英飛凌科技推出用于商業航空電子設備和雷達系統的脈沖應用和其他類型工業放大器的高功率晶體管。基于全新的50V LDMOS工藝技術，全新推出的器件具備高能效、適用于小型化系統設計
2012-07-15 01:23:46
1633 英飛凌科技推出全新600V CoolMOS P6 產品系列，專為提升系統效率及易于使用所設計，補足了專注提供頂尖效能（CoolMOS CP）及強調使用方便性（如 CoolMOS C6 或 E6）兩者之間的技術區間。
2012-11-13 08:54:332178 英飛凌科技公司將“全球首次”使用口徑300mm的硅晶圓制造功率半導體。具體產品是有超結（Super Junction）構造的功率MOSFET“CoolMOS系列產品”，由奧地利菲拉赫工廠生產。
2013-02-25 08:53:002072 英飛凌CE系列CoolMOS 是英飛凌公司專為消費類電子產品和照明產品推出的高壓功率MOSFET。##該案例為一款全球輸入范圍的15W充電器。##接下來介紹CE系列CoolMOS產品應用于LED球泡燈驅動器的案例。
2015-03-24 13:50:074833 更高密度的低功率SMPS設計需要越來越多的高壓MOSFET器件。英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出CoolMOS? P7系列的新成員950 V CoolMOS P7超結MOSFET器件。
2018-08-27 14:15:536744 Vishay宣布推出新款60 V TrenchFET?第四代n溝道功率MOSFET---SiSS22DN，業內首款適用于標準柵極驅動電路的器件，10 V條件下最大導通電阻降至4 m?，采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝。
2019-10-05 07:04:006418 為滿足電動汽車市場的需求，英飛凌推出了全新的650V CoolMOS? SJ功率 MOSFET CFD7A系列。這一產品經過專門優化，可以滿足電動汽車應用 （如車載充電器、HV-LV DC-DC 轉換器和輔助電源）的要求。
2020-05-31 09:15:361998 英飛凌科技股份公司成功開發出滿足最高效率和質量要求的解決方案。對于MOSFET低頻率開關應用而言，新推出的600 V CoolMOS? S7系列產品可帶來領先的功率密度和能效。
2020-03-04 07:46:001789 憑借在汽車領域的多年從業經驗，英飛凌將遠超AEC Q101標準的最高品質與出色的技術知識相結合，推出CoolMOS? CFD7A系列。
2020-05-09 09:05:381328 / OTCQX代碼：IFNNY）推出了適用于反激式拓撲結構的ICC80QSG單級脈沖寬度調制（PWM）控制器，進一步擴展了英飛凌旗下AC-DC控制器IC的產品陣容。該IC專為電池充電應用量身定制，與CoolMOS? P7超級結（SJ）MOSFET配合使用，實現輸出功率高達130 W的、可擴展的功率設
2022-10-10 17:06:251150 
【 2023 年 03 月 27 日， 德國慕尼黑 訊】 英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）日前宣布，推出全新的 iMOTION? IMI110 系列智能
2023-03-27 14:42:301038 
產品線。該器件采用超級結結構，耐壓600V，適用于數據中心、開關電源和光伏發電機功率調節器。該新產品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產品，于今日開始批量出貨。 ? ? 通過對柵極設計和工藝進行優化，與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產品相比，600V DTMOSVI系列產品的
2023-06-13 16:38:501327 
，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴大其CoolMOS? S7 系列高壓超結（SJ）MOSFET 的產品陣容。該系列器件主要適用于開關電源（SMPS）、太陽能系統、電池保護、固態繼電器（SSR）、電機啟動器和固態斷路器以及可編程邏輯控制器（PLC）
2023-07-28 15:05:301501 
【 2023 年 12 月 19 日，德國慕尼黑訊】 為提高結溫傳感的精度，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出帶有集成溫度傳感器的全新CoolMOS
2023-12-19 15:22:261727 
【 2024 年 6 月 24 日，德國慕尼黑訊】 全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出適用于汽車功率管
2024-06-24 16:18:221537 
