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      電子發燒友網>電源/新能源> 以高度靈活性滿足高功率密度和性能需求：英飛凌擴展1200 V 62 mm IGBT7 產品組合，推出全新電流額定值模塊

      以高度靈活性滿足高功率密度和性能需求：英飛凌擴展1200 V 62 mm IGBT7 產品組合，推出全新電流額定值模塊

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      除了太陽能和驅動應用外，該產品組合還為商用、建筑和農用車輛（CAV）以及不間斷電源（UPS）逆變器量身定制。
      2021-09-07 11:46:521070

      IGBT7與IGBT4兩種典型工況對比方案

      IGBT4與IGBT7的結溫對比。實驗結果表明，在連續大功率負載工況與慣量盤負載工況的對比測試中，IGBT7的結溫均低于IGBT4。 伺服驅動系統響應速度快，過載倍數高，小型化和高功率密度的趨勢更是對功率器件提出了更苛刻的要求。英飛凌明星產品IGBT7憑借超低導通壓降、dv/dt可控、175℃過載結溫
      2021-10-26 15:41:193924

      SiC FET實現更高水平的設計靈活性的解決方案

      為了滿足設計人員對更高性能、更高效系統的需求，UnitedSiC 宣布了新的 SiC FET，可實現更高水平的設計靈活性，最顯著的是 750 V、6 mΩ 的解決方案，其穩健的短路耐受時間額定值為 5微秒。
      2022-08-03 08:04:481708

      英飛凌IGBT

      英飛凌IGBT 英飛凌IGBT模塊電氣性能絕佳且可靠性最高，在設計靈活性上也絲毫不妥協 我們的產品組合包括不同的先進IGBT功率模塊產品系列，它們擁有不同的電路結構、芯片配置和電流電壓等級，適用于
      2023-02-16 16:30:582132

      英飛凌推出全新 EiceDRIVER? 1200 V 半橋驅動器 IC系列，有源米勒鉗位保護可提升高功率系統的耐用性

      ，為客戶提供了更多的選擇以及設計靈活性。增強的電流輸出能力將這一產品組合的適用性提升到更高的系統功率水平。這些器件能夠提供業內領先的負極 VS 負瞬態電壓抗
      2023-06-06 11:03:03962

      1200V-600A/450A IGBT模塊產品性能

      對應用系統的性能具有決定性的影響。為響應上述應用市場日益增長的發展需求，JSAB推出了兼容國外一流進口品牌的Econodual3和62mm封裝的1200V-600A/450A大功率模塊。相關模塊的IGBT
      2023-06-20 11:26:024093

      IGBT功率模塊散熱基板的作用及種類 車規級IGBT功率模塊的散熱方式

      IGBT功率模塊失效的主要原因是溫度過高導致的熱應力，良好的熱管理對于IGBT功率模塊穩定性和可靠性極為重要。新能源汽車電機控制器是典型的高功率密度部件，且功率密度隨著對新能源汽車性能需求的提高仍在
      2023-08-23 09:33:233280

      英飛凌(Infineon)IGBT管前10熱門型號

      、IKW40N120H3:Infineon的IKW40N120H3是一款高壓IGBT，適用于高效能和高可靠性的應用。它具有1200V的電壓額定值和40A的電流額定值，能夠提供低導通
      2023-08-25 16:58:534679

      搭載1200V P7芯片的PrimePACK?刷新同封裝功率密度

      封裝的功率密度上限。目標應用領域：1200VP7模塊首發型號有以下兩個：相比于以前的IGBT4或IGBT5產品，新的IGBT7產品進一步拓展了PrimePACK封
      2023-09-14 08:16:101725

      IGBT模塊的額定值和特性介紹

      如果施加超過額定值的負載。會立即損壞元件或降低元件的可靠性。請遵照規格書額定值進行設計
      2023-10-13 09:03:552359

      英飛凌推出面向高能效電源應用的分立式650V TRENCHSTOP? IGBT7 H7新品

      英飛凌科技推出分立式650VIGBT7H7新品，進一步擴展其TRENCHSTOPIGBT7產品陣容。全新器件配新一代發射極控制的EC7續流二極管，以滿足對環保和高效電源解決方案日益增長的需求
      2023-11-21 08:14:061085

