCC1 在2.5V 到 5.5V 之間工作，支持大多數
2025-04-03 14:23:02
的效率密切相關。 對于門驅動器或者逆變器應用，通常需要選擇低輸入電容 (利于快速切換) 以及較高驅動能力的MOSFET。 03 IGBT適合高壓大電流應用 與MOSFET相比，IGBT開關速度較慢
2022-06-28 10:26:31
技術取得了不少突破，其中碳化硅（SiC）材料耐壓、耐溫更高，因此用碳化硅做成的MOSFET就可以直接媲美IGBT的電壓、電流承載能力，而無需再使用更為復雜的IGBT結構。在電動汽車、軌道交通領域
2023-02-16 15:36:56
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
最小值。一般的IGBT和Si-MOSFET的驅動電壓為Vgs=10～15V，而SiC-MOSFET建議在Vgs=18V前后驅動，以充分獲得低導通電阻。也就是說，兩者的區別之一是驅動電壓要比
2018-11-30 11:34:24
的小型化。 另外，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅動，從而也可以實現無源器件的小型化。 與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優勢在于芯片
2023-02-07 16:40:49
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅動，從而也可以實現無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優勢在于芯片面積小（可實現小型封裝），而且體
2019-04-09 04:58:00
作的。全橋式逆變器部分使用了3種晶體管（Si IGBT、第二代SiC-MOSFET、上一章介紹的第三代溝槽結構SiC-MOSFET），組成相同尺寸的移相DCDC轉換器，就是用來比較各產品效率的演示機
2018-11-27 16:38:39
SiC MOSFET的價格調查。 結論 硅IGBT在20世紀80年代對電力電子領域產生了巨大的積極影響，從那時起它一直是該行業的主力。下一項革命性技術將是SiC MOSFET。今天的SiC
2023-02-27 13:48:12
MOSFET晶體管必須在較高的柵極電壓下工作，考慮到后者必須具有快速的dV / dt才能實現快速的開關時間。為了滿足下一代MOSFET的嚴格要求，RECOM推出了各種轉換器，專門為SiC MOSFET驅動
2019-07-30 15:15:17
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅動，從而也可以實現無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優勢在于芯片面積小（可實現小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
通時產生的Vd振鈴、和低邊SiC-MOSFET的寄生柵極寄生電容引起的。全SiC功率模塊的開關速度與寄生電容下面通過與現有IGBT功率模塊進行比較來了解與柵極電壓的振鈴和升高有關的全SiC功率模塊的開關
2018-11-30 11:31:17
全球半導體解決方案供應商瑞薩電子今日宣布，推出一款全新柵極驅動IC——RAJ2930004AGM，用于驅動電動汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率
2023-02-15 11:19:05
2023 年 3 月 2 日，中國北京訊 - 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布，推出10款結合了瑞薩廣泛產品的全新“成功產品組合”——其中包括電動汽車（EV）充電、儀表盤
2023-03-02 14:29:51
瑞薩電子與3db Access合作推出安全超寬帶解決方案
2021-02-05 07:05:13
瑞薩推出SH7216系列32-位片上Flash存儲器MCU作者：時間：2009-04-21來源：電子產品世界字號： 小 中 大關鍵詞： 瑞薩 RISC 32MCU Flash SuperH 瑞薩
2022-01-26 06:01:47
技術系統開發課題的“答案”期待“功能模塊”長期以來，瑞薩對于IGBT和MOSFET等功率器件以及模擬數字IC、光電耦合器、驅動器IC等產品推出了低端到高端的各類控制用MCU，而瑞薩提案把電力電子技術電路
2012-12-06 16:15:17
瑞薩解決方案之LCD直接驅動瑞薩車載導航系統解決方案瑞薩解決方案之洗衣機方案瑞薩解決方案之洗衣機 (740系列, R8C Tiny, H8 Tiny)瑞薩電子智能家居解決方案【視頻】瑞薩純數字照明
2015-01-30 18:27:24
電子書“IGBT 和 SiC 柵極驅動器基礎知識”
2022-10-25 17:20:12
請問：驅動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
器。高邊連接的MOSFET或IGBT的工作電壓可高達+600V，IRS26302D廣泛用于通用逆變器和空調器逆變器以及馬達控制。它為44腳PLCC封裝工藝。一、IRS26302DJBPF外觀圖
2021-05-18 07:25:34
上一章針對與Si-MOSFET的區別，介紹了關于SiC-MOSFET驅動方法的兩個關鍵要點。本章將針對與IGBT的區別進行介紹。與IGBT的區別：Vd-Id特性Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一
2018-12-03 14:29:26
項目名稱：基于Sic MOSFET的直流微網雙向DC-DC變換器試用計劃：申請理由本人在電力電子領域（數字電源）有五年多的開發經驗，熟悉BUCK、BOOST、移相全橋、LLC和全橋逆變等電路拓撲。我
2020-04-24 18:08:05
三相逆變器中IGBT的驅動電路有哪幾種？用于IGBT驅動的集成電路芯片有哪些？其使用方法和優缺點是什么?
