英飛凌科技股份公司近日宣布推出滿足汽車行業(yè)的動(dòng)力總成和安全應(yīng)用的各種要求的全新32位多核單片機(jī)系列。
2012-05-22 09:33:13
4714 英飛凌科技推出用于商業(yè)航空電子設(shè)備和雷達(dá)系統(tǒng)的脈沖應(yīng)用和其他類型工業(yè)放大器的高功率晶體管。基于全新的50V LDMOS工藝技術(shù)，全新推出的器件具備高能效、適用于小型化系統(tǒng)設(shè)計(jì)
2012-07-15 01:23:461633 英飛凌科技推出全新600V CoolMOS P6 產(chǎn)品系列，專為提升系統(tǒng)效率及易于使用所設(shè)計(jì)，補(bǔ)足了專注提供頂尖效能（CoolMOS CP）及強(qiáng)調(diào)使用方便性（如 CoolMOS C6 或 E6）兩者之間的技術(shù)區(qū)間。
2012-11-13 08:54:332178 英飛凌科技股份公司已在生產(chǎn)基于300毫米薄晶圓的功率半導(dǎo)體方面取得了重大突破。今年2月，從奧地利費(fèi)拉赫工廠的300毫米生產(chǎn)線走下來的英飛凌CoolMOS?家族產(chǎn)品，得到了第一批客戶的首肯。
2013-02-25 09:52:061905 英飛凌科技股份公司（FSE代碼： IFX / OTCQX代碼： IFNNY）進(jìn)一步壯大其高壓產(chǎn)品組合，推出采用全新650V超結(jié)MOSFET技術(shù)的CoolMOSTM C7。全新的C7產(chǎn)品家族針對(duì)所有標(biāo)準(zhǔn)封裝實(shí)現(xiàn)了一流的通態(tài)電阻RDS（on）。另外，得益于低開關(guān)損耗，還可在任何負(fù)載條件下實(shí)現(xiàn)能效改進(jìn)。
2013-05-20 11:31:282996 英飛凌CE系列CoolMOS 是英飛凌公司專為消費(fèi)類電子產(chǎn)品和照明產(chǎn)品推出的高壓功率MOSFET。##該案例為一款全球輸入范圍的15W充電器。##接下來介紹CE系列CoolMOS產(chǎn)品應(yīng)用于LED球泡燈驅(qū)動(dòng)器的案例。
2015-03-24 13:50:074833 更高密度的低功率SMPS設(shè)計(jì)需要越來越多的高壓MOSFET器件。英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出CoolMOS? P7系列的新成員950 V CoolMOS P7超結(jié)MOSFET器件。
2018-08-27 14:15:536744 為滿足電動(dòng)汽車市場的需求，英飛凌推出了全新的650V CoolMOS? SJ功率 MOSFET CFD7A系列。這一產(chǎn)品經(jīng)過專門優(yōu)化，可以滿足電動(dòng)汽車應(yīng)用 （如車載充電器、HV-LV DC-DC 轉(zhuǎn)換器和輔助電源）的要求。
2020-05-31 09:15:361998 高功率密度 → 更緊湊的設(shè)計(jì)CoolMOS CFD7A在硬開關(guān)和諧振開關(guān)拓?fù)?/b>中，尤其是輕負(fù)荷條件下具有較大改進(jìn)，令效率更上一層樓。與之前幾代產(chǎn)品相比，其在相同柵極損耗的水平下可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率；而且這一產(chǎn)品組合極具前景，使CFD7A成為減少系統(tǒng)重量和空間以實(shí)現(xiàn)更緊湊設(shè)計(jì)的關(guān)鍵因素。
2023-09-12 10:46:362659 
在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，英飛凌最新推出的CoolSiCMOSFETGen2系列產(chǎn)品，單管有D2PAK-7L表貼式和TO-247-4HC高爬電距離通孔式兩種封裝形式。與上一代產(chǎn)品相比，英飛凌全新
2025-08-19 14:45:005067 
Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進(jìn)入氮化鎵場效應(yīng)管（GaN）市場。
2019-11-22 15:16:322459 通過立足于超結(jié)技術(shù)創(chuàng)新和20多年的豐富經(jīng)驗(yàn)，英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）進(jìn)一步擴(kuò)展其CoolMOSTM產(chǎn)品組合，推出全新PFD7系列，該系列不僅具備一流的性能
2020-02-14 18:50:133171 隨著新產(chǎn)品的發(fā)布，英飛凌完善了其600V/650V細(xì)分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合
2020-02-26 08:26:001692 英飛凌科技股份公司成功開發(fā)出滿足最高效率和質(zhì)量要求的解決方案。對(duì)于MOSFET低頻率開關(guān)應(yīng)用而言，新推出的600 V CoolMOS? S7系列產(chǎn)品可帶來領(lǐng)先的功率密度和能效。
