為滿足電動汽車市場的需求，英飛凌推出了全新的650V CoolMOS? SJ功率 MOSFET CFD7A系列。這一產(chǎn)品經(jīng)過專門優(yōu)化，可以滿足電動汽車應(yīng)用 （如車載充電器、HV-LV DC-DC 轉(zhuǎn)換器和輔助電源）的要求。
2020-05-31 09:15:36
1998 科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出了650 V CoolSiCTM?MOSFET系列新產(chǎn)品。該產(chǎn)品具有高可靠性、易用性和經(jīng)濟(jì)實用等特點，能夠提供卓越的性能。這些SiC器件采用了英飛凌先進(jìn)的SiC溝槽工藝、緊湊的D2PAK 表面貼裝7引腳封裝和.XT互連技術(shù)
2022-03-31 18:10:575864 
。在碳化硅材料中，垂直界面的缺陷密度明顯低于橫向界面。這就為性能和魯棒性特征與可靠性的匹配提供了新的優(yōu)化潛力。 安富利合作伙伴英飛凌推出的CoolSiC MOSFET G2溝槽技術(shù)繼承了G1的高可靠性。 基于所有已售出的CoolSiC MOSFET G1、分立器件和工
2024-05-16 09:54:311373 
的CoolSiCMOSFET650V和1200VGen2技術(shù)在確保質(zhì)量和可靠性的前提下，進(jìn)一步提升了MOSFET的主要性能指標(biāo)，擁有更高的效率和功率密度。Gen2SiC性價比
2025-08-19 14:45:005067 
瞻芯電子(IVCT)基于經(jīng)典壽命模型，對大樣本量的第二代(G2)650V SiC MOSFET 進(jìn)行了魯棒性驗證試驗(Robustness-Validation)。該試驗嚴(yán)格遵循AEC-Q101
2025-12-18 16:35:545797 
CIPOS Maxi IPM集成了改進(jìn)的6通道1200 V絕緣體上硅（SOI）柵極驅(qū)動器和六個CoolSiC? MOSFET，以提高系統(tǒng)可靠性，優(yōu)化PCB尺寸和系統(tǒng)成本。
2020-12-11 17:01:081369 英飛凌推出了全新分立式封裝的650 V TRENCHSTOP? 5 WR6系列。
2021-07-14 14:56:194704 
新款 CoolSiC Hybrid產(chǎn)品系列結(jié)合了650 V TRENCHSTOP? 5 IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管的主要優(yōu)點，具備出色的開關(guān)速度和更低的開關(guān)損耗，特別適用于 DC-DC 功率變換器和PFC電路。
2021-08-06 15:40:472291 
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片（S5/H5），進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:422572 
? MOSFET 2000 V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設(shè)計人員對更高功率密度的需求，而且即使面對嚴(yán)格的高電壓和開關(guān)頻率要求，也不會降低系統(tǒng)可靠性。CoolSiC? MOSFET具有更高的直流母線
2024-03-14 11:07:581205 
了全面的提升。 ? 性能全方面提升 ? 英飛凌在2017年正式推出了第一代溝槽柵SiC MOSFET，即CoolSiC MOSFET G1。在CoolSiC MOSFET G1中，英飛凌采用溝槽柵
2024-03-19 18:13:184422 
電池充電，還能作為意外停電時的備用電源，以及高效綠色能源發(fā)電設(shè)備的核心組件。該雙向逆變器搭載了英飛凌的****1200 V M1H CoolSiC? EasyPACK? 1B模塊 和采用 D2PAK
2022-08-09 15:17:41
系列產(chǎn)品，B3M040065H,B3M040065L,B3M040065Z高性能，高可靠性和易用性，高性價比，同時提供驅(qū)動電源和驅(qū)動IC解決方案！
*附件
2025-01-22 10:43:28
0前言家用逆變焊機因其體較小，操作方便，市場接受度逐步提高。因市電220V輸入的特點，一般采用600V/650V規(guī)格的IGBT作為逆變主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
可靠性是什么？充實一下這方面的知識 產(chǎn)品、系統(tǒng)在規(guī)定的條件下，規(guī)定的時間內(nèi)，完成規(guī)定功能的能力稱為可靠性。 這里的產(chǎn)品可以泛指任何系統(tǒng)、設(shè)備和元器件。產(chǎn)品可靠性定義的要素是三個“規(guī)定”：“規(guī)定
2015-08-04 11:04:27
AD7981是什么？AD7981有什么特性？AD7981有哪些應(yīng)用實例？AD7981是如何在極端溫度下實現(xiàn)突破性能和可靠性的？
2021-05-17 07:17:52
問題。（※在SBD和MOSFET的第一象限工作中不會發(fā)生這類問題）ROHM通過開發(fā)不會擴大堆垛層錯的獨特工藝，成功地確保了體二極管通電的可靠性。在1200V 80Ω的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品中，實施了
2018-11-30 11:30:41
；TSD5N60MTruesemi 其它相關(guān)產(chǎn)品請 點擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經(jīng)過100％雪崩測試改進(jìn)的dv/dt功能主要參數(shù)：應(yīng)用：高效開關(guān)模式電源，基于半橋拓?fù)涞挠性垂β室驍?shù)校正`