      提高4.5kV IGBT模塊的功率密度

      提高4.5kV IGBT模塊的功率密度
      2023-11-23 15:53:382051

      采用IGBT7高功率密度變頻器的設計實例

      采用IGBT7高功率密度變頻器的設計實例
      2023-12-05 15:06:062055

      功率半導體電流額定值和熱設計

      功率半導體電流額定值和熱設計
      2023-12-07 14:36:271461

      絕對最大額定值的含義 IGBT IPM的絕對最大額定值

      Bipolar Transistor Intelligent Power Module）是一種集成了多個IGBT和驅動電路的功率模塊，用于高功率電子設備的開關控制。 IGBT IPM的絕對最大額定值對于
      2023-11-24 14:15:331953

      英飛凌推出全新62mm封裝CoolSiC產品組合，助力實現更高效率和功率密度

      英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業標準封裝產品。其采用新推出的增強型M1H碳化硅
      2023-12-02 08:14:011647

      擴展 IGBT7 產品組合，實現bast-in-Class功率密度

      技術的產品系列，其新封裝形式一定程度上豐富了其市場價值主張。圖1顯示了目前可用的分立產品組合，重點如下：1.采用TO-247PLUS封裝可實現高功率密度，可用于商用車和農用車(CAV)
      2023-12-11 17:31:131209

      英飛凌|1200V IGBT7和Emcon7可控性更佳，助力提升變頻器系統性能（上）

      的可能性大幅降低。在功率模塊中，IGBT和二極管的出色性能可帶來更高的電流密度和更大的輸出電流。不僅如此，通過將功率模塊的最高結溫提升到175 °C，輸出電流可增加50%以上。
      2024-01-09 14:24:501483

      最新IGBT7系列分立器件常見問題

      英飛凌新推出的IGBT7單管系列市場熱度不減，本文為大家整理針對該產品系列的常見問題，一看就懂，牢牢碼住!直播回放鏈接獲取IGBT7都通過了哪些可靠性測試？答：IGBT不論單管和模塊都需要通過
      2024-03-05 08:17:271349

      收藏！IGBT7系列分立器件核心知識點最全整理！

      IGBT7 S7和T7系列主要面向需要短路電流能力的應用，例如馬達驅動。該系列可實現更高的功率輸出以及更高的功率密度，無需重新設計散熱器，縮短設計周期和降低設計成本。 H7采用最新型微溝槽柵技術，通過優化元胞結構，極大程度上降低了器件
      2024-03-13 15:14:541110

      英飛凌推出全新CoolSiC? MOSFET 2000 V，在不影響系統可靠性的情況下提供更高功率密度

      英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiCMOSFET2000V。這款產品不僅能夠滿足設計人員對更高功率密度
      2024-03-20 08:13:051068

      英飛凌推出全新CoolSiC MOSFET 2000V產品

      英飛凌科技股份公司，作為全球領先的半導體公司，近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列，這一創新產品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，為設計人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。
      2024-03-20 10:27:291466

      上能電氣采用英飛凌IGBT7 EconoDUAL?3實現單機2MW儲能變流器

      的基于英飛凌IGBT7技術的新一代高功率密度2MW儲能變流器PCS，使用英飛凌最新的EconoDUAL3封裝的750
      2024-06-14 08:14:242480

      新品 | 采用1200V SiC M1H芯片的62mm半橋模塊系列產品擴展

      新品采用1200VSiCM1H芯片的62mm半橋模塊系列產品擴展1200V的62mmCoolSiCMOSFET半橋模塊現已上市。由于采用了M1H芯片技術，模塊在VGS(th)、RDS(on)漂移
      2024-06-26 08:14:271230

      利用SLC技術改善熱導率，增強IGBT模塊功率密度

      第七代工業IGBT模塊已成功開發用于650V和1200V級，以滿足高效率、高功率密度和高可靠性等重要電力電子系統要求。與低損耗第七代芯片組結合的SLC技術在熱循環能力、無“泵出故障”封裝和低熱阻
      2024-08-01 10:58:011504

      新品 | 900A 1700V Wave基板的EconoDUAL? 3 IGBT7 模塊

      的功率密度和更長的使用壽命。目前的EconoDUAL3Wave產品組合新增了1700V電壓等級的900A模塊。產品型號：FF900R17ME7W_B11900A170
      2024-08-13 08:14:431056

      英飛凌推出高性能 CIPOS? Maxi 智能功率模塊，適用于功率高達 4 千瓦的工業電機驅動器

      基于最新的TRENCHSTOPIGBT71200V和快速二極管EmCon7技術。由于采用了最新的微溝槽設計，該產品具有卓越的控制能力和性能。這大大降低了損耗，提高了效率和功率密度。該產品組合包
      2024-08-14 08:14:45958