2020-03-04 07:46:001789 憑借在汽車領(lǐng)域的多年從業(yè)經(jīng)驗(yàn)，英飛凌將遠(yuǎn)超AEC Q101標(biāo)準(zhǔn)的最高品質(zhì)與出色的技術(shù)知識(shí)相結(jié)合，推出CoolMOS? CFD7A系列。
2020-05-09 09:05:381328 英飛凌推出了全新分立式封裝的650 V TRENCHSTOP? 5 WR6系列。
2021-07-14 14:56:194704 
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片（S5/H5），進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:422572 
/ OTCQX代碼：IFNNY）推出了適用于反激式拓?fù)?/b>結(jié)構(gòu)的ICC80QSG單級(jí)脈沖寬度調(diào)制（PWM）控制器，進(jìn)一步擴(kuò)展了英飛凌旗下AC-DC控制器IC的產(chǎn)品陣容。該IC專為電池充電應(yīng)用量身定制，與CoolMOS? P7超級(jí)結(jié)（SJ）MOSFET配合使用，實(shí)現(xiàn)輸出功率高達(dá)130 W的、可擴(kuò)展的功率設(shè)
2022-10-10 17:06:251150 
【 2023 年 5 月 12 日，德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌
2023-06-06 11:01:361578 
【 2023 年 8 月 4 日 ， 德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出搭載1200 V TRENCHSTOP? IGBT7芯片的62 mm
2023-08-07 11:12:56898 
基于Integrity Guard 32的增強(qiáng)型安全架構(gòu)，在安全性、效率、性能和易用性方面樹立全新行業(yè)標(biāo)桿 ? ? 【 2023 年 8 月 18 日 ， 德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE
2023-08-21 14:32:22904 
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX：IFNNY）推出分立式650V IGBT7 H7新品，進(jìn)一步擴(kuò)展其第七代TRENCHSTOP? IGBT產(chǎn)品陣容。全新器件配備尖端的EC7共
2023-11-03 11:40:491464 
? Edge。PSoC?產(chǎn)品組合是英飛凌基于Arm? Cortex?內(nèi)核打造的高性能且低功耗的安全器件。PSoC Edge 專為新一代實(shí)時(shí)響應(yīng)計(jì)算和控制應(yīng)用而設(shè)計(jì)，并提供由硬件輔助的機(jī)器學(xué)習(xí)（ML
2023-11-30 15:55:381301 
：IFNNY）順應(yīng)系統(tǒng)層面的發(fā)展趨勢，推出業(yè)界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務(wù)器、計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和人工智能應(yīng)用上提升DC-DC轉(zhuǎn)換率
2023-12-12 18:04:371464 
【 2023 年 12 月 19 日，德國慕尼黑訊】 為提高結(jié)溫傳感的精度，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出帶有集成溫度傳感器的全新CoolMOS
2023-12-19 15:22:261727 
的 48 V板網(wǎng)應(yīng)用。它專為滿足高要求汽車應(yīng)用所需的高性能、高質(zhì)量和穩(wěn)健性而打造，包括電動(dòng)汽車的汽車直流-直流轉(zhuǎn)換器、48 V電機(jī)控制（例如電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)
2024-04-16 09:58:445848 
理應(yīng)用的600 V CoolMOS? S7TA超級(jí)結(jié)MOSFET。S7TA專為滿足汽車電子部件的特殊要求而設(shè)計(jì)，其集成溫度傳感器在工業(yè)應(yīng)用同類產(chǎn)品（CoolMOS? S7T）取得的進(jìn)步基礎(chǔ)上，顯著提高了結(jié)溫傳感
2024-06-24 16:18:221537 
【 2024 年 7 月 9 日，德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出兩項(xiàng)全新的CoolGaN?產(chǎn)品技術(shù)：CoolGaN?雙向開關(guān)（BDS
2024-07-09 17:17:171685 