）和CoolGaN? Smart Sense。CoolGaN? BDS擁有出色的軟開關和硬開關性能，提供40 V、650 V 和 850 V電壓雙向開關，適用于移動設備USB端口、電池管理系統、逆變器
2024-07-09 17:17:171685 
? MOSFET 750 V G2。這款新型CoolSiC? MOSFET 750 V G2專為提升汽車及工業功率轉換應用的系統效率和功率密度而設計。它提供一系列精細化的產品組合，在25°C時R?DS(on)?值
2025-07-02 15:00:301604 
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據P&S的超結原理。報價設備提供了快速切換的所有好處并且導通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
。Infineon CoolMOS CFD2系列以其高擊穿電壓，快恢復體二極管，低Qg 和Coss能夠完全滿足這些需求并大大提升電源系統的可靠性。1.引言：長期以來， 提升電源系統功率密度，效率以及系統
2018-12-05 09:56:02
公司也有生產，但是ROHM在推進獨自開發。此次內置的SJ MOSFET不僅實現了650V的高耐壓，還實現了低導通電阻與低柵極電荷，開關速度也非常快。這將大大改善開關即MOSFET的導通損耗與開關損耗。這
2019-04-29 01:41:22
散熱器的D2PAK和SuperSO8 （5毫米x 6毫米）等貼片封裝，從而大幅簡化熱管理。 因此，可以提高開關電源的功率密度，同時降低系統成本。 繼去年發布展示有巨大優勢的全新30V硅技術產品之后
2018-12-06 09:46:29
導讀：近日，英飛凌宣布推出700瓦L波段射頻功率晶體管。該晶體管具備業界最高的L波段輸出功率（700瓦），適用于工作頻率范圍為1200 MHz~1400 MHz的雷達系統。這種新型器件可通過減少
2018-11-29 11:38:26
即可為 iMX7 供電，是一款具有高成本效益的設計。此 TI 設計支持眾多的工業應用以及需要小型、高效和靈活電源解決方案的任何應用。主要特色3.3V 至 5.5V 輸入電壓范圍可實現快速瞬態響應的 DCS-Control? 拓撲高效率和低靜態電流可實現輕負載效率的省電模式TLV6208x 系列方案可實現低成本解決方案
2018-12-28 11:50:55
品佳公司現正推廣英飛凌(Infineon)第三代高集成度功率集成電路——CoolSET F3系列產品。該產品在單一封裝中，組合了英飛凌CoolMOS功率MOSFET與新型脈寬調制(PWM)控制
2018-08-27 16:14:04
加深理解，最好還是參閱技術規格的標準值和特性圖表。【標準SJ MOSFET：AN系列】R50xxANx（500V）R52xxANx系列（520V）R60xxANx系列（600V）R80xxANx系列
2018-12-03 14:27:05
器件適用于 PDP 維持脈沖驅動、電機驅動、開關電源以及大功率直流轉換器應用。特性：?浮動通道可實現高達 +600 V 的自舉運行?4.5 A/4.5 A 的典型源電流/灌電流驅動能力?共模 dv
2022-01-18 10:43:31
獨立高側和低側參考輸出通道。該輸出驅動器有一個高脈沖電流緩沖級，適用于最小的驅動器跨導，同時浮動通道可以用來驅動工作在高達600V高側配置的N溝道功率MOSFET或 IGBT。這些器件可為兩種通道提供
2008-11-13 20:40:15
MOSFET 采用 100%銅夾片LFPAK 封裝。該封裝堅固耐用，提供較高的板級可靠性和出色的熱性能。LFPAK 封裝適用于汽車以及工業和消費類應用。△ 具有較大 SOA 的 Nexperia MOSFET適用于 36V 鋰電池系統應用
2022-10-28 16:18:03
選。這些產品包括用于電信設備和服務器的高效交流/直流開關電源和直流/直流轉換器、D類放大器和電機控制驅動裝置等。器件概念1998年，采用600 V CoolMOS?技術的商用化產品被推出，適用于功率
2018-12-07 10:21:41
、儀表計量和可再生能源方面的應用，同時也適用于在輸入浪涌和電壓驟升情況下要求電源仍能連續工作的標準電網電壓的應用。900 V InnoSwitch-EP IC實現的電源效率非常高，在雙路輸出的18 W
2018-10-09 14:15:31
）”，非常適用于FA等工業設備和基站（冷卻風扇）的電機驅動。近年來，為了支持工業設備和基站的電機所使用的24V輸入，MOSFET作為用于驅動的器件，需要具備考慮到電壓穩定裕度的、40V和60V的耐壓能力
2021-07-14 15:17:34
導讀：近日，TT electronics 宣布推出新一代模壓電感 器件--HM72E/A72E.該兩款器件具有高性能和高成本效益，最大限度地減少了氧化。 該兩款器件是專為需要降壓、升壓或
2018-09-26 15:44:31
