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英飛凌推出全新600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列, 適用于高成本效益的先進電源應用

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2010-09-20 08:59:091458

適用于高壓應用的集成電源IC HiperTFS

  Power Integrations公司日前宣布推出一款適用于高壓應用的集成度電源IC產(chǎn)品系列 - HiperTFS。HiperTFS系列器件是唯一一款
2010-11-15 08:53:351024

英飛凌推出適用于新一代安全IC的90納米SOLID FLAS

  英飛凌科技股份公司近日在法國巴黎“智能卡暨身份識別技術(shù)工業(yè)展(CARTES & IDentification)”上宣布推出適用于新一代安全IC的90納米SOLID FLASH技術(shù)。依靠SOLID FLASH技術(shù),英飛凌
2010-12-17 09:13:091028

英飛凌創(chuàng)新型650V CoolMOS CFD2高壓晶體管

英飛凌目前正推出另一項重要的創(chuàng)新型高壓CoolMOS MOSFET。這種全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具備650V漏源電壓并集成快速體二極管的高壓晶體管。
2011-02-16 09:11:172280

英飛凌推出單P溝道40V汽車電源MOSFET產(chǎn)品:OptiMOS P2

英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用先進溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產(chǎn)品系列全新的40V OptiMOS P2產(chǎn)品為能效改進、碳減排和成本節(jié)約樹立了行業(yè)新標桿,從而進一步
2011-09-13 08:33:16897

英飛凌推出新型汽車電源管理40V P通道OptiMOS P2系列

英飛凌科技推出采用先進溝槽技術(shù)制程的最新單一P通道40V汽車電源MOSFET系列產(chǎn)品。新型40V OptiMOS P2產(chǎn)品為提升能源效率、減少CO2排放及節(jié)省成本設(shè)立新的基準
2011-09-28 19:35:41898

德州儀器推出適用于汽車的36V運算放大器

日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款適用于汽車的可在 +2.7 V 至 +36 V 電源下正常工作的36 V電源低噪聲運算放大器。該 OPA171-Q1 能夠在一個低成本、低功耗器件中實現(xiàn)高精度。除了行業(yè)標
2011-09-29 08:54:211046

英飛凌推出車用全新650V CoolMOS CFDA整合高速本體二極體

英飛凌科技股份有限公司擴展其車用功率半導體系列產(chǎn)品,推出全新 650V CoolMOS CFDA。這是業(yè)界首創(chuàng)整合高速本體二極體技術(shù)的超接面 MOSFET 解決方案,符合最高的汽車認證標準 AEC-Q101。
2012-04-05 09:31:021772

600V_CoolMOS優(yōu)化設(shè)計

CoolMOS具有優(yōu)越的直流特性。為了設(shè)計出一個600V CoolMOS結(jié)構(gòu),首先CoolMOS的結(jié)構(gòu)人手,結(jié)合電荷平衡 理論,分析了其擊穿電壓BV、低導通電阻R。 的原理。通過理論計算,得到相關(guān)的設(shè)計
2012-06-20 16:37:2048

雅特生科技推出適用于工業(yè)設(shè)備的隔離式DC/DC電源轉(zhuǎn)換器

雅特生科技 (Artesyn Embedded Technologies) 宣布推出系列適用于功率密度工業(yè)設(shè)備、而且大小尺寸只有1 x 2 英寸(25.4mm x 50.8mm) 的全新隔離式直流/直流電源轉(zhuǎn)換器。
2014-12-11 13:47:591287

e絡盟進一步擴充英飛凌CoolMOS與OptiMOS系列功率MOSFET

e絡盟日前宣布新增來自全球半導體和系統(tǒng)解決方案領(lǐng)先提供商英飛凌CoolMOS?與OptiMOS?系列產(chǎn)品,進一步擴充其功率MOSFET產(chǎn)品組合。
2015-03-02 17:37:381775

英飛凌推出全新TO-220 FullPAK Wide Creepage封裝

  2016年5月3日,德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)近日推出了TO-220 FullPAK Wide Creepage封裝。全新封裝適用于瞄準眾多低
2016-05-03 09:57:422389