CoolMOS CFD2系列，具有快速的體二極管，低Coss，高達(dá)650V的擊穿電壓，使LLC拓?fù)?/b>開關(guān)電源具有更高的效率和可靠性。 參考文獻(xiàn)：1. Gary Chang “Why choose
2018-12-05 09:56:02
，英飛凌成功完成了全新40V 和 60V MOSFET的開發(fā)工作。 與OptiMOS?3技術(shù)直接比較，結(jié)果表明，新一代MOSFET不僅可極大地降低通態(tài)電阻RDS(on)，還可大幅改進(jìn)開關(guān)特性。 阻斷電壓為
2018-12-06 09:46:29
專為工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)而生，打造DTU600系列，助力數(shù)據(jù)超遠(yuǎn)距離傳輸！明遠(yuǎn)智睿的DTU600系列，工業(yè)場景專用設(shè)計(jì)，符合工業(yè)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，采用高性能的工業(yè)級(jí)32位通信處理器，具備軟件多級(jí)檢測和硬件多重保護(hù)機(jī)制
2021-12-17 17:46:35
COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
2023-11-01 14:33:15
COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
2023-11-01 14:33:09
COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
2023-11-01 14:33:13
IPW65R080CFD - 650V CoolMOS CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
IPW65R310CFD - 650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
IPW65R420CFD - 650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
IPW65R660CFD - 650V CoolMOS CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
IPX65R310CFD - 650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
－減小系統(tǒng)EMI使得外置的吸收電路不再需要預(yù)先注冊(cè)本次在線研討會(huì)，將會(huì)增大在7月18日至7月28日2012 英飛凌夏季大型網(wǎng)絡(luò)活動(dòng)“CoolMOS? 開門吧”活動(dòng)中的中獎(jiǎng)機(jī)率！獲獎(jiǎng)攻略；1、預(yù)先注冊(cè)本次
2012-07-13 10:50:22
的數(shù)字產(chǎn)品和解決方案，在提供高性能表現(xiàn)的產(chǎn)品和系統(tǒng)解決方案的同時(shí)，極大的減輕了客戶庫存的壓力和新產(chǎn)品推出的周期，擴(kuò)展了研發(fā)設(shè)計(jì)的靈活性。英飛凌照明驅(qū)動(dòng)IC以其豐富的產(chǎn)品類型，廣泛的拓?fù)?/b>組合，搭配業(yè)界領(lǐng)先功率晶體管CoolMOS技術(shù)，充分滿足了LED驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)的半導(dǎo)體器件選型需求。
2019-10-18 06:23:59
：www.ncepower.com。歡迎大家查看。目前我司已經(jīng)量產(chǎn)的Super junction有以下幾類：650V 25A/11A/7A/4ATO220/TO247600V 25A/11A/7A/4ATO220
2011-01-05 09:49:53
CoolMOSCFD/CFD7系列的Qrr比上一代CoolMOS CFD改進(jìn)了十倍，但CoolSiC的Qrr參數(shù)再比CoolMOS CFD/CFD7的Qrr又降低了五到十倍。這意味著，通過使用48mΩCoolSiC
2023-03-14 14:05:02
開關(guān)，如何降低失效率，提升系統(tǒng)可靠性，降低系統(tǒng)的成本有更高的要求。CoolMOS，具有快速的體二極管，低Coss,有的可高達(dá)650V的擊穿電壓，使LLC拓?fù)?/b>開關(guān)電源具有更高的效率和可靠性。
2018-12-03 11:00:50
軟開關(guān)，如何降低失效率，提升系統(tǒng)可靠性，降低系統(tǒng)的成本有更高的要求。CoolMOS，具有快速的體二極管，低Coss，有的可高達(dá)650V的擊穿電壓，使LLC拓?fù)?/b>開關(guān)電源具有更高的效率和可靠性。
2018-12-12 18:35:12
