美國SemiSouth Laboratories公司發布了耐壓為650V和耐壓為1700V的SiC制JFET產品,均為常開型功率元件。耐壓為650V的產品名稱為“SJDA065R055”,導通電阻為55mΩ,漏電流在室溫時(25℃)為30A,在
2012-05-21 10:31:01
2901 瑞薩電新發表13款具備高效能之第7代絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)系列新產品。新款IGBT包括650V的RJH/RJP65S系列與1250V的RJP1CS系列。新款IGBT是將系統中的直流電轉換為交流電的功率半導體裝
2012-07-31 11:34:28
2027 高功率密度 → 更緊湊的設計CoolMOS CFD7A在硬開關和諧振開關拓撲中,尤其是輕負荷條件下具有較大改進,令效率更上一層樓。與之前幾代產品相比,其在相同柵極損耗的水平下可實現更高的開關頻率;而且這一產品組合極具前景,使CFD7A成為減少系統重量和空間以實現更緊湊設計的關鍵因素。
2023-09-12 10:46:36
2660 
Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA,宣布其進入氮化鎵場效應管(GaN)市場。
2019-11-22 15:16:32
2459 隨著新產品的發布,英飛凌完善了其600V/650V細分領域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導體產品組合
2020-02-26 08:26:00
1692 憑借在汽車領域的多年從業經驗,英飛凌將遠超AEC Q101標準的最高品質與出色的技術知識相結合,推出CoolMOS? CFD7A系列。
2020-05-09 09:05:38
1328 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續流二極管,取代了傳統Si的Rapid1快速續流二極管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),進一步優化了系統效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:42
2572 
BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
逆變器等中高功率領域,可顯著的減少電路的損耗,提高電路的工作頻率。 關斷波形圖(650V/10A產品) 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
0前言家用逆變焊機因其體較小,操作方便,市場接受度逐步提高。因市電220V輸入的特點,一般采用600V/650V規格的IGBT作為逆變主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
2是Infineon CoolMOS CFD系列的第二代產品也是目前市場上第一顆650V并且帶快恢復二極管的650V高壓MOSFET。極低的Qrr和trr使得該MOSFET可以輕松的應對LLC硬關斷時各種現象
2018-12-05 09:56:02
IPW65R080CFD - 650V CoolMOS CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
IPW65R310CFD - 650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
IPW65R420CFD - 650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
IPW65R660CFD - 650V CoolMOS CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
IPX65R310CFD - 650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
在內的各種應用中的采用。當前的SiC-SBD產品結構分為耐壓為650V與1200V、額定電流為5A~40A的產品,具體因封裝而異。其概要如下表所示。另外,ROHM正在開發650V產品可支持達100A
2018-12-04 10:09:17
`深圳市三佛科技有限公司 供應 ITA07N65650V 7A N溝道 MOS管 7N65,原裝,庫存現貨熱銷ITA07N657A 650V TO-220FN溝道 MOS管 /場效應管
2021-03-24 10:35:56
;TSD5N60MTruesemi 其它相關產品請 點擊此處 了解特性:3.0A,650V,最大RDS(on)= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷(典型值為16nC)快速切換經過100%雪崩測試改進的dv/dt功能主要參數:應用:高效開關模式電源,基于半橋拓撲的有源功率因數校正`
2020-04-30 15:13:55
:www.ncepower.com。歡迎大家查看。目前我司已經量產的Super junction有以下幾類:650V 25A/11A/7A/4ATO220/TO247600V 25A/11A/7A/4ATO220
2011-01-05 09:49:53
本帖最后由 3T華鉆電子 于 2020-9-22 17:05 編輯
新潔能原廠 NCE65T360F 650V 11A TO-220F 超結場效應管 ,原裝正品,優勢價格。深圳市華鉆電子
2019-12-31 15:08:03
650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
用于AC/DC變換器應用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
% Inom(IC=300A)電流關斷時,600V IGBT3會產生一個很高的過沖電壓VCE,max 和階躍振蕩。相反,特別為這種高電流應用設計的650V IGBT4,即使典型直流電壓達到300V
2018-12-07 10:16:11
CoolMOS? 650V CFD器件具備極低的反向恢復電荷Qrr、極短的反向恢復時間trr 和極小的反向恢復電流最大值Irrm。 圖2在di/dt=100A/μs、 25°C和 Vr=400V等條件下測量
2018-12-03 13:43:55
