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電子發(fā)燒友網(wǎng)>處理器/DSP>長(zhǎng)江存儲(chǔ)即將試產(chǎn)第一批 192 層 3D NAND 閃存芯片

長(zhǎng)江存儲(chǔ)即將試產(chǎn)第一批 192 層 3D NAND 閃存芯片

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長(zhǎng)江存儲(chǔ)643D NAND閃存量產(chǎn)

9月2日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式對(duì)外宣布,其基于Xtacking?架構(gòu)的64256 Gb TLC 3D NAND閃存(每顆裸芯片存儲(chǔ)容量為256千兆字位,每個(gè)存儲(chǔ)單元為三個(gè)字位的三維閃存)正式量產(chǎn),以滿足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:151919

旺宏將于2020年開(kāi)始出貨3D NAND

臺(tái)灣專(zhuān)用存儲(chǔ)器解決方案制造商旺宏(Macronix)將于明年下半年開(kāi)始批量生產(chǎn)3D NAND存儲(chǔ)器。該公司將成為臺(tái)灣第一家生產(chǎn)內(nèi)部設(shè)計(jì)的3D NAND閃存制造商。 該公司董事長(zhǎng)吳銘表示,旺宏將在
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7月24日國(guó)外消息:SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技術(shù)路線-- 在同個(gè)區(qū)域記錄的堆疊在個(gè)閃存芯片放到另個(gè)提供更多的容量之內(nèi)。
2013-07-25 10:24:231561

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2013-08-29 10:46:512858

三星483D V-NAND閃存技術(shù)揭秘

256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48V-NAND 3D閃存儲(chǔ)器已經(jīng)出現(xiàn)在市場(chǎng)上了,TechInsights的拆解團(tuán)隊(duì)總算等到了大好機(jī)會(huì)先睹為快。
2016-07-13 10:32:437470

SK Hynix月底量產(chǎn)48堆棧3D NAND閃存 三星后第二家

目前NAND閃存需求依然居高不下,廠商也有動(dòng)力擴(kuò)大產(chǎn)能了,SK Hynix公司日前宣布本月底將量產(chǎn)48堆棧的3D NAND閃存,這是三星之后第二家量產(chǎn)48堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:161088

長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND存儲(chǔ)器研發(fā)領(lǐng)域取得標(biāo)志性進(jìn)展

近日,由國(guó)家存儲(chǔ)器基地主要承擔(dān)單位長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)與中國(guó)科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D NAND存儲(chǔ)器研發(fā)項(xiàng)目取得新進(jìn)展。
2017-02-17 07:48:232091

海力士發(fā)布72256G 3D閃存芯片

蘋(píng)果供應(yīng)商海力士(SK Hynix)今天發(fā)布了72,256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48技術(shù)多1.5倍,單個(gè) 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存,這種芯片比 48 3D NAND 芯片的內(nèi)部運(yùn)行速度快兩倍,讀寫(xiě)性能快 20%。
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PK三星閃存 紫光2019年將量產(chǎn)643D NAND閃存

國(guó)產(chǎn)手機(jī)勢(shì)頭越來(lái)越強(qiáng)勁,把三星和蘋(píng)果的市場(chǎng)份額搶占不少,但繁榮背后是對(duì)核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失,就比如閃存芯片,這基本上被韓國(guó)廠商壟斷了。近日,高啟全接受媒體采訪時(shí)表示,長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在2019年開(kāi)始量產(chǎn)64堆棧的3D NAND閃存,這個(gè)消息無(wú)疑讓人振奮,而在今年他們還將出樣32NAND閃存
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Xtacking? 架構(gòu)取得三大技術(shù)突破,643D NAND預(yù)計(jì)明年批量出貨

集微網(wǎng)消息,9月19日,2018年中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)(CFMS2018)在深圳舉行,長(zhǎng)江存儲(chǔ)總經(jīng)理?xiàng)钍繉幉┦恳浴皠?chuàng)新Xtacking?架構(gòu):釋放3D NAND潛能”為主題,介紹長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking?架構(gòu)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND新進(jìn)展。
2018-09-20 10:22:075992

慧榮科技宣布全系列主控芯片全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128Xtacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND技術(shù)迅速
2020-09-11 10:03:293528

長(zhǎng)江存儲(chǔ)量產(chǎn),拉開(kāi)國(guó)產(chǎn)閃存產(chǎn)品大幕!