Vishay推出最新第4代600V E系列功率MOSFET

MOSFET的首顆器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N溝道SiHP065N60E的導通電阻比前一代600V E系列MOSFET低30%,為通信、工業(yè)和企業(yè)級電源提供了
2017-02-10 15:10:112189

英飛凌推出1200V SiC MOSFET 將提高可靠性和降低系統(tǒng)成本

大聯(lián)大旗下品佳代理的英飛凌(Infineon)推出革命性的1200V SiC MOSFET,使產(chǎn)品設(shè)計可以在功率密度和性能上達到前所未有的水平。它們將有助于電源轉(zhuǎn)換方案的開發(fā)人員節(jié)省空間、減輕重量、降低散熱要求,并提高可靠性和降低系統(tǒng)成本
2018-04-23 16:18:004336

英飛凌公司獨特的封裝技術(shù):最新CoolMOS系列MOSFET問世

最新CoolMOS系列MOSFET獨特的封裝技術(shù),在采用了表面貼裝的ThinPAK后極可實現(xiàn)600伏的電壓。另外,張建浩先生還就使用表面貼裝MOS管提出了建議,即在PCB板上以打孔的方式,實現(xiàn)散熱功能。
2018-06-26 16:48:008541

英飛凌推出適用于新一代1500V光伏和儲能應用的Easy 2B功率模塊

模塊分別針對CoolSiC MOSFET和TRENCHSTOP IGBT4芯片組的最佳點損耗進行了優(yōu)化,具有更高的功率密度和高達48 kHz的開關(guān)頻率,適用于新一代1500V光伏和儲能應用。
2019-09-14 10:56:005286

安森美全新SiC MOSFET器件適用于各種高要求的高增長應用

推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON),推出另兩個碳化硅(SiC) MOSFET系列,擴展了其寬禁帶(WBG)器件系列。 這些新器件適用于各種
2020-03-12 14:55:513302

IR推系列邏輯電平柵極驅(qū)動溝道,適用于電源應用等

IR推出系列邏輯電平柵極驅(qū)動溝道HEXFET功率MOSFET。該器件具有基準通態(tài)電阻 (RDS(on)) 和封裝電流額定值,適用于功率DC電機和電動工具、工業(yè)電池及電源應用。
2020-08-30 08:33:001325

專為強化諧振拓撲運作性能打造,英飛凌推出全新 650 V CoolMOS? CFD7

新款 650 V器件擴展了聲譽卓越的 CoolMOS CFD7 系列的電壓范圍,且為 CoolMOS CFD2 的后繼產(chǎn)品。
2020-10-09 15:28:261590

Vishay推出最新第四代600VE系列功率MOSFET器件

Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60E 導通電阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET
2022-02-26 13:25:352299

英飛凌推出采用PQFN 2x2封裝的OptiMOSTM 5 25V和30V功率MOSFET,樹立技術(shù)新標準

英飛凌科技近日推出全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列,旨在為分立功率MOSFET技術(shù)樹立全新的行業(yè)標準。
2022-03-14 17:39:162199

英飛凌推出適用于電動汽車牽引逆變器的汽車級碳化硅功率模塊

V 阻斷電壓的六組全橋模塊,針對電動汽車 (EV) 中的牽引逆變器進行了優(yōu)化。該功率模塊建立在英飛凌的 CoolSiC 溝槽 MOSFET 技術(shù)之上,能夠在高性能應用中實現(xiàn)功率密度,并保持高可靠性
2022-08-04 17:09:472100

什么是 CoolMOS? MOSFET CFD7?