的數(shù)字產(chǎn)品和解決方案，在提供高性能表現(xiàn)的產(chǎn)品和系統(tǒng)解決方案的同時(shí)，極大的減輕了客戶庫存的壓力和新產(chǎn)品推出的周期，擴(kuò)展了研發(fā)設(shè)計(jì)的靈活性。英飛凌照明驅(qū)動(dòng)ＩＣ以其豐富的產(chǎn)品類型，廣泛的拓?fù)?/b>組合，搭配業(yè)界領(lǐng)先功率晶體管CoolMOS技術(shù)，充分滿足了LED驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)的半導(dǎo)體器件選型需求。
2019-08-06 06:14:02
。IPL65R190E6 ——作為650V CoolMOS?E6器件的代表，具備快速、可控的開關(guān)性能，適用于效率和功率密度是關(guān)鍵要求的應(yīng)用。650VCoolMOS? E6器件易于應(yīng)用，是各種高能效開關(guān)產(chǎn)品
2017-04-12 18:43:19
母線電路需設(shè)計(jì)極小寄生電感。因此，可選用具備軟開關(guān)特性的專用IGBT，例如全新的650V IGBT4。如圖2所示， 600V IGBT3（快速）和650V IGBT4（軟度）在開關(guān)性能方面差別明顯，采用
2018-12-07 10:16:11
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術(shù)為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹立了行業(yè)新桿標(biāo)。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態(tài)電阻、低容性損耗特性與改進(jìn)反向恢復(fù)過程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
英飛凌推出200V和250V OptiMOS系列器件
英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，進(jìn)一步擴(kuò)大OptiMOSTM產(chǎn)品陣容。全新200V和250V器件適用于48V系統(tǒng)
2010-01-26 09:22:571239 英飛凌推出性能領(lǐng)先業(yè)界的200V和250V OptiMOSTM系列器件，壯大功率MOSFET 產(chǎn)品陣
2010年1月21日，德國Neubiberg訊——英飛凌科技股份公司（FSE：IFX / OTCQX： IFNNY）近
2010-01-26 09:25:271386 英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級(jí)結(jié)（SJ）器件的優(yōu)勢（如低導(dǎo)通電阻和低容性開關(guān)損耗）與輕松控制的開關(guān)行為、及
2010-07-05 08:48:262309 英飛凌新一代CoolMOS CFD2器件具備最低的通態(tài)電阻和高達(dá)650V的阻斷電壓。這種的器件還具備極低的反向恢復(fù)電荷和結(jié)實(shí)耐用的內(nèi)置體二極管。數(shù)據(jù)表規(guī)范中將提供全新的Qrr和trr最大值。
2011-02-14 09:04:424944 
英飛凌目前正推出另一項(xiàng)重要的創(chuàng)新型高壓CoolMOS MOSFET。這種全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具備650V漏源電壓并集成快速體二極管的高壓晶體管。
2011-02-16 09:11:172280 英飛凌科技股份公司近日宣布推出確保智能手機(jī)和其他移動(dòng)終端實(shí)現(xiàn)全球?qū)Ш叫l(wèi)星系統(tǒng)（GNSS）功能的全新接收前端模塊系列。
2011-08-11 09:32:241265 英飛凌科技股份有限公司擴(kuò)展其車用功率半導(dǎo)體系列產(chǎn)品，推出全新 650V CoolMOS CFDA。這是業(yè)界首創(chuàng)整合高速本體二極體技術(shù)的超接面 MOSFET 解決方案，符合最高的汽車認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn) AEC-Q101。
2012-04-05 09:31:021772 CoolMOS具有優(yōu)越的直流特性。為了設(shè)計(jì)出一個(gè)600V CoolMOS結(jié)構(gòu)，首先CoolMOS的結(jié)構(gòu)人手，結(jié)合電荷平衡 理論，分析了其高擊穿電壓BV、低導(dǎo)通電阻R。 的原理。通過理論計(jì)算，得到相關(guān)的設(shè)計(jì)
2012-06-20 16:37:20
48 e絡(luò)盟日前宣布新增來自全球半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案領(lǐng)先提供商英飛凌的CoolMOS?與OptiMOS?系列產(chǎn)品，進(jìn)一步擴(kuò)充其功率MOSFET產(chǎn)品組合。