2018年底長(zhǎng)江存儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)3264Gb 3D NAND Flash量產(chǎn)。它注定將開(kāi)創(chuàng)中國(guó)存儲(chǔ)芯片的歷史。
2019-01-28 17:18:5517621

長(zhǎng)江存儲(chǔ)128QLC3DNAND閃存研發(fā)成功

作為業(yè)內(nèi)首款128QLC規(guī)格的3DNAND閃存長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-04-13 14:30:551874

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出致鈦3D NAND閃存產(chǎn)品及解決方案

,重量輕,強(qiáng)度高,定義閃存科技新鈦度。致鈦將提供高品質(zhì)3D NAND閃存產(chǎn)品及解決方案,讓記憶承載夢(mèng)想。 長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布推出SSD品牌致鈦ZHITAI 據(jù)悉,長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在未來(lái)推出致鈦品牌的SSD產(chǎn)品。根據(jù)官方發(fā)布的海報(bào)來(lái)看,這款產(chǎn)品應(yīng)該是款采用M.2接口的SSD硬盤(pán)。它
2020-08-28 18:24:143933

【芯聞精選】長(zhǎng)江存儲(chǔ)或在2021年中旬試產(chǎn)首批192閃存;國(guó)芯科技或闖關(guān)科創(chuàng)板…

2019年長(zhǎng)江存儲(chǔ)國(guó)產(chǎn)的64閃存開(kāi)始量產(chǎn)之后,2020年他們又帶來(lái)了128閃存,2021年則會(huì)帶來(lái)192閃存
2021-01-13 09:32:014265

3D NAND閃存來(lái)到290,400+不遠(yuǎn)了

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)早在2022年閃存芯片廠商紛紛發(fā)布200+ 3D NAND,并從TLC到QLC得以廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。來(lái)到2024年5月目前三星第9代
2024-05-25 00:55:005554

芯片3D化歷程

128甚至更高,外圍電路可能會(huì)占到芯片Xtacking技術(shù)將外圍電路連接到存儲(chǔ)單元之上,從而實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)3D NAND更高的存儲(chǔ)密度。據(jù)悉,長(zhǎng)江存儲(chǔ)的643D NAND閃存產(chǎn)品將在2020年進(jìn)入
2020-03-19 14:04:57

【半導(dǎo)體存儲(chǔ)】關(guān)于NAND Flash的些小知識(shí)

NAND只需要提高堆棧層數(shù),目前多種工藝架構(gòu)并存。從2013年三星推出了第一款24SLC/MLC 3D V-NAND,到現(xiàn)在層數(shù)已經(jīng)邁進(jìn)200+,并即將進(jìn)入300+階段。目前,三星/西部數(shù)據(jù)
2024-12-17 17:34:06

【官方】第一批企業(yè)盜版舉報(bào)獎(jiǎng)勵(lì)已經(jīng)發(fā)放

親愛(ài)的工程師伙伴們,第一批盜版舉報(bào)的獎(jiǎng)勵(lì)已經(jīng)發(fā)放。特此通知。請(qǐng)勿舉報(bào)網(wǎng)站或是盜版光碟銷(xiāo)售小店,這個(gè)。。歸網(wǎng)警和城管管。。謝謝。。再次感謝大家對(duì)正版化的支持給大家拜個(gè)晚年Altium中國(guó)2017.2.4
2017-02-04 14:02:13

三星、西部數(shù)據(jù)、英特爾、美光、長(zhǎng)江存儲(chǔ)探討3D NAND技術(shù)

2.5V NAND,有效降低功耗,未來(lái)EDSFF將在散熱方面會(huì)有更杰出的表現(xiàn),同時(shí)也希望對(duì)NAND進(jìn)行進(jìn)步優(yōu)化。長(zhǎng)江存儲(chǔ):2019年量產(chǎn)643D NAND長(zhǎng)江存儲(chǔ)作為NAND Flash產(chǎn)業(yè)新晉者
2018-09-20 17:57:05

蘋(píng)果閃存芯供應(yīng)商推出256Gb 3D NAND 或用于未來(lái)iPhone

256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 的存儲(chǔ),這種芯片比 48 3D NAND 芯片的內(nèi)部運(yùn)行速度快兩倍,讀寫(xiě)性能快 20%。
2017-04-12 01:07:111359