2021-04-20 06:35:24
和更快的切換速度與傳統的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅動在設計過程中必須仔細考慮需求。本應用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅動IC時的關鍵參數。
2023-06-16 06:04:07
。設計挑戰然而，SiC MOSFET 技術可能是一把雙刃劍，在帶來改進的同時，也帶來了設計挑戰。在諸多挑戰中，工程師必須確保：以最優方式驅動 SiC MOSFET，最大限度降低傳導和開關損耗。最大
2017-12-18 13:58:36
逆變器系統中的隔離式柵極驅動器圖1所示的隔離式柵極驅動器集成電路是牽引逆變器電力輸送解決方案不可或缺的一部分。柵極驅動器提供從低壓到高壓（輸入到輸出）的電隔離，驅動基于SiC或IGBT的三相電機半橋的高
2022-11-03 07:38:51
使用隔離式IGBT和SiC柵極驅動器的HEV/EV牽引逆變器設計指南
2022-11-02 12:07:56
3賽季）與文圖瑞車隊簽署官方技術合作協議，并在上個賽季為其提供了SiC肖特基勢壘二極管（SiC-SBD）。通過將FRD更換為SiC-SBD，第2賽季由IGBT和快速恢復二極管（FRD）組成的逆變器成功
2018-12-04 10:24:29
電子設備和工業設備。目前推出的650V耐壓產品包括RGW60TS65CHR（30A）、RGW80TS65CHR（40A）、RGW00TS65CHR（50A）。＜內置SiC二極管的IGBT
2022-07-27 10:27:04
極驅動器的優勢和期望，開發了一種測試板，其中測試了分立式IGBT和SiC-MOSFET。標準電壓源驅動器也在另一塊板上實現，見圖3。 圖3.帶電壓源驅動器（頂部）和電流源驅動器（底部）的半橋
2023-02-21 16:36:47
對于高壓開關電源應用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統硅MOSFET和IGBT明顯的優勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
快速增長的電動汽車市場，安森美半導體推出了許多IGBT、低中高壓MOSFET、高壓整流器、汽車模塊和數字隔離柵極驅動器以及一個用于48V系統的80 V 和100V MOSFET。最新增加到汽車電源
2018-10-25 08:53:48
。Eon也降低30％左右，因此共可降低77%的開關損耗。開關速度比IGBT更高全SiC模塊與IGBT模塊相比，可實現更高速度的開關。下圖為以5kHz和30kHz驅動PWM逆變器時的損耗仿真結果。從仿真
2018-12-04 10:14:32
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
和 –4V 輸出電壓以及 1W(...)主要特色用于在半橋配置中驅動 SiC MOSFET 的緊湊型雙通道柵極驅動器解決方案4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流驅動能力，適用于驅動 SiC
2018-10-16 17:15:55
IGBT的開關損耗有巨大的貢獻。SiC MOSFET不存在這種稱為尾電流的效應，并且可以以更少的能量損失完成關斷。 結論 本文討論的參數和特性揭示了電力電子設計的某些方面。當前和未來的電子設計，如電池
2023-02-24 15:03:59
的逆變器和轉變器中一般使用Si-IGBT，但尾電流和外置FRD的恢復導致的功率轉換損耗較大，因此，更低損耗、可高頻動作的SiC-MOSFET的開發備受期待。但是，傳統的SiC-MOSFET，體二極管通電
2019-03-18 23:16:12
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅動器參考設計為驅動 UPS、交流逆變器和電動汽車充電樁（電動汽車充電站）應用的功率級提供了藍圖。此設計基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
IGBT 的三相電機半橋的高側和低側功率級，并能夠監控和保護各種故障情況。圖1：電動汽車牽引逆變器框圖碳化硅 MOSFET 米勒平臺和高強度柵極驅動器的優勢特別是對于SiC MOSFET，柵極驅動器IC
2022-11-02 12:02:05
瑞薩科技推出用于筆記本CPU電源、與DrMOS相兼容的DrMOS
株式會社瑞薩科技（以下簡稱瑞薩）宣布推出R2J20653ANP，一款適用于筆記本電腦用CPU及存儲器等器件中穩壓器（VR
