国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

關于高功率SMPS拓撲的“首選MOSFET”的性能分析和應用

cROa_英飛凌 ? 來源:djl ? 2019-09-24 14:22 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

CoolMOS CFD7是英飛凌最新的具有集成快速體二極管高壓技術,補全了CoolMOS 7系列。它是高功率SMPS應用(如服務器、電信設備和EV充電站等)中的諧振拓撲結構的理想選擇。

伴隨5G物聯網時代的到來,全球市場的智能終端數量在急劇攀升,而為了確保高帶寬、高質量的5G通信傳輸,基站等電信設備的大規模鋪設成為了必要的措施。同時,云端的服務器需求也在增加,源于云計算、大數據、AI等前沿技術都與通信產業密不可分。更不用說無人駕駛新能源興起帶來的EV充電站發展機遇。在一名電源工程師的眼中,這些場景都離不開高功率的SMPS應用。于是小編忍不住要馬上公開一個秘訣……

究竟是什么秘訣呢?

英飛凌高性能CoolMOS CFD7 系列,在高功率SMPS應用的諧振拓撲結構設計中搶占先機!

英飛凌最新推出的CoolMOS CFD7系列是CoolMOS CFD2系列的后繼產品。與競爭對手相比,CoolMOS CFD7 降低了門極電荷(Qg),大大改善了關斷行為,反向恢復電荷(Qrr)降低了高達69%,而且反向恢復時間(trr)在業內上是最短的。由于這些特性,CoolMOS CFD7 在諸如LLC和ZVS相移全橋之類的軟開關拓撲中提供了最高的效率和一流的可靠性。此外,由于優化了的RDS(on),CoolMOS CFD7可實現更高的功率密度。

這些最新的快速體二極管系列通過將快速開關技術的優點與卓越的換向穩健性結合在一起,并保持在設計過程中的易實現性,因此與競爭對手產品相比,具有明顯的優勢。

600V CoolMOS CFD7 SJ MOSFET——英飛凌給諧振拓撲的解決方案

1主要特性

超快速體二極管

一流的反向恢復電荷 (Qrr)

改進的反向二極管dv/dt和dif/dt耐久性

極低的FOM RDS(on)x Qg和Eoss

一流的RDS(on)/封裝結合

2主要優勢

流的硬換向穩健性

在于諧振拓撲結構中具有最高可靠性

高效率與杰出的易用性/性能的平衡

提升的功率密度解決方案

都說英飛凌技術水平節節高,除了上邊提及的主要特性與優勢外,600VCoolMOS CFD7 SJ MOSFET將之前CoolMOS CFD2系列世界領先的反向恢復電荷(Qrr)水平再降低32%,實現了裸開關拓撲領域的最高可靠性,避免了特定情況下可能發生的整流問題,能夠面向目標市場提供最優匹配效率。

關于高功率SMPS拓撲的“首選MOSFET”的性能分析和應用

170 mΩ CFD與190 mΩ范圍內的競爭對手產品的Qrr比較

以600V的IPW60R070CFD7為例,我們從下圖顯示的應用測量結果也可以看出,最新的CoolMOS CFD7系列功能在諧振開關拓撲結構中可顯著提高效率。CoolMOS CFD7系列與市場上的主要競爭對手相比,能效可增加高達1.45%,而且超出目標應用的要求,這就是英飛凌業界領先技術的BIGGER所在。

關于高功率SMPS拓撲的“首選MOSFET”的性能分析和應用

CoolMOS CFD7系列與競爭對手產品的能效比較

關于高功率SMPS拓撲的“首選MOSFET”的性能分析和應用

600V CoolMOS CFD7產品系列全家福

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 二極管
    +關注

    關注

    149

    文章

    10410

    瀏覽量

    178469
  • 拓撲結構
    +關注

    關注

    6

    文章

    332

    瀏覽量

    41091
  • 諧振
    +關注

    關注

    5

    文章

    437

    瀏覽量

    41757
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    探索 CSD16407Q5 N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET 的卓越性能

    探索 CSD16407Q5 N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET 的卓越性能 在電子設計領域,功率 MOSFET 是不可或缺的關鍵元
    的頭像 發表于 03-06 16:25 ?125次閱讀

    探索MAXIM ICL7667雙功率MOSFET驅動器:性能、應用與設計考量

    探索MAXIM ICL7667雙功率MOSFET驅動器:性能、應用與設計考量 在現代電子設備中,功率MOSFET驅動器起著至關重要的作用,它
    的頭像 發表于 02-05 09:20 ?133次閱讀

    感應加熱電源的拓撲架構演進與SiC功率模塊及驅動系統的價值分析報告

    感應加熱電源的拓撲架構演進與SiC功率模塊及驅動系統的價值分析報告 BASiC Semiconductor基本半導體一級代理商傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導體
    的頭像 發表于 01-28 11:33 ?141次閱讀
    感應加熱電源的<b class='flag-5'>拓撲</b>架構演進與SiC<b class='flag-5'>功率</b>模塊及驅動系統的價值<b class='flag-5'>分析</b>報告