的數量。圖1：英飛凌全新的汽車無刷直流電機驅動套件包含快速輕松開發適用于汽車系統的高效電機控制裝置所需的全部硬件和軟件。套件包括：- TLE 7184F電源板（12 V...24 V/20 A）- 無刷
2018-12-07 10:08:40
國內第一顆量產超結MOS（可替代英飛凌coolmos）大家好！我司是國內專業設計大功率MOS器件的公司。現我司已經實現了SJ-MOS的量產，可替代英飛凌的coolmos。這是我公司的網址
2011-01-05 09:49:53
有沒有適合的音頻放大器工作在5V單電源下，適用于驅動阻抗600歐姆，200mW的雙線耳機。
2024-11-06 06:19:05
求一個適用于高頻開關電路的mosfet，極間電容要小一點，越小越好
2019-08-19 13:47:23
。IPL65R190E6 ——作為650V CoolMOS?E6器件的代表，具備快速、可控的開關性能，適用于效率和功率密度是關鍵要求的應用。650VCoolMOS? E6器件易于應用，是各種高能效開關產品
2017-04-12 18:43:19
）
產品簡介：高壓超結工藝，效率更高、更可靠，適用于600V以上高壓應用領域，行業前沿拓展產品。
應用場景：PC電源開關、電池、逆變器等。
此為RU15P12C的部分參數 可無償分享
原廠一級代理可為您答疑解惑
行業內率先通過 ISO9001、ISO14001質量體系認證的高新技術企業。
2024-09-23 17:07:50
英飛凌欲借新一代超結MOSFET樹立硬開關應用基準
英飛凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET產品―― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP兩個產品系列的優勢，可降低設
2009-06-23 21:17:44728 英飛凌推出高安全雙界面MCU，適用于非接觸應用
英飛凌科技股份公司近日在“智能卡暨身份識別技術工業展”（CARTES & IDentifica-tion）上推出了一款高安全的雙界面
2009-11-24 13:38:52972 泰科電子推出適用于高功率應用的全新雙工LC適配器
日前，泰科電子推出全新帶防護蓋的雙工LC適配器系列產品，進一步壯大了其LC連接器和適配器的產品家族。該
2009-12-08 09:48:491353 適用于節能家電的創新功率轉換器件
英飛凌科技股份公司近日推出適用于節能家用電器電機驅動裝置的功率轉換器件系列。全新的600V RC IGBT驅動系列（RC指逆向導
2010-01-23 08:37:071431 英飛凌推出適用于節能家電的創新功率轉換器件
英飛凌科技股份公司近日推出適用于節能家用電器電機驅動裝置的功率轉換器件系列。全新的600V RC IGBT驅動系列（RC指
2010-01-25 08:44:191091 英飛凌推出200V和250V OptiMOS系列器件
英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，進一步擴大OptiMOSTM產品陣容。全新200V和250V器件適用于48V系統
2010-01-26 09:22:571239 適用于汽車的DirectFET2功率MOSFET
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出適用于汽車的 AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 DirectFET2 功率 MOSFET。這兩款產品以堅固可靠、
2010-01-26 16:25:041724 英飛凌發布200V和250V OptiMOSTM系列器件，壯大MOSFET陣容
英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，進一步擴大OptiMOSTM產品陣容。全新200V和250V器件適用
2010-01-29 08:53:011539 英飛凌推出25V OptiMOS調壓MOSFET和DrMOS系列
為提高計算和電信產品的能效，英飛凌科技股份公司近日宣布，公司將在2010年應用電力電子會議和產品展示
2010-03-01 11:20:471055 Energy Micro推出MCU，適用于低功耗、低成本領域和狹小空間
Energy Micro 公司一向致力于生產節能環保的微控制器，該公司日前宣布推出其系列入門級設備，應用于電路板空
2010-03-03 09:52:101288 采用PQFN封裝的MOSFET 適用于ORing和電機驅動應用
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型HEXFET功率MOSFET，其中包括能夠提供業界最低導通電阻 (R
2010-03-12 11:10:071571 用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8