2015-03-02 17:37:381775 英飛凌推出全新可控逆導(dǎo)型IGBT芯片，可提高牽引和工業(yè)傳動(dòng)等高性能設(shè)備的可靠性
2015-06-24 18:33:292863 
電源制造商需要使用能夠提供最佳性能、效率、穩(wěn)健性且便于設(shè)計(jì)的器件。為此，英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出了第5代固定頻率700 V/800 V
2018-04-03 17:01:2611746 ?CE ，及最新一代超高性價(jià)比的CoolMOS? P7，每系列產(chǎn)品一經(jīng)推出都在CoolMOS?市場獨(dú)領(lǐng)風(fēng)騷。
2018-09-06 15:54:257884 全球連接與傳感領(lǐng)域領(lǐng)軍企業(yè)TE Connectivity (TE)近日宣布推出微型同軸電纜連接器。節(jié)省空間的微型同軸電纜連接器具有堅(jiān)固、緊湊的設(shè)計(jì)，專為高性能微波系統(tǒng)而打造。TE的連接器專為接受
2018-11-07 15:46:131396 CoolSiC肖特基二極管650V G6系列是英飛凌不斷提高技術(shù)和流程的結(jié)果，讓碳化硅肖特基二極管的設(shè)計(jì)和開發(fā)更具價(jià)格優(yōu)勢，性能一代更比一代強(qiáng)。因此，G6是英飛凌最具有性價(jià)比的CooSiC肖特基二極管的一代，在同等價(jià)格下提供最高能效。
2019-09-24 10:42:524926 
、CFD7系列，與650V CoolSiC G6系列肖特基二極管則是方案設(shè)計(jì)中能效與功率密度的“雙贏”之選。再搭配英飛凌最新的第五代準(zhǔn)諧振CoolSET 系列產(chǎn)品以及EiceDRIVER系列驅(qū)動(dòng)IC芯片。
2019-09-24 11:20:593717 
以600V的IPW60R070CFD7為例，我們從下圖顯示的應(yīng)用測量結(jié)果也可以看出，最新的CoolMOS CFD7系列功能在諧振開關(guān)拓?fù)?/b>結(jié)構(gòu)中可顯著提高效率。CoolMOS CFD7系列與市場上
2019-09-24 14:22:323335 
英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標(biāo)志著公司進(jìn)一步增強(qiáng)了在低壓SiC領(lǐng)域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:505544 什么樣的MOSFET才適合儲(chǔ)能系統(tǒng)？英飛凌全新推出了碳化硅MOSFET：650V CoolSiC MOSFET產(chǎn)品系列，幫助儲(chǔ)能系統(tǒng)輕松實(shí)現(xiàn)更高效、更高功率密度以及雙向充/放電的設(shè)計(jì)。
2020-08-21 14:01:251416 
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:291160 
CoolMOS? CFD7 是英飛凌最新具有集成快速體二極管的高壓 superjunction MOSFET 技術(shù)，補(bǔ)全了 CoolMOS? 7 系列。
2022-09-30 17:09:322342 ? PFD7高壓MOSFET系列，為950V 超結(jié)（SJ）技術(shù)樹立了新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。全新950V系列具有出色的性能和易用性，采用集成的快速體二極管，可確保器件的穩(wěn)健性，同時(shí)降低了BOM（材料清單）成本。該產(chǎn)品專為超高功率密度和超高效率的產(chǎn)品設(shè)計(jì)量身打造，主要用于照明系統(tǒng)以及消費(fèi)和工業(yè)領(lǐng)域的開關(guān)電
2022-11-09 11:33:15973 
650V 快速恢復(fù) SuperFET? II MOSFET 在諧振拓?fù)?/b>中實(shí)現(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性
2022-11-14 21:08:360 SP9683高頻準(zhǔn)諧振、集成650V氮化鎵功率器件，30W高性能ACDC芯片
2023-10-21 15:43:273418 
英飛凌科技推出分立式650VIGBT7H7新品，進(jìn)一步擴(kuò)展其TRENCHSTOPIGBT7產(chǎn)品陣容。全新器件配新一代發(fā)射極控制的EC7續(xù)流二極管，以滿足對(duì)環(huán)保和高效電源解決方案日益增長的需求
2023-11-21 08:14:061085 
英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項(xiàng)技術(shù)經(jīng)過系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化，主要應(yīng)用于服務(wù)器和計(jì)算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:491820 