2010-01-08 08:51:101536 瑞薩電子株式會社(以下簡稱瑞薩電子)推出新款系統SoC——CE150。新產品面向智能手機及高端移動電話的內置照相機應用
2011-03-21 11:18:11918 瑞薩電子株式會社(以下簡稱瑞薩電子)推出用于電源器件的新型高壓、N通道功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)產品。新產品名為RJK60S5DPK
2011-03-21 11:20:251352 高級半導體解決方案領軍廠商瑞薩電子（中國）有限公司宣布推出瑞薩先進電機控制算法- 瑞薩先進電機控制解決方案Renesas Advanced Motor Drive Algorithm。
2012-07-24 15:56:112262 
瑞薩電子宣布推出新款低導通電阻MOSFET產品，包括經過最佳化的μPA2766T1A，做為網路伺服器與儲存系統之電源供應器內的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:101310 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出用于電機驅動、太陽能逆變器、新能源和焊接設備，以及其他高工作電壓應用的新款IGBT和MOSFET驅動器VOW3120-X017T，擴充其光電子產品組合。
2014-03-25 10:19:44981 全球領先的半導體解決方案供應商瑞薩電子株式會社（TSE：6723），于今日宣布推出第八代G8H系列絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的六款新產品，其可將用于太陽能發電系統的功率調節器中的轉換損耗降至最低，并減少不間斷電源（UPS）系統中的逆變器應用。
2016-03-21 13:48:223062 
2017年4月10日，日本東京訊——全球領先的半導體解決方案供應商瑞薩電子株式會社（TSE：6723）今日宣布推出新型100 kW級逆變器解決方案，實現業界領先的3.9升（L）小型設計等級，可用于包括SUV在內的中到大型混合動力汽車（HEV）和中小型電動汽車（EV）使用的100 kW級大功率電機。
2017-05-04 16:07:152497 的柵極驅動要求等。與在這種設計中正式使用的雙極晶體管相比，IGBT在驅動電路的尺寸和復雜度上都有相當大的降低。最近在IGBT開關速度的改進取得了設備適用于電源的應用，因此IGBT將與某些高電壓MOSFET以及應用。許多設計者因此轉向MOSFET驅動器以滿足其
2017-07-04 10:51:05
22 眾所周知，SiC材料的特性和優勢已被大規模地證實，它被認為是用于高電壓、高頻率的功率器件的理想半導體材料。SiC器件的可靠性是開發工程師所關心的重點之一，因為在出現基于Si材料的IGBT
2017-12-21 09:07:0438316 
全球領先的電子元器件分銷商富昌電子（Future Electronics）今日發布符合功能安全基礎的電動汽車逆變器（EV Inverter）電機驅動整套方案。
2019-03-29 10:45:113457 推動高能效創新的安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON），推出另兩個碳化硅（SiC） MOSFET系列，擴展了其寬禁帶（WBG）器件系列。 這些新器件適用于各種
2020-03-12 14:55:513302 。SiC MOSFET 和 IGBT 的應用具有相似的功 率水平，但隨著頻率的增加而產生差異，如圖 1 所示。SiC MOSFET 在功率因數校正電源、光伏逆變器、用于 EV/HEV 的直流/直流、用于 EV 的牽引逆變器、電
2022-03-18 12:07:168882 Power Integrations今日宣布推出適用于Infineon EconoDUALTM模塊的SCALETM?EV系列門極驅動板。新款驅動器同樣適用于原裝、仿制以及其它新的采用SiC的衍生模塊
2022-05-10 19:30:485123 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）宣布，面向電動汽車（EV）車載電池管理系統（BMS）設計人員推出符合AUTOSAR標準的復合驅動程序（CDD）軟件模塊。此款全新軟件與廣受業界好評的瑞薩ISL78714鋰離子電池管理IC配合使用，以加速下一代系統的設計并優化性能。