2020-04-30 15:13:55
具有決定性的影響。因此，深入理解柵極氧化層的特性，并掌握其可靠性測試方法，對于推動碳化硅 MOSFET的應(yīng)用和發(fā)展具有重要意義。今天的“SiC科普小課堂”將聚焦于“柵極氧化層”這一新話題：“什么是柵極
2025-01-04 12:37:34
控“工程設(shè)計、生產(chǎn)物料、制造設(shè)備、流程工藝、品保設(shè)施、生產(chǎn)環(huán)境、管理體系、團(tuán)隊素質(zhì)”等一系列影響因子。因此，評估PCB是否具備“高可靠性”需要深度確認(rèn)工廠的下列管控項目是否已經(jīng)完全受控。1.預(yù)防機制1)工程設(shè)計
2020-07-03 11:18:02
MOSFET 寄生特性都比硅MOSFET為好。但是，這種技術(shù)確實能夠提供許多優(yōu)勢，加上在硬開關(guān)應(yīng)用中的牢固性，使其值得在更高效電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中考慮采用。650V CoolSiC系列的推出令這些優(yōu)勢更加明顯，從而
2023-03-14 14:05:02
為了FPGA保證設(shè)計可靠性, 需要重點關(guān)注哪些方面？
2019-08-20 05:55:13
。因此，硬件可靠性設(shè)計在保證元器件可靠性的基礎(chǔ)上，既要考慮單一控制單元的可靠性設(shè)計，更要考慮整個控制系統(tǒng)的可靠性設(shè)計。
2021-01-25 07:13:16
描述：
APJ14N65D是CoolFET II MOSFET系列
也就是利用電荷平衡技術(shù)
低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷性能
APJ14N65F/P/T適用于需要更高的功率密度和突出的效果
一般特性
2025-07-15 16:22:02
描述：
APJ14N65F/P/T是CoolFET II MOSFET系列
也就是利用電荷平衡技術(shù)，低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷性能。
APJ14N65F/P/T適用于需要更高的功率密度和突出的效率
一般
2025-07-09 13:35:13
650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
可靠性相關(guān)理論對現(xiàn)場返還數(shù)據(jù)進(jìn)行分解與建模分析，獲得一個融合了產(chǎn)品設(shè)計能力、使用環(huán)境、工藝水平、制造能力、檢測能力以及質(zhì)量管理水平的產(chǎn)品失效率模型，并建立了一套符合無線通信產(chǎn)品研發(fā)生產(chǎn)過程各項可靠性
2019-06-19 08:24:45
”設(shè)計，徹底消除了傳統(tǒng)光耦LED老化導(dǎo)致的性能衰減問題，帶來更高的長期運行可靠性。-提供30V的輸入反向耐壓能力，增強接口保護(hù)。3.強大的驅(qū)動與保護(hù)：-峰值輸出電流達(dá)1.0A，可有效驅(qū)動主流IGBT/MOSFET
2025-07-21 08:56:31
時間內(nèi)（由600V IGBT3的6微秒增至650V IGBT4的10微秒），該器件具備出類拔萃的開關(guān)性能和短路魯棒性。結(jié)論利用英飛凌新型650V IGBT4可開發(fā)出專用于大電流應(yīng)用的逆變器設(shè)計，以部署
2018-12-07 10:16:11
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術(shù)為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹立了行業(yè)新桿標(biāo)。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態(tài)電阻、低容性損耗特性與改進(jìn)反向恢復(fù)過程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列
Toshiba推出新系列的功率MOSFET，這些功率MOSFET改善效率和具有快速開關(guān)速度，應(yīng)用工作電壓高達(dá)650V, 電流20A。新的TK系列器件適合用于各
2010-03-30 10:37:181779 英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級結(jié)（SJ）器件的優(yōu)勢（如低導(dǎo)通電阻和低容性開關(guān)損耗）與輕松控制的開關(guān)行為、及
2010-07-05 08:48:262309 英飛凌目前正推出另一項重要的創(chuàng)新型高壓CoolMOS MOSFET。這種全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具備650V漏源電壓并集成快速體二極管的高壓晶體管。
2011-02-16 09:11:172280 英飛凌科技股份有限公司擴展其車用功率半導(dǎo)體系列產(chǎn)品，推出全新 650V CoolMOS CFDA。這是業(yè)界首創(chuàng)整合高速本體二極體技術(shù)的超接面 MOSFET 解決方案，符合最高的汽車認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn) AEC-Q101。