英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間
2010-05-12 18:17:181196 英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產品系列將現代超級結（SJ）器件的優勢（如低導通電阻和低容性開關損耗）與輕松控制的開關行為、及
2010-07-05 08:48:262309 美國國家半導體公司（NaTIonal Semiconductor Corporation）宣布推出九款適用于更寬工作溫度范圍的全新 SIMPLE SWITCHER電源模塊。 這些產品全部通過強震和沖擊測試，因此適用于各種惡劣
2010-08-04 09:14:101373 國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR) 推出新系列-30 V器件，采用IR最新的SO-8封裝,P溝道MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開關，以及直流應用的系統/負載開
2010-09-20 08:59:091458 Power Integrations公司日前宣布推出一款適用于高壓應用的高集成度電源IC產品系列 - HiperTFS。HiperTFS系列器件是唯一一款
2010-11-15 08:53:351024 英飛凌科技股份公司近日在法國巴黎“智能卡暨身份識別技術工業展(CARTES & IDentification)”上宣布推出適用于新一代安全IC的90納米SOLID FLASH技術。依靠SOLID FLASH技術，英飛凌
2010-12-17 09:13:091028 英飛凌目前正推出另一項重要的創新型高壓CoolMOS MOSFET。這種全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具備650V漏源電壓并集成快速體二極管的高壓晶體管。
2011-02-16 09:11:172280 英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用先進溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產品系列。全新的40V OptiMOS P2產品為能效改進、碳減排和成本節約樹立了行業新標桿，從而進一步
2011-09-13 08:33:16897 英飛凌科技推出采用先進溝槽技術制程的最新單一P通道40V汽車電源MOSFET系列產品。新型40V OptiMOS P2產品為提升能源效率、減少CO2排放及節省成本設立新的基準
2011-09-28 19:35:41898 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款適用于汽車的可在 +2.7 V 至 +36 V 電源下正常工作的36 V 單電源低噪聲運算放大器。該 OPA171-Q1 能夠在一個低成本、低功耗器件中實現高精度。除了行業標
2011-09-29 08:54:211046 英飛凌科技股份有限公司擴展其車用功率半導體系列產品，推出全新 650V CoolMOS CFDA。這是業界首創整合高速本體二極體技術的超接面 MOSFET 解決方案，符合最高的汽車認證標準 AEC-Q101。
2012-04-05 09:31:021772 CoolMOS具有優越的直流特性。為了設計出一個600V CoolMOS結構，首先CoolMOS的結構人手，結合電荷平衡 理論，分析了其高擊穿電壓BV、低導通電阻R。 的原理。通過理論計算，得到相關的設計
2012-06-20 16:37:20
48 雅特生科技 （Artesyn Embedded Technologies） 宣布推出兩系列適用于高功率密度工業設備、而且大小尺寸只有1 x 2 英寸（25.4mm x 50.8mm） 的全新隔離式直流/直流電源轉換器。
2014-12-11 13:47:591287 e絡盟日前宣布新增來自全球半導體和系統解決方案領先提供商英飛凌的CoolMOS?與OptiMOS?系列產品，進一步擴充其功率MOSFET產品組合。
2015-03-02 17:37:381775 2016年5月3日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）近日推出了TO-220 FullPAK Wide Creepage封裝。全新封裝適用于瞄準眾多低
2016-05-03 09:57:422389 MOSFET的首顆器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N溝道SiHP065N60E的導通電阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，為通信、工業和企業級電源提供了