微電子供應svf7n65f場效應管7a 650v mos管封裝TO-220F提供svf7n65f參數詳細參數、規格書等,是士蘭微MOS代理商,更多產品手冊、應用料
2022-03-30 15:41:09
英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產品系列將現代超級結(SJ)器件的優勢(如低導通電阻和低容性開關損耗)與輕松控制的開關行為、及
2010-07-05 08:48:26
2309 Cree 公司日前宣布推出最新Z-Rec 650V 結型肖特基勢壘 (JBS) 二極管系列,以滿足最新數據中心電源系統要求。新型 JBS
2010-12-23 08:49:37
1526 英飛凌新一代CoolMOS CFD2器件具備最低的通態電阻和高達650V的阻斷電壓。這種的器件還具備極低的反向恢復電荷和結實耐用的內置體二極管。數據表規范中將提供全新的Qrr和trr最大值。
2011-02-14 09:04:42
4945 
英飛凌目前正推出另一項重要的創新型高壓CoolMOS MOSFET。這種全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具備650V漏源電壓并集成快速體二極管的高壓晶體管。
2011-02-16 09:11:17
2281 英飛凌科技股份有限公司擴展其車用功率半導體系列產品,推出全新 650V CoolMOS CFDA。這是業界首創整合高速本體二極體技術的超接面 MOSFET 解決方案,符合最高的汽車認證標準 AEC-Q101。
2012-04-05 09:31:02
1772 2014年10月21日,北京——全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出多款堅固可靠的650V IRGP47xx器件,藉以擴充絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列。
2014-10-21 15:27:42
2388 G2S06505A 650V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 TO-220
2016-06-17 15:42:45
4 G2S06505C 650V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 兼容C3D03065E C3D04065E
650V/5A碳化硅肖特基功率二極管
產品特性
?
正溫度系數,易于并聯使用
?不受溫度影響的開關特性
?
最高工作溫度175℃?零反向恢復電流? 零正向恢復電壓
2016-06-17 15:42:45
4 意法半導體推出新款M系列650V IGBT,為電源設計人員提供一個更快捷經濟的能效解決方案,新款M系列650V IGBT,為電源設計人員提供一個更快捷經濟的能效解決方案,適用于暖通空調系統(HVAC
2016-11-02 17:19:43
2436 ROHM第三代碳化硅MOSFET特點(相比第二代)ROHM第三代設計應用于650V和1200V產品之中,包括分立或模組封裝。本報告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET,并利用光學顯微鏡和掃描電鏡研究復雜的碳化硅溝槽結構。
2018-08-20 17:26:29
10826 Infineon公司CoolMOS?系列一直是行業標桿, 從跨時代意義的CoolMOS? C3到升級版的 CoolMOS? C6、 CoolMOS? C7、CoolMOS? P6、 CoolMOS
2018-09-06 15:54:25
7885 碳化硅(SiC)功率半導體制造商UnitedSiC/美商聯合碳化硅股份有限公司 宣布,已經為UJ3C(通用型)和UF3C(硬開關型)系列650V SiC FET新增加了7種新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封裝組合產品。
2019-05-08 09:04:02
2246 、CFD7系列,與650V CoolSiC G6系列肖特基二極管則是方案設計中能效與功率密度的“雙贏”之選。再搭配英飛凌最新的第五代準諧振CoolSET 系列產品以及EiceDRIVER系列驅動IC芯片。
2019-09-24 11:20:59
3717 
英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET,標志著公司進一步增強了在低壓SiC領域的布局,650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:50
5549 新款 650 V器件擴展了聲譽卓越的 CoolMOS CFD7 系列的電壓范圍,且為 CoolMOS CFD2 的后繼產品。
2020-10-09 15:28:26
1590 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(東芝)宣布,在其TOLL(TO-無引線)封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級結功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:23
1813 
前言背景: 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續流二極管,取代了傳統Si的Rapid1快速續流二極管
2021-03-26 16:40:20
3459 
Step7v54編程使用手冊說明。
2021-04-30 10:18:29
8 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續流二極管,取代了傳統Si的Rapid1快速續流二極管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),進一步優化了系統效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29
1160 
CoolMOS? CFD7 是英飛凌最新具有集成快速體二極管的高壓 superjunction MOSFET 技術,補全了 CoolMOS? 7 系列。
2022-09-30 17:09:32
2342 ROHM最近新推出650V耐壓IGBT“RGTV系列(短路耐受能力保持型)”和“RGW系列(高速開關型)”共21種機型,該系列產品同時實現了業界頂級的低傳導損耗和高速開關特性,并大大減少了開關時的過沖。