2012-04-05 09:31:021772 2015年3月2日，德國慕尼黑——英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）發(fā)布了能夠讓應(yīng)用于汽車中的高速開關(guān)實現(xiàn)最高效率的高堅固性650V IGBT系列。
2015-03-04 10:00:291759 2016年5月10日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出革命性的碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)，使產(chǎn)品設(shè)計可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。英飛凌的CoolSiC? MOSFET具備更大靈活性，可提高效率和頻率。
2016-05-10 18:14:091448 大聯(lián)大旗下品佳代理的英飛凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產(chǎn)品設(shè)計可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。它們將有助于電源轉(zhuǎn)換方案的開發(fā)人員節(jié)省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統(tǒng)成本。
2018-04-23 16:18:004336 
SiC MOSFET與傳統(tǒng)硅MOSFET在短路特性上有所差異，以英飛凌CoolSiC? 系列為例，全系列SiC MOSFET具有大約3秒的短路耐受能力。可以利用器件本身的這一特性，在驅(qū)動設(shè)計中考慮短路保護(hù)功能，提高系統(tǒng)可靠性。
2018-06-15 10:09:3826420 
ROHM第三代碳化硅MOSFET特點（相比第二代）ROHM第三代設(shè)計應(yīng)用于650V和1200V產(chǎn)品之中，包括分立或模組封裝。本報告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET，并利用光學(xué)顯微鏡和掃描電鏡研究復(fù)雜的碳化硅溝槽結(jié)構(gòu)。
2018-08-20 17:26:2910826 CoolSiC肖特基二極管650V G6系列是英飛凌不斷提高技術(shù)和流程的結(jié)果，讓碳化硅肖特基二極管的設(shè)計和開發(fā)更具價格優(yōu)勢，性能一代更比一代強。因此，G6是英飛凌最具有性價比的CooSiC肖特基二極管的一代，在同等價格下提供最高能效。
2019-09-24 10:42:524926 
在220V單相家用便攜式焊機應(yīng)用中，大部分設(shè)計是使用650V IGBT單管制作逆變電源，開關(guān)頻率最高可以到50kHz，如果采用軟開關(guān)技術(shù)，開關(guān)頻率還能更高，也有使用650V硅基MOSFET為功率器件
2020-03-31 15:32:385077 英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標(biāo)志著公司進(jìn)一步增強了在低壓SiC領(lǐng)域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:505544 什么樣的MOSFET才適合儲能系統(tǒng)？英飛凌全新推出了碳化硅MOSFET：650V CoolSiC MOSFET產(chǎn)品系列，幫助儲能系統(tǒng)輕松實現(xiàn)更高效、更高功率密度以及雙向充/放電的設(shè)計。
2020-08-21 14:01:251416 
英飛凌推出采用全新D2PAK-7L封裝的1200V CoolSiC MOSFET，導(dǎo)通電阻從30m?到350m?，可助力不同功率的工業(yè)電源、充電器及伺服驅(qū)動器（不同的電流額定值）實現(xiàn)最高效率。 了解
2020-11-03 14:09:493799 效率。 了解使用此 SMD 封裝從而提高應(yīng)用性能的多種方法：被動冷卻解決方案、增大功率密度、延長使用壽命等等。 CoolSiC?溝槽 MOSFET 技術(shù)經(jīng)過優(yōu)化，將性能與可靠性相結(jié)合，并具有 3μs 的短路時間。由于采用 .XT 連接技術(shù)，其小巧封裝外形的散熱性能得到顯著改善。相比標(biāo)準(zhǔn)封裝的連接技術(shù)，
2021-03-01 12:16:023163 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（東芝）宣布，在其TOLL（TO-無引線）封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級結(jié)功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:231813 
前言背景： 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管
2021-03-26 16:40:203459 
英飛凌科技股份公司將EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET模塊升級為新型氮化鋁（AIN） 陶瓷。
2021-08-06 15:25:301618 以特斯拉Model 3為代表的眾多電動汽車量產(chǎn)車型成功應(yīng)用SiC MOSFET芯片，表明SiC MOSFET在性能、可靠性和綜合成本層面已得到產(chǎn)業(yè)界的認(rèn)可。基于大量的設(shè)計優(yōu)化和可靠性驗證工作，瑞能
2022-02-18 16:44:105623 
TP650H070L系列650V，72m? 氮化鎵（GaN）FET是常關(guān)器件。它們結(jié)合了最先進(jìn)的技術(shù)高壓GaN HEMT和低壓硅MOSFET提供卓越可靠性和性能的技術(shù)。