    電解電源拓撲架構演進與碳化硅(SiC)功率系統的技術分析報告

    電解電源拓撲架構演進與碳化硅(SiC)功率系統的深度技術分析報告 BASiC Semiconductor基本半導體一級代理商傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導體和
    的頭像 發表于 01-28 11:32 ?150次閱讀
    電解電源<b class='flag-5'>拓撲</b>架構演進與碳化硅(SiC)<b class='flag-5'>功率</b>系統的技術<b class='flag-5'>分析</b>報告

    電鍍電源拓撲架構演進與SiC功率模塊及驅動技術的深度價值分析報告

    電鍍電源拓撲架構演進與SiC功率模塊及驅動技術的深度價值分析報告 BASiC Semiconductor基本半導體一級代理商傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導體和
    的頭像 發表于 01-28 11:30 ?205次閱讀
    電鍍電源<b class='flag-5'>拓撲</b>架構演進與SiC<b class='flag-5'>功率</b>模塊及驅動技術的深度價值<b class='flag-5'>分析</b>報告

    SiC碳化硅MOSFET功率半導體銷售培訓手冊:電源拓撲與解析

    SiC碳化硅MOSFET功率半導體銷售培訓手冊:電源拓撲與解析 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業電源、電力電子設
    的頭像 發表于 12-24 06:54 ?526次閱讀
    SiC碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>功率</b>半導體銷售培訓手冊:電源<b class='flag-5'>拓撲</b>與解析

    功率MOSFET管的應用問題分析

    。選取相關元件參數后,對電路進行測試,直到滿足設計要求。負載開關穩態功耗并不大,但是瞬態功耗很大,特別是長時間工作在線性區,會產生熱失效問題。因此,要校核功率MOSFET管的安全工作區SOA性能,同時
    發表于 11-19 06:35

    安森美SMPS矩陣方案滿足各類電源管理需求

    開關電源(SMPS)是一款經典產品,可根據終端負載將電網電力轉換為直流電力。由于其通常包含兩個電力轉換階段,因此更高能效始終是追求目標。提升能效的方式包括使用性能更優的功率開關,或采用不同的控制策略
    的頭像 發表于 10-30 17:04 ?880次閱讀
    安森美<b class='flag-5'>SMPS</b>矩陣方案滿足各類電源管理需求

    SH63N65DM6AG功率MOSFET技術解析:半橋拓撲的高效解決方案

    STMicroelectronics SH63N65DM6AG功率MOSFET是一款汽車級N通道MDmesh DM6半橋拓撲功率MOSFET
    的頭像 發表于 10-24 09:17 ?1633次閱讀
    SH63N65DM6AG<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>技術解析:半橋<b class='flag-5'>拓撲</b>的高效解決方案

    功率密度碳化硅MOSFET軟開關三相逆變器損耗分析

      相比硅 IGBT,碳化硅 MOSFET 擁有更快的開關速度和更低的開關損耗。 碳化硅 MOSFET 應用于開關頻率場合時其開關損耗隨著開關頻率的增加亦快速增長。 為進一步提升碳化硅
    發表于 10-11 15:32 ?38次下載

    Nexperia推出功率工業應用專用MOSFET

    PSMN1R9-80SSJ與100 V PSMN2R3-100SSJ兩款開關器件能夠提供增強的動態均流功能,專為需要并聯多個匹配MOSFET功率48 V應用設計。此類應用涵蓋叉車、電動滑板車、代步設備等電動交通工具的電機驅
    的頭像 發表于 10-10 11:22 ?1076次閱讀

    三電平電源拓撲結構及碳化硅MOSFET應用深度分析報告

    傾佳電子三電平電源拓撲結構及碳化硅MOSFET應用深度分析報告 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。他們主要服務于中國工業電源、電力電
    的頭像 發表于 08-17 17:43 ?3386次閱讀
    三電平電源<b class='flag-5'>拓撲</b>結構及碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>應用深度<b class='flag-5'>分析</b>報告

    開關電源功率變換器拓撲與設計

    等DC-DC功率變換器的拓撲和原理分析;工程設計指南部分包括正激、反激、橋式變換器的穩態分析和具體設計步驟。此外,還包括8個附錄,主要包括電感電壓穩態伏秒定律的證明、各種變壓器面積積公
    發表于 05-19 16:26

    BMF240R12E2G3成為新一代工商業儲能變流器(PCS)首選的SiC MOSFET功率模塊

    對高性能穩定性功率模塊的核心需求。BMF240R12E2G3成為新一代工商業儲能變流器(PCS)首選的SiC MOSFET
    的頭像 發表于 04-14 18:31 ?935次閱讀

    MOSFET與IGBT的區別

    的主要因素,討論二極管恢復性能對于硬開關拓撲的影響。 SMPS的進展一直以來,離線式SMPS產業由功率半導體產業的
    發表于 03-25 13:43