2017-02-10 15:10:112189 大聯大旗下品佳代理的英飛凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產品設計可以在功率密度和性能上達到前所未有的水平。它們將有助于電源轉換方案的開發人員節省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統成本。
2018-04-23 16:18:004336 
最新CoolMOS系列MOSFET獨特的封裝技術，在采用了表面貼裝的ThinPAK后極可實現600伏的電壓。另外，張建浩先生還就使用表面貼裝MOS管提出了建議，即在PCB板上以打孔的方式，實現散熱功能。
2018-06-26 16:48:008541 模塊分別針對CoolSiC MOSFET和TRENCHSTOP IGBT4芯片組的最佳點損耗進行了優化，具有更高的功率密度和高達48 kHz的開關頻率，適用于新一代1500V光伏和儲能應用。
2019-09-14 10:56:005286 推動高能效創新的安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON），推出另兩個碳化硅（SiC） MOSFET系列，擴展了其寬禁帶（WBG）器件系列。 這些新器件適用于各種
2020-03-12 14:55:513302 IR推出新系列邏輯電平柵極驅動溝道HEXFET功率MOSFET。該器件具有基準通態電阻 （RDS（on）） 和高封裝電流額定值，適用于高功率DC電機和電動工具、工業電池及電源應用。
2020-08-30 08:33:001325 新款 650 V器件擴展了聲譽卓越的 CoolMOS CFD7 系列的電壓范圍，且為 CoolMOS CFD2 的后繼產品。
2020-10-09 15:28:261590 Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60E 導通電阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET
2022-02-26 13:25:352299 英飛凌科技近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產品系列，旨在為分立功率MOSFET技術樹立全新的行業標準。
2022-03-14 17:39:162199 
V 阻斷電壓的六組全橋模塊，針對電動汽車 (EV) 中的牽引逆變器進行了優化。該功率模塊建立在英飛凌的 CoolSiC 溝槽 MOSFET 技術之上，能夠在高性能應用中實現高功率密度，并保持高可靠性
2022-08-04 17:09:472100 
CoolMOS? CFD7 是英飛凌最新具有集成快速體二極管的高壓 superjunction MOSFET 技術，補全了 CoolMOS? 7 系列。
2022-09-30 17:09:322342 ? PFD7高壓MOSFET系列，為950V 超結（SJ）技術樹立了新的行業標準。全新950V系列具有出色的性能和易用性，采用集成的快速體二極管，可確保器件的穩健性，同時降低了BOM（材料清單）成本。該產品專為超高功率密度和超高效率的產品設計量身打造，主要用于照明系統以及消費和工業領域的開關電
2022-11-09 11:33:15973 
上一章基于ROHM的SJ-MOSFET產品陣容，以標準AN系列、低噪聲EN系列、高速KN系列為例介紹了SJ-MOSFET的特征。
2023-02-10 09:41:011150 
Nexperia 適用于 36V 電池系統的特定應用 MOSFET
2023-11-30 11:47:401120 
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）宣布其適用于汽車和工業電機控制應用的MOTIX?系列再添新成員。
2023-12-25 10:35:441389 英飛凌推出業內首款采用全新 OptiMOS 7 技術的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術經過系統和應用優化，主要應用于服務器和計算應用中的低輸出電壓 DC-DC 轉換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:491820 
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）宣布其適用于汽車和工業電機控制應用的MOTIX系列再添新成員。為進一步擴大這一先進產品系列的陣容，英飛凌推出了MOTIX雙通道柵極
2024-01-08 08:13:501063 
英飛凌科技股份公司近日發布了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列。這款產品采用了先進的TO-247PLUS-4-HCC封裝，規格為12-100mΩ，旨在滿足高壓應用的需求。