2022-03-31 15:03:35
10 650V 60mΩ SiC MOSFET主要應(yīng)用市場包括光伏和儲能、驅(qū)動、電動汽車及充電樁、UPS、電源等。據(jù)HIS報告，電動汽車充電市場的增長將非常強勁，高達(dá)59%。
2022-08-02 15:06:551515 
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:291160 
英飛凌的mos管資料，650V工具?ISBuiltoverthesolidsiliconcarbide技術(shù)開發(fā)時間不超過20年。利用寬帶隙SiC材料特性，650V冷卻液?MOSFET是獨一無二的性能、可靠性和易用性的組合。適用于高在溫度和濕度條件下，可降低成本和成本高效系統(tǒng)的有效部署。
2022-08-05 14:40:510 650V 快速恢復(fù) SuperFET? II MOSFET 在諧振拓?fù)渲袑崿F(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性
2022-11-14 21:08:360 新品CoolSiC1200VSiCMOSFET低歐姆產(chǎn)品CoolSiC1200VSiCMOSFET低歐姆產(chǎn)品，采用TO247封裝，建立在最先進(jìn)的溝槽柵半導(dǎo)體工藝上。經(jīng)過優(yōu)化，性能和可靠性均有進(jìn)一步
2022-04-20 09:56:201544 
繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產(chǎn)品后，2023年7月 森國科正式對外推出650V超結(jié)MOSFET系列新品 ，相較于傳統(tǒng)的功率MOSFET，SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:162413 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP12N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:06:570 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP10N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:12:250 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP8N65C美浦森高壓MOSFET 650V 7.5A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:30:151 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP5N65C美浦森高壓MOSFET 650V 4.5A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:33:490 碳化硅MOSFET在材料與器件特性上不同于傳統(tǒng)硅，如何保證性能和可靠性的平衡是所有廠家需要面對的首要問題，英飛凌作為業(yè)界為數(shù)不多的采用溝槽柵做SiCMOSFET的企業(yè)，如何使用創(chuàng)新的非對稱溝槽柵既
2023-11-28 08:13:571746 
IGBT 作為一種功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)節(jié)能、電動汽車和新能源裝備等領(lǐng)域。IGBT 具有節(jié)能、安裝方便、維護(hù)方便、散熱穩(wěn)定等特點，是能量轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)暮诵难b置。瑞能的650V IGBT產(chǎn)品在電性能和可靠性等方面具備諸多優(yōu)勢，在行業(yè)內(nèi)也處于領(lǐng)先地位。
2023-12-26 13:31:351604 
英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的650V軟特性發(fā)射極控制高速二極管EC7。這款二極管采用TO247-2封裝，具有2個引腳，不僅增加了安規(guī)距離，提高了可靠性，而且適用于多種應(yīng)用場景。
2024-02-01 10:50:021808 英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列。這款產(chǎn)品采用了先進(jìn)的TO-247PLUS-4-HCC封裝，規(guī)格為12-100mΩ，旨在滿足高壓應(yīng)用的需求。
2024-02-01 10:51:001646 Ω規(guī)格的IV2Q06060D7Z，均成功通過了嚴(yán)苛的車規(guī)級可靠性認(rèn)證。這一認(rèn)證標(biāo)志著瞻芯電子的SiC MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)滿足了汽車行業(yè)對高可靠性、高性能的嚴(yán)格要求，為新能源汽車市場的高效發(fā)展注入了新的活力。
2024-03-07 09:43:181605 另外，CoolSiC MOSFET產(chǎn)品組合還成功實現(xiàn)了SiC MOSFET市場中的最低導(dǎo)通電阻值（Rdson），這大大提高了能效、功率密度，以及在電力系統(tǒng)中的可靠性，降低了零件使用數(shù)量。