2022-06-10 11:09:002093 瑞薩電子推出用于電動汽車逆變器的新一代硅基 IGBT ? 全新功率器件將在瑞薩新落成的 300mm 甲府工廠生產 ? 2022 年 8 月 30 日，中國北京訊 - 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子
2022-08-31 13:44:211512 
新品速遞 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）宣布，推出一款全新柵極驅動IC——RAJ2930004AGM，用于驅動電動汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC
2023-02-02 11:10:022205 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）宣布，推出一款全新柵極驅動IC——RAJ2930004AGM，用于驅動電動汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。
2023-02-02 11:09:391985 柵極驅動IC作為電動汽車逆變器的重要組成部分，在逆變器控制MCU，及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。
2023-02-02 11:10:211641 RAJ2930004AGM可與瑞薩IGBT產品以及其它制造商的IGBT和SiC MOSFET器件共同使用。
2023-02-07 09:41:31836 上一章針對與Si-MOSFET的區別，介紹了關于SiC-MOSFET驅動方法的兩個關鍵要點。本章將針對與IGBT的區別進行介紹。與IGBT的區別：Vd-Id特性，Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一。
2023-02-08 13:43:202548 
在SiC MOSFET的開發與應用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩定性。
2023-02-12 15:29:034586 
在對功率模塊選型的時候要根據功率模塊的參數匹配合適的驅動器。這就要求在特定的條件下了解門級驅動性能和參數的計算方法。 本文將以實際產品中用到的參數進行計算說明，并且對比實際的IGBT和SiC
2023-02-22 14:45:3918 如何為SiC MOSFET選擇合適的驅動芯片？（英飛凌官方） 由于SiC產品與傳統硅IGBT或者MOSFET參數特性上有所不同，并且其通常工作在高頻應用環境中， 為SiC MOSFET選擇合適的柵極
2023-02-27 14:42:0483 碳化硅 MOSFET 驅動電路保護 SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶器件之一，可以在多個應用場合替換 Si MOSFET、IGBT，發揮其高頻特性，實現電力設備高功率密度。然而被應用于橋式電路
2023-02-27 14:43:029 MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章概述了 安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關鍵特性及驅動條件對它的影響 ，作為安森美提供的全方位寬禁帶
2023-06-25 14:35:021535 
電子發燒友網站提供《PMP22835.1-適用于牽引逆變器應用的隔離式IGBT 和 SiC 驅動器輔助電源 PCB layout 設計.pdf》資料免費下載
2024-05-20 11:26:360 基于國內外新能源行業發展態勢，半導體應用市場持續擴大；對于新能源充電樁、光伏SVG行業，IGBT/SiC MOSFET的應用廣泛，而驅動電源作為專為IGBT/SiC MOSFET驅動器提供驅動能力的來源，市場潛力巨大。
2023-12-01 09:47:421458 
器提供驅動能力的來源，市場潛力巨大。 金升陽致力于為客戶提供更優質的電源解決方案，基于自主電路平臺、IC平臺、工藝平臺，升級推出IGBT/SiC MOSFET專用第三代驅動電源QA-R3G/QAC-R3G系列產品，同時為結合充電樁市場應用需求，打造了全新的滿足元器件100%國產化、高可靠的R3代驅動電
2023-12-13 16:36:191583 
利用 SiC 功率器件開關頻率高、開關損耗低等優點, 將 SiC MOSFET 應用于水下航行器大功率高速電機逆變器模塊, 對軟硬件進行設計。
2024-03-13 14:31:46775 
