CoolSiC肖特基二極管650V G6是英飛凌碳化硅肖特基勢壘二極管的領先技術，充分利用碳化硅相對于硅的所有優點。英飛凌專利創新的焊接工藝結合了緊湊型設計，薄晶圓技術和新型肖特基金屬系統。因此，該產品系列可在所有負載條件下提高能效，這得益于同類最佳性能系數 (Qc x VF)。

值得一提的是，CoolSiC 肖特基二極管650V G6與英飛凌600V和650V CoolMOS7系列兼容，滿足該電壓范圍中最嚴格的應用要求，搭配使用讓工程師更加省心哦！

CoolSiC 肖特基二極管650V G6的最低VF僅為1.25V

主要特性

最低VF： 1.25 V

一流的性能系數(Qc x VF)

無反向恢復電荷

溫度獨立切換 行為

高dv/dt耐用性

優化的熱行為

主要優勢

在所有負載條件下提高系統能效

提高系統功率密度

降低冷卻要求并 提高系統可靠性

提供極快速開關

便捷有效地與 CoolMOS7系列搭配

提升性價比

G6是在G5達成成就的基礎上構建的，保留了G5的低Qc、可靠和質優等突出特性。為了G6，英飛凌開發了新的半導體技術，重新設計了二極管。G6擁有新的布局，植入以及單元結構，使用了一種新穎而專有的肖特基金屬系統以降低肖特基勢壘并獲得創紀錄的VF(1.25 V)，同時保持逆向損失邊際化并實現高能效。由此造就了獨特的Qc x VF性能系數，比前幾代產品低17%。

CoolSiC G6與前一代G5產品的PFC能效對比

CoolSiC肖特基二極管650V G6系列是英飛凌不斷提高技術和流程的結果，讓碳化硅肖特基二極管的設計和開發更具價格優勢，性能一代更比一代強。因此，G6是英飛凌最具有性價比的CooSiC肖特基二極管的一代，在同等價格下提供最高能效。

不僅是技術，客戶更可以信賴英飛凌公認的質量和可靠的供應鏈，他們將受益于“一站式購物”，并能夠將系統性能最大化，比如將CoolSiC肖特基二極管650V G6與600V C7、650V C7、600V G7、650V G7和600V P7等CoolMOS 7系列的超級結MOSFET結合，從而獲得更具競爭力的解決方案哦！

英飛凌CoolSiC產品的性價比不斷提高