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電子發燒友網>汽車電子>應用手冊 | 650V CoolMOS? CFD7A系列詳解

應用手冊 | 650V CoolMOS? CFD7A系列詳解

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650V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N65HE數據手冊

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2024-04-10 17:08:180

650V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N65UE數據手冊

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2024-04-10 17:09:161

650V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N65UH數據手冊

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2024-04-10 17:10:360

650V 50A溝槽和場阻IGBT JJT50N65HE數據手冊

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650V 50A溝槽和場阻IGBT JJT50N65UE數據手冊

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2024-04-10 17:52:381

650V 50A溝槽和場阻IGBT JJT50N65UH數據手冊

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650V 60A溝槽和場阻IGBT JJT60N65HE數據手冊

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2024-04-10 17:56:151

650V 60A溝槽和場阻IGBT JJT60N65UH數據手冊

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650V 75A溝槽和場阻IGBT JJT75N65HCN數據手冊

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2024-04-10 17:58:320

650V 75A溝槽和場阻IGBT JJT75N65HE數據手冊

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2024-04-10 18:01:090

英飛凌推出全新600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列, 適用于高成本效益的先進電源應用

產品系列。該系列器件結合了600 V CoolMOS? 7 MOSFET系列的先進特性,是P7、PFD7、C7CFD7、G7 和 S7產品系列的后續產品。全新超結MOSFET實現了具有高成本效益的硅
2024-06-26 18:12:00939

新品 | 650V高速半橋柵極驅動器2ED2388S06F

新品650V高速半橋柵極驅動器2ED2388S06F650V高速半橋柵極驅動器,具有典型的0.29A源電流和0.7A灌電流,采用DSO-8封裝,用于驅動功率MOSFET和IGBT。產品型號
2024-07-27 08:14:36869

新潔能650V Gen.7 IGBT系列產品介紹

新潔能650V Gen.7系列IGBT產品,基于微溝槽場截止技術,可大幅提高器件的元胞結構密度。采用載流子存儲設計、多梯度緩沖層設計、超薄漂移區設計,大幅度提升器件的電流密度。同時優化了器件的開關特性,為系統設計提供更大的余量。
2024-08-15 16:34:221808

新品 | 600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列

硅基MOSFET技術,旨在取代現有的高/低功率開關電源(SMPS)的CoolMOS7產品系列(包括P7、S7CFD7、C7、G7和PFD7)。它也是CoolGa
2024-09-03 08:02:39930

森國科推出650V/60A IGBT

森國科近期推出的650V/60A IGBT(型號:KG060N065LD-R),憑借其業界領先的低傳導損耗和高速開關性能,在電力電子領域引起了廣泛關注。
2024-10-17 15:41:59898

新品 | 符合AQG324標準的車載充電用CoolMOS? CFD7A 650V EasyPACK?模塊

新品符合AQG324標準的車載充電用CoolMOSCFD7A650VEasyPACK模塊符合AQG324標準的EasyPACK采用了最新的CoolMOSCFD7A650V芯片和一個集成的直流緩沖器
2024-11-08 01:03:32975

森國科650V/6A IGBT的性能特點

森國科推出的650V/6A IGBT(型號:KG006N065SD-B)在風扇、泵和吸塵器等家電領域的應用上做到了高效電機驅動和精準控制。
2024-11-13 16:36:131162

高電流密度IGBT模塊LE2 200A/650V介紹

JL3I200V65RE2PN為650V /200A INPC三電平逆變模塊,采用溝槽柵場終止技術IGBT7芯片,帶熱敏電阻(NTC)和可選 PressFIT壓接針腳技術。
2025-01-16 14:16:081127

為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件?

650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431782

內置650V MOSFET的高可靠性PSR AC-DC轉換器CN1812

內置650V MOSFET的高可靠性PSR AC-DC轉換器CN1812
2025-03-05 10:09:23891

GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 數據手冊

GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT,實現了業內出色的FOM 。該產品屬于EcoGaN?系列產品,利用該系列產品低導通電阻和高速開關的特性,有助于提高功率轉換效率并減小產品尺寸
2025-03-07 15:46:54909

GNP1150TCA-Z 650V GaN HEMT 數據手冊

GNP1150TCA-Z是一款650V GaN HEMT,實現了業內出色的FOM。該產品屬于EcoGaN?系列產品,利用該系列產品低導通電阻和高速開關的特性,有助于提高功率轉換效率并減小產品尺寸
2025-03-07 16:45:55749

新品 | 650V CoolMOS? 8超結 (SJ) MOSFET

新品650VCoolMOS8超結(SJ)MOSFET英飛凌推出全新650VCoolMOS8引領全球高壓超結SJMOSFET技術,為行業技術和性價比樹立了全球標準。該系列為高功率應用提供了額外的50V
2025-07-04 17:09:031017

合科泰650V高壓MOS管HKTD7N65的特性和應用

在工業電源、電機驅動及照明系統等高壓應用場景中,功率MOS管的可靠性、能效與成本控制直接決定了終端產品的市場競爭力。合科泰電子推出的高壓MOS管 HKTD7N65,憑借650V耐壓、7A電流與低至1.08Ω的導通電阻,為工程師提供了一款兼具高性能與高可靠性的國產功率器件新選擇。
2025-11-07 17:46:101420

深挖1ED21x7x系列650V高端柵極驅動器的卓越性能與應用解析

深挖1ED21x7x系列650V高端柵極驅動器的卓越性能與應用解析 在電力電子領域,柵極驅動器的性能對于功率器件的高效、穩定運行起著關鍵作用。今天我們就來深入探討英飛凌(Infineon
2025-12-18 16:10:12228

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