2024-02-01 10:51:001646 英飛凌最近發布了全新的750VG1分立式CoolSiC?MOSFET，滿足工業和汽車領域對更高能效和功率密度的不斷增長需求。這款產品系列包含了專為圖騰柱PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋
2024-03-15 16:31:451256 
英飛凌科技股份公司，作為全球領先的半導體公司，近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列，這一創新產品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，為設計人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。
2024-03-20 10:27:291466 英飛凌科技近日推出了其最新的OptiMOS? 7 80 V系列首款產品——IAUCN08S7N013。這款MOSFET技術不僅顯著提升了功率密度，還采用了通用且堅固的SSO8 5x6mm2 SMD封裝。
2024-05-07 15:08:071440 Vishay 推出首款采用新型 PowerPAK 8 x 8 LR 封裝的第四代 600 V E 系列功率MOSFET，為通信、工業和計算應用提供高效的高功率密度解決方案。
2024-05-10 11:47:422284 
英飛凌科技發布了其全新SSI系列固態隔離器，這是一款集成了隔離型柵極驅動電源的革命性產品。SSI系列固態隔離器旨在驅動MOS電壓驅動型功率晶體管，如CoolMOS?、OptiMOS?、TRENCHSTOP? IGBT或CoolSiC?，無需額外的專用電源來驅動功率晶體管的柵極。
2024-05-11 11:35:171228 Vishay公司近日重磅推出了一款革命性的功率MOSFET產品——SiHR080N60E，它采用了新型的PowerPAK? 8 x 8 LR封裝技術，標志著第四代600V E系列功率MOSFET的誕生。這一創新產品為通信、工業及計算領域帶來了前所未有的高效高功率密度解決方案。
2024-05-14 15:33:381341 定義系統集成標準，使其在廣泛的電力電子應用中能夠實現更高功率密度和效率。在英飛凌，CoolMOS8的推出意味著這些投入已經取得了成效。它是一項先進的MOSFET技術，
2024-07-31 08:14:441173 英飛凌再次引領行業潮流，最新推出的600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列，以其卓越的技術創新和卓越性價比，在全球范圍內樹立了高壓超級結MOSFET技術的新標桿。作為英飛凌新一代硅基
2024-09-03 14:50:451266 英飛凌推出的CoolMOS? S7T和S7TA SJ MOSFET，集成了先進的溫度傳感器技術，專為工業和汽車領域設計，顯著提升了結溫測量的精準度與穩定性。這一創新不僅簡化了溫度監測流程，還增強了功能安全性，為低頻大電流開關應用樹立了新標桿。
2024-09-03 14:51:391102 新品600VCoolMOS8SJMOSFET系列英飛凌最新推出的600VCoolMOS8引領著全球高壓超級結MOSFET技術的發展，在全球范圍內樹立了技術和性價比標準。CoolMOS8是英飛凌新一代
2024-09-03 08:02:39930 英飛凌科技股份公司近日推出全新PSOC? Control微控制器（MCU）系列。該系列適用于新一代工業和消費電機控制以及功率轉換系統應用，包括家用電器、電動工具、可再生能源產品、工業驅動器，以及照明
2024-09-25 10:32:151166 英飛凌科技股份公司（股票代碼：FSE： IFX，OTCQX： IFNNY）近期推出了其StrongIRFET? 2系列中的全新30V功率MOSFET產品組合，進一步豐富了該系列的產品線，旨在響應大眾
2024-09-30 16:15:581767 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出適用于IGBT、SiC和GaN柵極驅動器電源的EiceDRIVERPower2EP1xxR全橋變壓器驅動器系列。2EP1xxR
2024-12-10 01:00:521058 電子發燒友網站提供《適用于PoE應用的低成本隔離式電源.pdf》資料免費下載
2024-12-21 09:39:240 新品650VCoolMOS8超結(SJ)MOSFET英飛凌推出全新650VCoolMOS8引領全球高壓超結SJMOSFET技術，為行業技術和性價比樹立了全球標準。該系列為高功率應用提供了額外的50V
2025-07-04 17:09:031017
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