2024年1月4日，致力于亞太地區(qū)市場的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布其旗下品佳推出基于英飛凌（Infineon）XMC4200微控制器和CFD7 CoolMOS MOSFET的3.3KW高功率密度雙向相移全橋方案。
2024-01-05 09:45:011489 
英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的650V軟特性發(fā)射極控制高速二極管EC7。這款二極管采用TO247-2封裝，具有2個(gè)引腳，不僅增加了安規(guī)距離，提高了可靠性，而且適用于多種應(yīng)用場景。
2024-02-01 10:50:021808 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，開啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比，英飛凌全新
2024-03-12 08:13:021124 英飛凌科技股份公司，作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司，近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列，這一創(chuàng)新產(chǎn)品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，為設(shè)計(jì)人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。
2024-03-20 10:27:291466 英飛凌科技近日推出了其最新的OptiMOS? 7 80 V系列首款產(chǎn)品——IAUCN08S7N013。這款MOSFET技術(shù)不僅顯著提升了功率密度，還采用了通用且堅(jiān)固的SSO8 5x6mm2 SMD封裝。
2024-05-07 15:08:071440 英飛凌科技發(fā)布了其全新SSI系列固態(tài)隔離器，這是一款集成了隔離型柵極驅(qū)動(dòng)電源的革命性產(chǎn)品。SSI系列固態(tài)隔離器旨在驅(qū)動(dòng)MOS電壓驅(qū)動(dòng)型功率晶體管，如CoolMOS?、OptiMOS?、TRENCHSTOP? IGBT或CoolSiC?，無需額外的專用電源來驅(qū)動(dòng)功率晶體管的柵極。
2024-05-11 11:35:171228 德州儀器（TI）近日推出了一款具有劃時(shí)代意義的650V三相氮化鎵（GaN）集成電源模塊（IPM）——DRV7308，專為250W電機(jī)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用量身打造。這款全新的GaN IPM憑借其卓越的性能，為大型家用電器及加熱、通風(fēng)和空調(diào)（HVAC）系統(tǒng)的工程師們帶來了前所未有的便利。
2024-06-18 16:06:011457 6 月 20 日,一加聯(lián)合全球電芯制造業(yè)引領(lǐng)者寧德新能源科技,正式發(fā)布全新的專為高性能手機(jī)打造的冰川電池,并宣布將在一加新機(jī)一加 Ace 3 Pro 上首發(fā)搭載。一加中國區(qū)總裁李杰表示:“拋開性能談
2024-06-21 09:09:13875 
產(chǎn)品系列。該系列器件結(jié)合了600 V CoolMOS? 7 MOSFET系列的先進(jìn)特性，是P7、PFD7、C7、CFD7、G7 和 S7產(chǎn)品系列的后續(xù)產(chǎn)品。全新超結(jié)MOSFET實(shí)現(xiàn)了具有高成本效益的硅
2024-06-26 18:12:00939 
英飛凌再次引領(lǐng)行業(yè)潮流，最新推出的600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列，以其卓越的技術(shù)創(chuàng)新和卓越性價(jià)比，在全球范圍內(nèi)樹立了高壓超級(jí)結(jié)MOSFET技術(shù)的新標(biāo)桿。作為英飛凌新一代硅基
2024-09-03 14:50:451266 英飛凌推出的CoolMOS? S7T和S7TA SJ MOSFET，集成了先進(jìn)的溫度傳感器技術(shù)，專為工業(yè)和汽車領(lǐng)域設(shè)計(jì)，顯著提升了結(jié)溫測量的精準(zhǔn)度與穩(wěn)定性。這一創(chuàng)新不僅簡化了溫度監(jiān)測流程，還增強(qiáng)了功能安全性，為低頻大電流開關(guān)應(yīng)用樹立了新標(biāo)桿。
2024-09-03 14:51:391102 硅基MOSFET技術(shù)，旨在取代現(xiàn)有的高/低功率開關(guān)電源（SMPS）的CoolMOS7產(chǎn)品系列（包括P7、S7、CFD7、C7、G7和PFD7）。它也是CoolGa