2023-02-09 10:19:25
1901 
RJH65D27BDPQ-A0 數據表 (650V - 50A - IGBT Application: Inverter)
2023-03-24 18:53:25
0 Nexperia | 用于汽車和工業的650V超快恢復整流管
2023-05-24 12:16:57
1193 380mΩSuper-junctionMOSFET3、晶圓(Wafer-KGD)-Nmos:650V7A650mΩSuper-junctionPowerMOSFET4、晶圓(Wafer-K
2022-04-24 11:34:23
2201 
RJH65D27BDPQ-A0 數據表 (650V - 50A - IGBT Application: Inverter)
2023-07-10 20:42:51
0 圳市森國科科技股份有限公司日前發布了第五代Thinned MPS SiC二極管KS04065(650V/4A)、KS06065(650V/6A)
2023-07-12 17:06:27
2049 
開關電源芯片U6773D內置5A 650V 的MOS,支持準諧振降壓型LED恒流、恒壓輸出應用,僅需將SEL管腳短接到GND管腳即可。
2023-07-18 15:48:01
1708 繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產品后,2023年7月 森國科正式對外推出650V超結MOSFET系列新品 ,相較于傳統的功率MOSFET,SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16
2414 
電子發燒友網站提供《SLP12N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:06:57
0 電子發燒友網站提供《SLP10N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:12:25
0 電子發燒友網站提供《SLP8N65C美浦森高壓MOSFET 650V 7.5A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:30:15
1 電子發燒友網站提供《SLP5N65C美浦森高壓MOSFET 650V 4.5A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:33:49
0 供應40A、650V新能源絕緣柵雙極型晶體管SGTP40V65SDB1P7,提供SGTP40V65SDB1P7關鍵參數,更多產品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-08-01 16:18:47
3 供應SGTP75V65SDS1P775A、650V光伏逆變器igbt-三相igbt逆變電源,提供SGTP75V65SDS1P7關鍵參數,更多產品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-08-02 17:12:19
8 SVSP35NF65P7D3士蘭微高壓超結mos管650V,35A,提供SVSP35NF65P7D3關鍵參數,更多產品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-09-06 14:57:50
8 供應SVSP11N65DD211A,650V士蘭微超結MOS,提供SVSP11N65DD211A,650V士蘭微超結MOS關鍵參數,更多產品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-11-02 15:17:06
2 650V高壓低功耗非隔離電源芯片,默認輸出12V,最大電流2A,具有輸出可設置3-24V
2023-12-01 19:19:03
0 英飛凌科技股份公司近日發布了全新的650V軟特性發射極控制高速二極管EC7。這款二極管采用TO247-2封裝,具有2個引腳,不僅增加了安規距離,提高了可靠性,而且適用于多種應用場景。
2024-02-01 10:50:02
1808 本次推出的產品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管;
2024-03-15 14:26:07
46430 
電子發燒友網站提供《650V 6A溝槽和場阻IGBT JJT6N65ST數據表.pdf》資料免費下載
2024-04-08 16:35:25
3 電子發燒友網站提供《650V 10A溝槽和場阻IGBT JJT10N65SC資料文檔.pdf》資料免費下載
2024-04-08 17:15:31
1 電子發燒友網站提供《650V 10A溝槽和場阻IGBT JJT10N65SS文檔.pdf》資料免費下載
2024-04-09 16:22:11
2 電子發燒友網站提供《650V 15A溝槽和場阻IGBT JJT15N65SC數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 15:20:03
0 電子發燒友網站提供《650V 15A溝槽和場阻IGBT JJT15N65SY數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 15:22:42
0 電子發燒友網站提供《650V 20A溝槽和場阻IGBT JJT20N65SC數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 15:25:13
0 電子發燒友網站提供《650V 20A溝槽和場阻IGBT JJT20N65SE數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 15:41:33
0 電子發燒友網站提供《650V 20A溝槽和場阻IGBT JJT20N65SS數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 16:56:38
1 電子發燒友網站提供《650V 30A溝槽和場阻IGBT JJT30N65SE數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:03:02
