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英飛凌推出全新射頻功率LDMOS晶體管

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晶體管和FET的工作原理,觀察放大電路的波形,放大電路的設計,放大電路的性能,共發射極應用,觀察射極跟隨器的波形,增強輸出電路的設計,射極跟隨器的性能和應用電路,小型功率放大器的設計和制作
2025-04-14 16:07:46

晶體管柵極多晶硅摻雜的原理和必要性

本文介紹了多晶硅作為晶體管的柵極摻雜的原理和必要性。
2025-04-02 09:22:242364

MJE13005D高壓快速開關NPN功率晶體管英文手冊

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2025-03-21 16:52:420

華太電子全新推出兩款LDMOS放大器

華太電子全新推出的 HTM9GO9S015P 和 H9G3438M15P 兩款 LDMOS 放大器,分別覆蓋 1.8 - 950 MHz 和 3.4 - 3.8 GHz 的頻段,均提供 15W 的輸出功率。
2025-03-19 17:11:431054

MAX2602 3.6V、1W RF功率晶體管,適合900MHz應用技術手冊

MAX2601/MAX2602是針對便攜式蜂窩和無線設備應用優化的射頻功率晶體管,采用三節鎳鎘/鎳氫電池或一節鋰離子電池供電。當針對恒定包絡應用(例如FM或FSK)進行偏置時,這些晶體管可使
2025-03-19 11:38:14862

MAX2601 3.6V、1W RF功率晶體管,適合900MHz應用技術手冊

MAX2601/MAX2602是針對便攜式蜂窩和無線設備應用優化的射頻功率晶體管,采用三節NiCd/NiMH電池或一節鋰離子電池供電。當針對恒定包絡應用(例如FM或FSK)進行偏置時,這些晶體管可使
2025-03-19 11:33:39854

TC1201低噪聲和中功率GaAs場效應晶體管規格書

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2025-03-17 17:15:420

晶體管柵極結構形成

柵極(Gate)是晶體管的核心控制結構,位于源極(Source)和漏極(Drain)之間。其功能類似于“開關”,通過施加電壓控制源漏極之間的電流通斷。例如,在MOS中,柵極電壓的變化會在半導體表面形成導電溝道,從而調節電流的導通與截止。
2025-03-12 17:33:202746

晶體管電路設計(下) [日 鈴木雅臣]

本書主要介紹了晶體管,FET和Ic,FET放大電路的工作原理,源極接地放大電路的設計,源極跟隨電路的設計,FET低頻功率放大器的設計和制作,柵極接地放大電路的設計,電流反饋行型op放大器的設計與制作
2025-03-07 13:55:19

晶體管電路設計(上)[日 鈴木雅臣]

本書主要介紹了晶體管和FET的工作原理,放大電路的工作,增強輸出的電路,小型功率放大器的設計與制作,功率放大器的設計與制作,拓寬頻率特性,視頻選擇器的設計和制作,渥爾曼電路的設計,負反饋放大電路的設計,直流穩定電源的設計與制作,差動放大電路的設計,op放大器電路的設計與制作等
2025-03-07 13:46:06

英飛凌推出采用新型硅封裝的 CoolGaN? G3晶體管, 推動全行業標準化進程

缺乏兼容多種封裝的貨源。為了解決這個問題,全球功率系統、汽車和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出采用RQFN 5x6 封裝
2025-03-03 15:50:564323

氮化鎵晶體管的并聯設計技術手冊免費下載

氮化鎵晶體管的并聯設計總結 先上鏈接,感興趣的朋友可以直接下載: *附件:氮化鎵晶體管的并聯設計.pdf 一、引言 ? 應用場景 ?:并聯開關廣泛應用于大功率場合,如牽引逆變器、可回收能源系統等
2025-02-27 18:26:311103

晶體管電路設計與制作

這本書介紹了晶體管的基本特性,單電路的設計與制作, 雙管電路的設計與制作,3~5電路的設計與制作,6以上電路的設計與制作。書中具體內容有:直流工作解析,交流工作解析,接地形式,單反相放大器,雙管反相放大器,厄利效應,雙管射極跟隨器等內容。
2025-02-26 19:55:46

HFA3135超高頻匹配對晶體管應用筆記

HFA3134和HFA3135是采用Intersi1公司的互補雙極UHF-1X工藝制造的超高頻晶體管對,NFN晶體管的fT為8.5CHz,而FPNP晶體管的為7CHz。這兩種類型都表現出低噪聲,使其
2025-02-26 09:29:07866

