国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

新品 | 符合AQG324標準的車載充電用CoolMOS? CFD7A 650V EasyPACK?模塊

英飛凌工業半導體 ? 2024-11-08 01:03 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

新品

符合AQG324標準的車載充電用

CoolMOS CFD7A 650V

EasyPACK模塊

371b59aa-9d2a-11ef-8084-92fbcf53809c.png

符合AQG324標準的EasyPACK采用了最新的CoolMOS CFD7A 650V芯片和一個集成的直流緩沖器Snubber電路。完美的性價比組合,適用于車載充電器和電動汽車輔助系統應用。

產品型號:

■F4-35MR07W1D7S8_B11/A

產品特點

高度可靠的壓接式針腳

預涂熱界面材料(可選)

可實現緊湊系統設計

可集成SMD

應用價值

引腳-PCB連接非常良好

更好的熱性能

減少裝配工作量

設計自由度更高

減少器件并聯

競爭優勢

可進行靈活的引腳設計

降低系統成本

可實現緊湊系統設計

應用領域

電動汽車車載充電OBC

框圖

37617d0e-9d2a-11ef-8084-92fbcf53809c.png

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 充電
    +關注

    關注

    23

    文章

    1429

    瀏覽量

    98538
  • 車載
    +關注

    關注

    18

    文章

    691

    瀏覽量

    84776
  • CoolMOS
    +關注

    關注

    0

    文章

    27

    瀏覽量

    17545
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    新品 | TRENCHSTOP? IGBT 7 H7 750V分立器件

    新品TRENCHSTOPIGBT7H7750V分立器件TRENCHSTOPIGBT7H7750V硬開關型分立器件,是650V版本的升級產品,專為滿足綠色高效能源應用中對更高電壓處理能力
    的頭像 發表于 02-05 17:04 ?860次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | TRENCHSTOP? IGBT <b class='flag-5'>7</b> H<b class='flag-5'>7</b> 750<b class='flag-5'>V</b>分立器件

    新品 | CoolSiC? 碳化硅MOSFET M1H EasyDUAL? 1200V

    新品CoolSiC碳化硅MOSFETM1HEasyDUAL1200VEasyDUAL2BCoolSiCMOSFET半橋模塊通過AQG324認證,采用PressFIT引腳和預涂導熱界面材料,集成NTC
    的頭像 發表于 01-22 17:05 ?1242次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | CoolSiC? 碳化硅MOSFET M1H EasyDUAL? 1200<b class='flag-5'>V</b>

    新品 | 英飛凌第五代CoolGaN? BDS 650V 氮化鎵雙向開關

    新品英飛凌第五代CoolGaNBDS650V氮化鎵雙向開關CoolGaNG5系列650V雙向開關(BDS)是一款單片集成器件,能夠在兩個方向上主動阻斷電壓和電流。它在電力電子領域,特別是在實現單級
    的頭像 發表于 01-19 17:14 ?2579次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 英飛凌第五代CoolGaN? BDS <b class='flag-5'>650V</b> 氮化鎵雙向開關

    新品 | 第五代氮化鎵CoolGaN? 650V G5雙通道晶體管

    Ω、耐壓650V的增強型CoolGaN晶體管組成。該產品憑借CoolGaN晶體管卓越的開關特性,非常適合用于實現AC-DC充電器與適配器的高功率密度設計,以及低功率電機
    的頭像 發表于 01-15 17:09 ?2656次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 第五代氮化鎵CoolGaN? <b class='flag-5'>650V</b> G5雙通道晶體管

    深挖1ED21x7x系列:650V高端柵極驅動器的卓越性能與應用解析

    深挖1ED21x7x系列:650V高端柵極驅動器的卓越性能與應用解析 在電力電子領域,柵極驅動器的性能對于功率器件的高效、穩定運行起著關鍵作用。今天我們就來深入探討英飛凌(Infineon
    的頭像 發表于 12-18 16:10 ?832次閱讀

    onsemi NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC H橋功率模塊技術解析

    安森美 (onsemi) NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC H橋功率MOSFET模塊專為汽車及工業環境中要求嚴苛的功率轉換應用而設計。安森美 (onsemi
    的頭像 發表于 11-22 11:16 ?1420次閱讀
    onsemi NXVF6532M3TG01 <b class='flag-5'>650V</b> EliteSiC H橋功率<b class='flag-5'>模塊</b>技術解析