CoolMOS? CFD7 是英飛凌最新具有集成快速體二極管的高壓 superjunction MOSFET 技術(shù),補全了 CoolMOS? 7 系列
2022-09-30 17:09:322342

英飛凌推出950 V CoolMOS? PFD7系列,內(nèi)置集成的快速體二極管,可滿足大功率照明系統(tǒng)和工業(yè)SMPS應用的需求

? PFD7高壓MOSFET系列,為950V 超結(jié)(SJ)技術(shù)樹立了新的行業(yè)標準。全新950V系列具有出色的性能和易用性,采用集成的快速體二極管,可確保器件的穩(wěn)健性,同時降低了BOM(材料清單)成本。該產(chǎn)品專為超高功率密度和超高效率的產(chǎn)品設(shè)計量身打造,主要用于照明系統(tǒng)以及消費和工業(yè)領(lǐng)域的開關(guān)電
2022-11-09 11:33:15973

高速trr SJ-MOSFET:PrestoMOS?系列

上一章基于ROHM的SJ-MOSFET產(chǎn)品陣容,以標準AN系列、低噪聲EN系列、高速KN系列為例介紹了SJ-MOSFET的特征。
2023-02-10 09:41:011150

Nexperia 適用于 36V 電池系統(tǒng)的特定應用 MOSFET

Nexperia 適用于 36V 電池系統(tǒng)的特定應用 MOSFET
2023-11-30 11:47:401120

英飛凌推出適用于電池供電應用的160V雙通道柵極驅(qū)動器IC

英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)宣布其適用于汽車和工業(yè)電機控制應用的MOTIX?系列再添新成員。
2023-12-25 10:35:441389

英飛凌推出首款采用OptiMOS 7技術(shù)的15 V溝槽功率MOSFET

英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術(shù)經(jīng)過系統(tǒng)和應用優(yōu)化,主要應用于服務器和計算應用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:491820

英飛凌MOTIX?系列再添新成員:推出適用于電池供電應用的160V雙通道柵極驅(qū)動器IC

英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)宣布其適用于汽車和工業(yè)電機控制應用的MOTIX系列再添新成員。為進一步擴大這一先進產(chǎn)品系列的陣容,英飛凌推出了MOTIX雙通道柵極
2024-01-08 08:13:501063

英飛凌發(fā)布新款CoolSiC 2000V SiC MOSFET

英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列。這款產(chǎn)品采用了先進的TO-247PLUS-4-HCC封裝,規(guī)格為12-100mΩ,旨在滿足高壓應用的需求。
2024-02-01 10:51:001646

英飛凌全新CoolSiC? MOSFET 750 V G1產(chǎn)品系列推動汽車和工業(yè)解決方案的發(fā)展

英飛凌最近發(fā)布了全新的750VG1分立式CoolSiC?MOSFET,滿足工業(yè)和汽車領(lǐng)域?qū)Ω吣苄Ш凸β拭芏鹊牟粩嘣鲩L需求。這款產(chǎn)品系列包含了專為圖騰柱PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋
2024-03-15 16:31:451256

英飛凌推出全新CoolSiC MOSFET 2000V產(chǎn)品

英飛凌科技股份公司,作為全球領(lǐng)先的半導體公司,近日推出全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列,這一創(chuàng)新產(chǎn)品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝,為設(shè)計人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。
2024-03-20 10:27:291466

英飛凌推出80 V MOSFET OptiMOS 7

英飛凌科技近日推出了其最新的OptiMOS? 7 80 V系列首款產(chǎn)品——IAUCN08S7N013。這款MOSFET技術(shù)不僅顯著提升了功率密度,還采用了通用且堅固的SSO8 5x6mm2 SMD封裝。
2024-05-07 15:08:071440

Vishay推出采用PowerPAK 8x8LR封裝的第四代600 VE系列功率MOSFET

Vishay 推出首款采用新型 PowerPAK 8 x 8 LR 封裝的第四代 600 V E 系列功率MOSFET,為通信、工業(yè)和計算應用提供高效的功率密度解決方案。
2024-05-10 11:47:422284

英飛凌推出全新SSI系列固態(tài)隔離器

英飛凌科技發(fā)布了其全新SSI系列固態(tài)隔離器,這是一款集成了隔離型柵極驅(qū)動電源的革命性產(chǎn)品。SSI系列固態(tài)隔離器旨在驅(qū)動MOS電壓驅(qū)動型功率晶體管,如CoolMOS?、OptiMOS?、TRENCHSTOP? IGBT或CoolSiC?,無需額外的專用電源來驅(qū)動功率晶體管的柵極。
2024-05-11 11:35:171228