HFA3134超高頻晶體管應用筆記

HFA3134 和 HFA3135 是超高頻晶體管,采用 Intersil Corporation 的互補雙極 UHF-1X 工藝制造。NPN 晶體管的 fT 為 8。5GHz,而 PNP 晶體管
2025-02-25 17:26:35897

HFA3127超高頻晶體管陣列應用筆記

和 HFA3127 都是 NPN 陣列,而 HFA3128 則全是 PNP 晶體管。HFA3096 是 NPN-PNP 組合。為各個晶體管的每個端子提供訪問,以實現最大的應用靈活性。這些晶體管陣列的單片結構提供了五個晶體管的緊密電氣和熱匹配。應用說明 AN9315 說明了這些器件用作射頻放大器。
2025-02-25 17:19:09953

HFA3096超高頻晶體管陣列應用筆記

和 HFA3127 都是 NPN 陣列,而 HFA3128 則全是 PNP 晶體管。HFA3096 是 NPN-PNP 組合。為各個晶體管的每個端子提供訪問,以實現最大的應用靈活性。這些晶體管陣列的單片結構提供了五個晶體管的緊密電氣和熱匹配。應用說明 AN9315 說明了這些器件用作射頻放大器。
2025-02-25 16:15:33859

HFA3046超高頻晶體管陣列應用筆記

和 HFA3127 都是 NPN 陣列,而 HFA3128 則全是 PNP 晶體管。HFA3096 是 NPN-PNP 組合。為各個晶體管的每個端子提供訪問,以實現最大的應用靈活性。這些晶體管陣列的單片結構提供了五個晶體管的緊密電氣和熱匹配。應用說明 AN9315 說明了這些器件用作射頻放大器。
2025-02-25 16:05:09826

BCP69系列PNP中等功率晶體管規格書

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2025-02-19 15:37:450

BCP69-Q系列 PNP中等功率晶體管規格書

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2025-02-19 15:34:550

突破電力效能邊界:ZN70C1R460D 氮化鎵晶體管重磅登場!

?在科技飛速發展的當下,電子元件的創新成為推動各領域進步的關鍵力量。Ziener 公司最新推出的 ZN70C1R460D 氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET),以其卓越性能在功率半導體領域掀起波瀾
2025-02-18 16:47:25949

BCP69;BC869;BC69PA PNP中等功率晶體管規格書

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2025-02-18 15:36:190

DC輸入4引腳長微型扁平光電晶體管光耦合器規格書

CTMICRO兆龍科技推出直流輸入4針長小型平面光電晶體管光耦
2025-02-17 16:49:070

鰭式場效應晶體管制造工藝流程

FinFET(鰭式場效應晶體管)從平面晶體管到FinFET的演變是一種先進的晶體管架構,旨在提高集成電路的性能和效率。它通過將傳統的平面晶體管轉換為三維結構來減少短溝道效應,從而允許更小、更快且功耗更低的晶體管。本文將從硅底材開始介紹FinFET制造工藝流程,直到鰭片(Fin)的制作完成。
2025-02-17 14:15:022608

BC56xPAS-Q系列NPN中等功率晶體管規格書

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2025-02-14 16:21:230

MJD31CA NPN高功率雙極晶體管規格書

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2025-02-14 16:19:460

BCP52系列晶體管規格書

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2025-02-13 15:36:370

PBSS4480X晶體管規格書

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2025-02-13 14:24:530

PBSS5350PAS晶體管規格書

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2025-02-12 15:09:070

金剛石基晶體管取得重要突破

金剛石場效應晶體管 (Vth? (Extreme Enhancement-Mode Operation Accumulation Channel Hydrogen-Terminated Diamond
2025-02-11 10:19:01820

金剛石基晶體管實現里程碑式突破

由格拉斯哥大學研究人員領導的一項具有里程碑意義的進展可能有助于創造用于大功率電子產品的新一代金剛石基晶體管。 該團隊找到了一種新方法,將金剛石作為晶體管的基礎,該晶體管在默認情況下保持關閉狀態,這對
2025-02-09 17:38:42748

PDTA123ET晶體管規格書

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2025-02-08 18:18:200

PDTC123EMB晶體管規格書

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2025-02-08 16:58:190

互補場效應晶體管的結構和作用

隨著半導體技術不斷逼近物理極限,傳統的平面晶體管(Planar FET)、鰭式場效應晶體管(FinFET)從平面晶體管到FinFET的演變,乃至全環繞柵或圍柵(GAA
2025-01-24 10:03:514437

意法半導體推出全新40V MOSFET晶體管

意法半導體推出了標準閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管,新系列產品兼備強化版溝槽柵技術的優勢和出色的抗噪能力,適用于非邏輯電平控制的應用場景。
2025-01-16 13:28:271022

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