2024-09-03 08:02:39930 新品符合AQG324標(biāo)準(zhǔn)的車載充電用CoolMOSCFD7A650VEasyPACK模塊符合AQG324標(biāo)準(zhǔn)的EasyPACK采用了最新的CoolMOSCFD7A650V芯片和一個(gè)集成的直流緩沖器
2024-11-08 01:03:32975 600V CoolMOS S7T集成溫度傳感器，提高了結(jié)溫測量的精度和魯棒性，同時(shí)容易使用。該器件針對(duì)低頻和大電流開關(guān)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，它是固態(tài)繼電器、固態(tài)斷路器和SMPS中有源整流電路的理想選擇。集成溫度傳感器提供CoolMOS S7結(jié)溫測量功能，提高了器件利用率。
2024-11-13 11:36:231027 傾佳電子楊茜以服務(wù)器電源應(yīng)用中，B3M040065Z替代英飛凌COOLMOS IPZA65R029CFD7進(jìn)行分析 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊
2025-02-10 09:44:58582 
公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴(kuò)展其CoolSiC MOSFET 650 V單管產(chǎn)品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個(gè)全新產(chǎn)品系列。 CoolSiC MOSFET
2025-02-21 16:38:52758 
：IFNNY）又推出E型混合反激控制器系列。專為高性能應(yīng)用設(shè)計(jì)的全新XDP混合反激數(shù)字控制器系列，采用先進(jìn)的不對(duì)稱半橋（AHB）拓?fù)?/b>結(jié)構(gòu)，將反激轉(zhuǎn)換器的簡易性和諧振轉(zhuǎn)換器的效率相結(jié)合，從而實(shí)現(xiàn)高功率密度設(shè)計(jì)。因此，該控制器系列適用于各類AC/DC應(yīng)用，包括二級(jí)市場和原廠充電器、
2025-03-28 16:42:13762 
英飛凌推出2.5kW功率因數(shù)校正（PFC）評(píng)估板，展示TO-247 4針CoolMOS? C7 MOSFET的高效能表現(xiàn)。該評(píng)估板集成PFC控制器、MOSFET驅(qū)動(dòng)器和碳化硅二極管，專為電源電子工程師設(shè)計(jì)，用于評(píng)估4針封裝在效率和信號(hào)質(zhì)量上的優(yōu)勢。
2025-05-19 13:49:001208 
新品EiceDRIVER650V+/-4A高壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器1ED21x7系列英飛凌的新一代EiceDRIVER1ED21x7x650V、+/-4A柵極驅(qū)動(dòng)器IC與其他產(chǎn)品相比，提供了一種更穩(wěn)健、更具
2025-05-21 17:07:11602 新品650VCoolMOS8超結(jié)(SJ)MOSFET英飛凌推出全新650VCoolMOS8引領(lǐng)全球高壓超結(jié)SJMOSFET技術(shù)，為行業(yè)技術(shù)和性價(jià)比樹立了全球標(biāo)準(zhǔn)。該系列為高功率應(yīng)用提供了額外的50V
2025-07-04 17:09:031016 及TO-247-3和TO-247-4封裝擴(kuò)展其CoolSiC??400V G2 MOSFET產(chǎn)品組合。此外，英飛凌還推出了三款額定電壓為440V（連續(xù)）和455V（瞬態(tài)）的TOLL封裝新產(chǎn)品
2025-10-31 11:00:59297 Andes晶心科技為高效能、低功耗32/64位元RISC-V處理器的領(lǐng)先供應(yīng)商，今日宣布推出全新D23-SE核心。這款處理器體積小巧且具備功能安全設(shè)計(jì)，專為功能車用安全應(yīng)用打造。 D23-SE 以
2025-12-17 10:51:09808 探索英飛凌OptiMOS? 7 40V N溝道MOSFET：電機(jī)驅(qū)動(dòng)的新突破 在電子工程師的日常工作中，為電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)挑選合適的MOSFET至關(guān)重要。英飛凌最新推出的OptiMOS? 7 40V N
2025-12-18 14:30:06188 深挖1ED21x7x系列：650V高端柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越性能與應(yīng)用解析 在電力電子領(lǐng)域，柵極驅(qū)動(dòng)器的性能對(duì)于功率器件的高效、穩(wěn)定運(yùn)行起著關(guān)鍵作用。今天我們就來深入探討英飛凌（Infineon
2025-12-18 16:10:12227
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