Vishay推出第四代600 V E系列功率MOSFET

Vishay公司近日重磅推出了一款革命性的功率MOSFET產(chǎn)品——SiHR080N60E,它采用了新型的PowerPAK? 8 x 8 LR封裝技術(shù),標志著第四代600V E系列功率MOSFET的誕生。這一創(chuàng)新產(chǎn)品為通信、工業(yè)及計算領(lǐng)域帶來了前所未有的高效功率密度解決方案。
2024-05-14 15:33:381341

?英飛凌600 V CoolMOS? 8 新一代硅基MOSFET技術(shù)助力電力電子行業(yè)變革

定義系統(tǒng)集成標準,使其在廣泛的電力電子應用中能夠?qū)崿F(xiàn)更高功率密度和效率。在英飛凌CoolMOS8推出意味著這些投入已經(jīng)取得了成效。它是一項先進MOSFET技術(shù),
2024-07-31 08:14:441173

英飛凌推出600V CoolMOS 8 SJ MOSFET系列

英飛凌再次引領(lǐng)行業(yè)潮流,最新推出600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列,以其卓越的技術(shù)創(chuàng)新和卓越性價比,在全球范圍內(nèi)樹立了高壓超級結(jié)MOSFET技術(shù)的新標桿。作為英飛凌新一代硅基
2024-09-03 14:50:451266

英飛凌推出CoolMO S7T和S7TA SJ MOSFET

英飛凌推出CoolMOS? S7T和S7TA SJ MOSFET,集成了先進的溫度傳感器技術(shù),專為工業(yè)和汽車領(lǐng)域設(shè)計,顯著提升了結(jié)溫測量的精準度與穩(wěn)定性。這一創(chuàng)新不僅簡化了溫度監(jiān)測流程,還增強了功能安全性,為低頻大電流開關(guān)應用樹立了新標桿。
2024-09-03 14:51:391102

新品 | 600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列

新品600VCoolMOS8SJMOSFET系列英飛凌最新推出600VCoolMOS8引領(lǐng)著全球高壓超級結(jié)MOSFET技術(shù)的發(fā)展,在全球范圍內(nèi)樹立了技術(shù)和性價比標準。CoolMOS8英飛凌新一代
2024-09-03 08:02:39930

英飛凌推出PSOC? Control MCU系列用于工業(yè)和消費應用的電機控制與功率轉(zhuǎn)換

英飛凌科技股份公司近日推出全新PSOC? Control微控制器(MCU)系列。該系列適用于新一代工業(yè)和消費電機控制以及功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)應用,包括家用電器、電動工具、可再生能源產(chǎn)品、工業(yè)驅(qū)動器,以及照明
2024-09-25 10:32:151166

英飛凌推出全新StrongIRFET 2功率MOSFET 30V產(chǎn)品組合

英飛凌科技股份公司(股票代碼:FSE: IFX,OTCQX: IFNNY)近期推出了其StrongIRFET? 2系列中的全新30V功率MOSFET產(chǎn)品組合,進一步豐富了該系列的產(chǎn)品線,旨在響應大眾
2024-09-30 16:15:581767

英飛凌推出新型EiceDRIVER? Power全橋變壓器驅(qū)動器系列適用于結(jié)構(gòu)緊湊、經(jīng)濟高效的柵極驅(qū)動器電源

英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)推出適用于IGBT、SiC和GaN柵極驅(qū)動器電源的EiceDRIVERPower2EP1xxR全橋變壓器驅(qū)動器系列。2EP1xxR
2024-12-10 01:00:521058

適用于PoE應用的低成本隔離式電源

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《適用于PoE應用的低成本隔離式電源.pdf》資料免費下載
2024-12-21 09:39:240

新品 | 650V CoolMOS? 8超結(jié) (SJ) MOSFET

新品650VCoolMOS8超結(jié)(SJ)MOSFET英飛凌推出全新650VCoolMOS8引領(lǐng)全球高壓超結(jié)SJMOSFET技術(shù),為行業(yè)技術(shù)和性價比樹立了全球標準。該系列功率應用提供了額外的50V
2025-07-04 17:09:031017

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