    合科泰650V高壓MOS管HKTD7N65的特性和應用

    在工業電源、電機驅動及照明系統等高壓應用場景中,功率MOS管的可靠性、能效與成本控制直接決定了終端產品的市場競爭力。合科泰電子推出的高壓MOS管 HKTD7N65,憑借650V耐壓、7A電流與低至1.08Ω的導通電阻,為工程師提
    的頭像 發表于 11-07 17:46 ?1603次閱讀

    龍騰半導體推出四款650V F系列IGBT新品

    隨著便攜儲能、新能源及工業電源應用對高效率、高功率密度需求的不斷提升,IGBT作為電力電子系統的核心開關器件,其性能已成為決定整機效能與可靠性的關鍵因素。為應對市場對高性能功率器件的迫切需求,龍騰半導體正式推出四款650V F系列IGBT新品,致力于為高頻、高效應用提供更
    的頭像 發表于 10-24 14:03 ?2056次閱讀
    龍騰半導體推出四款<b class='flag-5'>650V</b> F系列IGBT<b class='flag-5'>新品</b>

    英飛凌CoolGaN BDS 650V G5雙向開關產品介紹

    CoolGaN BDS 650V G5雙向開關。這款基于氮化鎵(GaN)技術的單片雙向開關,憑借其卓越的性能和創新的設計,正在成為高效電力轉換領域的明星產品。
    的頭像 發表于 08-28 13:52 ?3582次閱讀

    新品 | 針對車載充電和電動汽車應用的EasyPACK? CoolSiC? 1200V和硅基模塊

    新品針對車載充電和電動汽車應用的EasyPACKCoolSiC1200V和硅基模塊英飛凌推出針對車載
    的頭像 發表于 07-31 17:04 ?963次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 針對<b class='flag-5'>車載</b><b class='flag-5'>充電</b>和電動汽車應用的<b class='flag-5'>EasyPACK</b>? CoolSiC? 1200<b class='flag-5'>V</b>和硅基<b class='flag-5'>模塊</b>

    新品 | 面向低功率儲能應用的Easy模塊產品擴展

    新品面向低功率儲能系統應用的產品擴展●采用最新1200VTRENCHSTOPIGBT7和EC7快速二極管技術的三電平NPC1拓撲的EasyPACK3B
    的頭像 發表于 07-23 17:03 ?531次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 面向低功率儲能應用的Easy<b class='flag-5'>模塊</b>產品擴展

    新品 | 650V CoolMOS? 8超結 (SJ) MOSFET

    新品650VCoolMOS8超結(SJ)MOSFET英飛凌推出全新650VCoolMOS8引領全球高壓超結SJMOSFET技術,為行業技術和性價比樹立了全球標準。該系列為高功率應用提供
    的頭像 發表于 07-04 17:09 ?1214次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | <b class='flag-5'>650V</b> <b class='flag-5'>CoolMOS</b>? 8超結 (SJ) MOSFET

    新品 | 采用D2PAK-7封裝的CoolSiC? 650V G2 SiC MOSFET

    新品采用D2PAK-7封裝的CoolSiC650VG2SiCMOSFET第二代CoolSiCMOSFET650VG2分立器件系列推出D2PAK-7
    的頭像 發表于 07-01 17:03 ?1521次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 采用D2PAK-<b class='flag-5'>7</b>封裝的CoolSiC? <b class='flag-5'>650V</b> G2 SiC MOSFET

    新品 | EiceDRIVER? 650 V +/- 4 A高壓側柵極驅動器 1ED21x7 系列

    新品EiceDRIVER650V+/-4A高壓側柵極驅動器1ED21x7系列英飛凌的新一代EiceDRIVER1ED21x7x650V、+/
    的頭像 發表于 05-21 17:07 ?709次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | EiceDRIVER? <b class='flag-5'>650</b> <b class='flag-5'>V</b> +/- 4 <b class='flag-5'>A</b>高壓側柵極驅動器 1ED21x<b class='flag-5'>7</b> 系列

    新品 | 儲能用1200V 500A NPC2 三電平IGBT EasyPACK? 3B模塊

    新品儲能用1200V500ANPC2三電平IGBTEasyPACK3B模塊1200V500ANPC2三電平模塊,采用
    的頭像 發表于 05-16 17:08 ?951次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 儲能用1200<b class='flag-5'>V</b> 500<b class='flag-5'>A</b> NPC2 三電平IGBT <b class='flag-5'>EasyPACK</b>? 3B<b class='flag-5'>模塊</b>