2024-03-10 12:32:411773 3月8日，瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過了嚴(yán)格的車規(guī)級可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified）。
2024-03-11 09:24:381469 
的CoolSiCMOSFET650V和1200VGeneration2技術(shù)在確保質(zhì)量和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標(biāo)（如能量和電荷儲量）提高了20%，不僅提升了整體能效
2024-03-12 08:13:021124 近日，瞻芯電子宣布其研發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品成功通過了嚴(yán)格的AEC-Q101車規(guī)級可靠性認(rèn)證，這一里程碑式的成就標(biāo)志著瞻芯電子在功率電子領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新與技術(shù)突破。
2024-03-12 11:04:241748 瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品，這些產(chǎn)品不僅通過了嚴(yán)格的車規(guī)級可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified），還具備業(yè)界領(lǐng)先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標(biāo)志著瞻芯電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:131664 英飛凌科技股份公司，作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司，近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列，這一創(chuàng)新產(chǎn)品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，為設(shè)計人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。
2024-03-20 10:27:291466 英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，無疑為功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域帶來了革命性的進(jìn)步。與上一代產(chǎn)品相比，全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:361715 CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，規(guī)格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯(lián)技術(shù)，CoolSiC技術(shù)的輸出電流能力強，可靠性提高。
2024-03-22 14:08:351310 英飛凌科技推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，開啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比，英飛凌全新的 CoolSiC? MOSFET 650 V 和 1200 V
2024-04-20 10:41:201986 
Navitas半導(dǎo)體公司日前宣布擴展其第三代“快速”系列(G3F)650V碳化硅(SiC)MOSFET，新增一款耐用且高效的表面貼裝TOLL(無引腳晶體管外形)封裝。這種新型封裝專門針對高功率
2024-08-05 11:25:201265 
英飛凌再次引領(lǐng)行業(yè)潮流，最新推出的600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列，以其卓越的技術(shù)創(chuàng)新和卓越性價比，在全球范圍內(nèi)樹立了高壓超級結(jié)MOSFET技術(shù)的新標(biāo)桿。作為英飛凌新一代硅基
2024-09-03 14:50:451266 半導(dǎo)體器件 650 V產(chǎn)品組合。 這兩個產(chǎn)品系列基于CoolSiC 第2代（G2）技術(shù)，在性能、可靠性和易用
2024-09-07 10:02:072095 750V8mΩCoolSiCMOSFET采用TO-247-4封裝的新型CoolSiCMOSFET750VG1是高度堅固的SiCMOSFET，具有最佳的系統(tǒng)性能和可靠性
2024-12-20 17:04:511010 650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780 
650 V G2 Q-DPAK TSC 這兩個產(chǎn)品系列采用頂部和底部冷卻并基于CoolSiC Generation 2（G2）技術(shù)，其性能、可靠性和易用性均有顯
2025-02-21 16:38:52758 
隨著BASiC基本半導(dǎo)體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級疊加價格低于進(jìn)口超結(jié)MOSFET，不少客戶已經(jīng)開始動手用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET,電源客戶從超結(jié)MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動力分析。