0 電子發燒友網站提供《650V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N65HE數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:08:18
0 電子發燒友網站提供《650V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N65UE數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:09:16
1 電子發燒友網站提供《650V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N65UH數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:10:36
0 電子發燒友網站提供《650V 50A溝槽和場阻IGBT JJT50N65HE數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:49:43
0 電子發燒友網站提供《650V 50A溝槽和場阻IGBT JJT50N65UE數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:52:38
1 電子發燒友網站提供《650V 50A溝槽和場阻IGBT JJT50N65UH數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:53:39
0 電子發燒友網站提供《650V 60A溝槽和場阻IGBT JJT60N65HE數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:56:15
1 電子發燒友網站提供《650V 60A溝槽和場阻IGBT JJT60N65UH數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:57:22
1 電子發燒友網站提供《650V 75A溝槽和場阻IGBT JJT75N65HCN數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:58:32
0 電子發燒友網站提供《650V 75A溝槽和場阻IGBT JJT75N65HE數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 18:01:09
0 產品系列。該系列器件結合了600 V CoolMOS? 7 MOSFET系列的先進特性,是P7、PFD7、C7、CFD7、G7 和 S7產品系列的后續產品。全新超結MOSFET實現了具有高成本效益的硅
2024-06-26 18:12:00
939 
新品650V高速半橋柵極驅動器2ED2388S06F650V高速半橋柵極驅動器,具有典型的0.29A源電流和0.7A灌電流,采用DSO-8封裝,用于驅動功率MOSFET和IGBT。產品型號
2024-07-27 08:14:36
869 
新潔能650V Gen.7系列IGBT產品,基于微溝槽場截止技術,可大幅提高器件的元胞結構密度。采用載流子存儲設計、多梯度緩沖層設計、超薄漂移區設計,大幅度提升器件的電流密度。同時優化了器件的開關特性,為系統設計提供更大的余量。
2024-08-15 16:34:22
1808 
硅基MOSFET技術,旨在取代現有的高/低功率開關電源(SMPS)的CoolMOS7產品系列(包括P7、S7、CFD7、C7、G7和PFD7)。它也是CoolGa
2024-09-03 08:02:39
930 
森國科近期推出的650V/60A IGBT(型號:KG060N065LD-R),憑借其業界領先的低傳導損耗和高速開關性能,在電力電子領域引起了廣泛關注。
2024-10-17 15:41:59
898 新品符合AQG324標準的車載充電用CoolMOSCFD7A650VEasyPACK模塊符合AQG324標準的EasyPACK采用了最新的CoolMOSCFD7A650V芯片和一個集成的直流緩沖器
2024-11-08 01:03:32
975 
森國科推出的650V/6A IGBT(型號:KG006N065SD-B)在風扇、泵和吸塵器等家電領域的應用上做到了高效電機驅動和精準控制。
2024-11-13 16:36:13
1162 
JL3I200V65RE2PN為650V /200A INPC三電平逆變模塊,采用溝槽柵場終止技術IGBT7芯片,帶熱敏電阻(NTC)和可選 PressFIT壓接針腳技術。
2025-01-16 14:16:08
1127 650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:43
1782 
內置650V MOSFET的高可靠性PSR AC-DC轉換器CN1812
2025-03-05 10:09:23
891 
GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT,實現了業內出色的FOM 。該產品屬于EcoGaN?系列產品,利用該系列產品低導通電阻和高速開關的特性,有助于提高功率轉換效率并減小產品尺寸
2025-03-07 15:46:54
909 
GNP1150TCA-Z是一款650V GaN HEMT,實現了業內出色的FOM。該產品屬于EcoGaN?系列產品,利用該系列產品低導通電阻和高速開關的特性,有助于提高功率轉換效率并減小產品尺寸
2025-03-07 16:45:55
749 
新品650VCoolMOS8超結(SJ)MOSFET英飛凌推出全新650VCoolMOS8引領全球高壓超結SJMOSFET技術,為行業技術和性價比樹立了全球標準。該系列為高功率應用提供了額外的50V
2025-07-04 17:09:03
1017 
在工業電源、電機驅動及照明系統等高壓應用場景中,功率MOS管的可靠性、能效與成本控制直接決定了終端產品的市場競爭力。合科泰電子推出的高壓MOS管 HKTD7N65,憑借650V耐壓、7A電流與低至1.08Ω的導通電阻,為工程師提供了一款兼具高性能與高可靠性的國產功率器件新選擇。
2025-11-07 17:46:10
1420 深挖1ED21x7x系列:650V高端柵極驅動器的卓越性能與應用解析 在電力電子領域,柵極驅動器的性能對于功率器件的高效、穩定運行起著關鍵作用。今天我們就來深入探討英飛凌(Infineon
2025-12-18 16:10:12
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