IGBT的驅動電壓一般都是15V，而SiC MOSFET的推薦驅動電壓各品牌并不一致，15V、18V、20V都有廠家在用。更高的門極驅動電壓有助于降低器件導通損耗，SiC MOSFET的導通壓降對門
2024-05-13 16:10:171485 Littelfuse宣布推出IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動器。這款創新的驅動器專門設計用于驅動工業應用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。
2024-05-23 11:26:301651 近日，Littelfuse公司發布了IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動器，這款新型驅動器在業界引起了廣泛關注。
2024-05-23 11:34:211464 電子發燒友網站提供《使用隔離式 IGBT 和 SiC 柵極驅動器的 HEV/EV 牽引逆變器設計指南.pdf》資料免費下載
2024-09-11 14:21:390 電子發燒友網站提供《用于800V牽引逆變器的SiC MOSFET高密度輔助電源.pdf》資料免費下載
2024-09-12 09:44:146 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）宣布，率先在全球范圍內推出用于電動汽車（EV）驅動電機系統（E-Axle）的“8合1”概念驗證（注）（PoC）方案——通過單個微控制器（MCU
2024-11-21 13:51:231138 近日，瑞薩電子公司宣布推出新型100V高功率N溝道MOSFET。這款產品專為電機控制、電池管理系統、電源管理及充電應用而設計，以其卓越的高電流開關性能和行業領先的技術表現成為市場焦點。新型
2025-01-13 11:41:38957 
電子發燒友網站提供《驅動Microchip SiC MOSFET.pdf》資料免費下載
2025-01-21 13:59:122 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，最新推出一款可用于驅動碳化硅（SiC）MOSFET的柵極驅動光電耦合器——“ TLP5814H ”，具備＋6.8 A／–4.8 A的輸出電流，采用小型
2025-03-06 19:24:014004 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社今日宣布，最新推出一款可用于驅動碳化硅（SiC）MOSFET的柵極驅動光電耦合器——“TLP5814H”。該器件具備＋6.8 A／–4.8 A的輸出電流，采用小型
2025-03-11 15:11:55512 
革命性替代：為何SiC MOSFET全面淘汰IGBT？ —— 當效率差距跨越臨界點，IGBT被淘汰便是唯一結局 傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊
2025-05-30 16:24:03933 
Si-IGBT+SiC-MOSFET并聯混合驅動逆變器設計的關鍵要素
2025-06-06 08:25:172984 
Texas Instruments UCC5871-Q1 IGBT/SiC MOSFET柵極驅動器是一款隔離式、高度可配置的單通道柵極驅動器，設計用于驅動EV/HEV應用中的大功率SiC
2025-08-29 09:28:22741 
傾佳電子戶儲與工商業混合逆變器功率器件從IGBT向SiC MOSFET全面轉型的驅動因素深度研究報告 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于
2025-11-28 07:54:041874 
探索GD3162：先進IGBT/SiC柵極驅動器的卓越性能 作為電子工程師，在設計xEV牽引逆變器時，選擇合適的柵極驅動器至關重要。今天，我們就來深入了解一下NXP的GD3162——一款先進的單通道
2025-12-24 14:25:02223 瑞薩RAJ240055 R - BMS F評估套件快速上手 在電池管理系統（BMS）的開發與評估中，一款合適的評估套件能起到事半功倍的效果。今天我要給大家詳細介紹的就是瑞薩（Renesas
2025-12-26 17:25:18400 深入解析ACPL - 355JC：10A IGBT和SiC MOSFET柵極驅動光耦合器 在電力電子領域，IGBT和SiC MOSFET作為關鍵的功率開關器件，其可靠驅動至關重要。今天我們要詳細探討
2025-12-30 15:40:03308
電子發燒友App
工商網監
評論