2025-03-01 08:53:441053 
內(nèi)置650V MOSFET的高可靠性PSR AC-DC轉(zhuǎn)換器CN1812
2025-03-05 10:09:23890 
；內(nèi)置ESD保護(hù)功能，有助于實現(xiàn)高可靠性的設(shè)計。另外，通過采用通用性高的DFN封裝，不僅散熱性能出色，還非常易于安裝。采用DFN8080K 封裝，屬于 650V 增強型氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET
2025-03-07 15:46:54909 
GaN元器件開發(fā)的Ancora Semiconductors Inc.聯(lián)合開發(fā)而成的，在650V GaNHEMT的器件性能指數(shù)方面，達(dá)到了業(yè)界超高水平
2025-03-07 16:45:55748 
的CoolSiCMOSFET650V和1200VGen2技術(shù)在確保質(zhì)量和可靠性的前提下，進(jìn)一步提升了MOSFET的主要性能指標(biāo)，擁有更高的效率和功率密度。Gen2SiC性價比提高了15%，是各種
2025-06-09 17:45:191087 新品650VCoolMOS8超結(jié)(SJ)MOSFET英飛凌推出全新650VCoolMOS8引領(lǐng)全球高壓超結(jié)SJMOSFET技術(shù)，為行業(yè)技術(shù)和性價比樹立了全球標(biāo)準(zhǔn)。該系列為高功率應(yīng)用提供了額外的50V
2025-07-04 17:09:031016 CoolGaN BDS 650V G5雙向開關(guān)。這款基于氮化鎵（GaN）技術(shù)的單片雙向開關(guān)，憑借其卓越的性能和創(chuàng)新的設(shè)計，正在成為高效電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的明星產(chǎn)品。
2025-08-28 13:52:113435 龍騰半導(dǎo)體最新推出650V/40A/99mΩ超結(jié)MOSFET，其內(nèi)置FRD，適應(yīng)LLC應(yīng)用，并適合多管應(yīng)用，具有更快的開關(guān)速度，更低的導(dǎo)通損耗；極低的柵極電荷（Qg），大大提高系統(tǒng)效率和優(yōu)異的EMI性能。
2025-09-26 17:39:511274 
隨著便攜儲能、新能源及工業(yè)電源應(yīng)用對高效率、高功率密度需求的不斷提升，IGBT作為電力電子系統(tǒng)的核心開關(guān)器件，其性能已成為決定整機效能與可靠性的關(guān)鍵因素。為應(yīng)對市場對高性能功率器件的迫切需求，龍騰半導(dǎo)體正式推出四款650V F系列IGBT新品，致力于為高頻、高效應(yīng)用提供更優(yōu)異的解決方案。
2025-10-24 14:03:301877 
在工業(yè)電源、電機驅(qū)動及照明系統(tǒng)等高壓應(yīng)用場景中，功率MOS管的可靠性、能效與成本控制直接決定了終端產(chǎn)品的市場競爭力。合科泰電子推出的高壓MOS管 HKTD7N65，憑借650V耐壓、7A電流與低至1.08Ω的導(dǎo)通電阻，為工程師提供了一款兼具高性能與高可靠性的國產(chǎn)功率器件新選擇。
2025-11-07 17:46:101414 探索IMYR140R008M2H CoolSiC? 1400 V SiC MOSFET G2：高性能與多功能的完美結(jié)合 在電子工程領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體器件的性能直接影響著整個系統(tǒng)的效率和可靠性。今天
2025-12-18 13:50:02215 CoolSiC? 1400 V SiC MOSFET G2：高性能碳化硅MOSFET的卓越之選 在當(dāng)今電子技術(shù)飛速發(fā)展的時代，功率半導(dǎo)體器件的性能對于各類電子系統(tǒng)的效率、可靠性和性能表現(xiàn)起著至關(guān)重要
2025-12-18 13:50:06203 深挖1ED21x7x系列：650V高端柵極驅(qū)動器的卓越性能與應(yīng)用解析 在電力電子領(lǐng)域，柵極驅(qū)動器的性能對于功率器件的高效、穩(wěn)定運行起著關(guān)鍵作用。今天我們就來深入探討英飛凌（Infineon
2025-12-18 16:10:12227 EVAL-COOLSIC-2kVHCC評估板：2000V CoolSiC? MOSFET的理想測試平臺 在電力電子領(lǐng)域，工程師們一直在尋找性能更優(yōu)、可靠性更高的功率器件及測試方案。今天，我們就來深入
2025-12-19 17:00:15447 探索TP65H050G4YS 650V SuperGaN? FET的卓越性能與設(shè)計要點 在電子設(shè)備不斷追求高效、小型化的今天，功率半導(dǎo)體器件的性能起著至關(guān)重要的作用。今天我們就來詳細(xì)探討一下
2025-12-29 10:05:1576 探索TP65H070G4RS 650V SuperGaN? GaN FET：高效能與可靠性的完美結(jié)合 引言 在當(dāng)今電子技術(shù)飛速發(fā)展的時代，功率半導(dǎo)體器件的性能和可靠性對于各種電子設(shè)備的運行
2025-12-29 10:05:2292 TP65H070G4PS 650V SuperGaN? GaN FET：高效開關(guān)的理想之選 在電子工程師的日常工作中，不斷尋找高性能、高可靠性的電子元件是提升設(shè)計水平的關(guān)鍵。今天，我們就來深入
2025-12-29 14:45:1077
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