      英飛凌宣布擴展其藍牙產品組合

      英飛凌科技股份公司近日在藍牙技術領域邁出重要一步，隆重推出AIROC? CYW20829低功耗藍牙5.4微控制器（MCU）系列的八款創新產品，此舉顯著擴展了其藍牙產品組合，為工業、消費及汽車等多個領域的應用提供了更加靈活高效的解決方案。
      2024-08-22 16:59:301282

      AM62x最大電流額定值

      電子發燒友網站提供《AM62x最大電流額定值.pdf》資料免費下載
      2024-09-06 10:33:500

      電源模塊MSL額定值和回流額定值

      電子發燒友網站提供《電源模塊MSL額定值和回流額定值.pdf》資料免費下載
      2024-09-30 10:05:160

      英飛凌推出全新StrongIRFET 2功率MOSFET 30V產品組合

      英飛凌科技股份公司（股票代碼：FSE： IFX，OTCQX： IFNNY）近期推出了其StrongIRFET? 2系列中的全新30V功率MOSFET產品組合，進一步豐富了該系列的產品線，旨在響應大眾
      2024-09-30 16:15:581766

      新品 | 采用IGBT7的CIPOS? Maxi 10-20A 1200V IPM

      Emcon7技術。由于采用了最新的微溝槽設計芯片，該產品具有卓越的控制能力和性能，這大大降低了損耗，提高了效率，并增加了功率密度。產品組合包括從10A，15A和20A三種新
      2024-10-09 08:04:051202

      新品 | D2PAK和DPAK封裝的TRENCHSTOP?的IGBT7系列

      新品D2PAK和DPAK封裝的TRENCHSTOP的IGBT7系列D2PAK和DPAK封裝的TRENCHSTOP的IGBT7系列，是采用額定電壓為1200V的IGBT7S7芯片，器件采用D2PAK
      2024-11-14 01:03:501615

      深度了解第8代1800A/1200V IGBT功率模塊

      采用這些技術并擴大芯片面積，第8代1200V IGBT功率模塊在相同的三菱電機LV100封裝中實現了1800A的額定電流，是傳統1200V IGBT功率模塊的1.5倍。
      2024-11-14 14:59:192864

      英飛凌IGBT7系列芯片大解析

      ，英飛凌IGBT芯片的“當家掌門”已由IGBT7接任。IGBT7采用微溝槽（micropatterntrench）技術，溝道密度更高，元胞間距也經過精心設計，并且
      2025-01-15 18:05:212265

      傾佳電子力薦：BASiC 62mm封裝BMF540R12KA3 SiC MOSFET模塊 —— 重新定義高功率密度與效率的邊

      傾佳電子力薦：BASiC 62mm封裝半橋BMF540R12KA3 SiC MOSFET模塊 —— 重新定義高功率密度與效率的邊界 關鍵詞：1200V/540A、2.5mΩ超低導通電阻、175℃高溫
      2025-06-24 07:58:29460

      Bourns 全新擴展 POWrFuse? 系列， 具備更高電壓額定值、更寬電流范圍與多樣封裝選項

      全球知名電源、保護和傳感解決方案電子組件領導制造供貨商，宣布擴展其 POWrFuse? 大功率電力保險絲產品組合，推出全新 PF-63R50H 系列，具備更高電壓額定值以及先進功能與性能，專為能源儲存
      2025-06-25 17:56:591271

      英飛凌推出采用Q-DPAK 封裝的CoolSiC? MOSFET 1200V G2，將工業應用功率密度提升至新高度

      的CoolSiCMOSFET1200VG2。這款新型半導體器件能夠提供更加出色的熱性能、系統效率和功率密度，專為應對工業應用的高性能和高可靠性要求而設計，例如電動汽車充電
      2025-08-01 17:05:091507

      Microchip推出全新DualPack 3 IGBT7電源模塊 提供高功率密度并簡化系統集成

      推出全新DualPack 3（DP3）系列電源模塊。該系列模塊采用先進IGBT7技術，提供1200V和1700V兩種電壓等級的六款產品，額定電流范圍300–900A，旨在滿足市場對緊湊、經濟高效且簡化的電源轉換器解決方案的日益增長需求。
      2025-09-17 15:45:45914

      英飛凌推出專為高功率與計算密集型應用而設計的400V和440V MOSFET

      及TO-247-3和TO-247-4封裝擴展其CoolSiC??400V G2 MOSFET產品組合。此外，英飛凌還推出了三款額定電壓為440V（連續）和455V（瞬態）的TOLL封裝新產品
      2025-10-31 11:00:59297

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