西數(shù)力挺QLC:首發(fā)963D NAND閃存!SSD行業(yè)要變天

現(xiàn)在,西數(shù)全球首發(fā)了96堆棧的3D NAND閃存,其使用的是新代BiCS 4技術(shù)(下半年出樣,2018年開(kāi)始量產(chǎn)),除了TLC類(lèi)型外,其還會(huì)支持QLC,這個(gè)意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40937

長(zhǎng)江存儲(chǔ)32NAND閃存預(yù)計(jì)2018年內(nèi)量產(chǎn)

NAND閃存芯片是智能手機(jī)、SSD硬盤(pán)等行業(yè)中的基礎(chǔ),也是僅次于DRAM內(nèi)存的第二大存儲(chǔ)芯片,國(guó)內(nèi)的存儲(chǔ)芯片幾乎100%依賴(lài)進(jìn)口。好在國(guó)產(chǎn)NAND閃存目前已經(jīng)露出了曙光,紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在
2018-05-16 10:06:004167

長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式裝機(jī):3D NAND量產(chǎn)還有多遠(yuǎn)?

4月11日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)以芯存長(zhǎng)江,智儲(chǔ)未來(lái)為主題,慶賀存儲(chǔ)器基地正式移入生產(chǎn)設(shè)備。 2017年9月長(zhǎng)江存儲(chǔ)新建的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目(期)號(hào)生產(chǎn)及動(dòng)力廠房實(shí)現(xiàn)提前封頂,2018年2月份進(jìn)行廠內(nèi)潔凈室裝修和空調(diào)、消防等系統(tǒng)安裝,正是為4月搬入機(jī)臺(tái)設(shè)備而準(zhǔn)備,預(yù)計(jì)很快就可以實(shí)現(xiàn) 3D NAND 量產(chǎn)。
2018-04-15 10:08:0010302

看看長(zhǎng)江存儲(chǔ)新型架構(gòu)為3D NAND帶來(lái)哪些性能?

作為3D NAND閃存產(chǎn)業(yè)的新晉者,紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(長(zhǎng)江存儲(chǔ))今年將首次參加閃存峰會(huì)(Flash Memory Summit),并發(fā)表備受期待的主題演講,闡述其即將發(fā)布的突破性技術(shù)XtackingTM。
2018-07-31 14:17:015077

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推全新3D NAND架構(gòu) 挑戰(zhàn)三星存儲(chǔ)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技公司表示,盡管仍采用3D分層,但速度卻可提升三倍。
2018-08-09 09:33:164029

中國(guó)首批323D NAND閃存芯片即將量產(chǎn)

昨日長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式公開(kāi)了其突破性技術(shù)——XtackingTM。據(jù)悉,該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來(lái)前所未有的I/O高性能,更高的存儲(chǔ)密度,以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-10 09:14:395421

長(zhǎng)江存儲(chǔ)643D NAND芯片專(zhuān)利研發(fā)完成,預(yù)計(jì)明年完成生產(chǎn)線建置

紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)展儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)報(bào)捷,已自主開(kāi)發(fā)完成最先進(jìn)的643D NAND芯片專(zhuān)利,預(yù)計(jì)明年完成生產(chǎn)線建置、2020年量產(chǎn),震撼業(yè)界。
2018-08-13 09:45:002770

長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布突破性技術(shù),將大大提升3D NAND的性能

作為NAND行業(yè)的新晉者,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng):長(zhǎng)江存儲(chǔ))昨日公開(kāi)發(fā)布其突破性技術(shù)——Xtacking?。該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來(lái)前所未有的I/O高性能,更高的存儲(chǔ)密度,以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-13 09:54:002244

長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND閃存堆棧結(jié)構(gòu)Xtacking,獲得了“最佳展示獎(jiǎng)”

日本PC Watch網(wǎng)站日前刊發(fā)了長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧博士在FMS會(huì)議上的演講,我們之前也做過(guò)簡(jiǎn)單的報(bào)道,這次他們的介紹更加詳細(xì),我們可以長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND閃存現(xiàn)在到底進(jìn)行到那步了。
2018-08-15 10:50:166345

半導(dǎo)體行業(yè)3D NAND Flash

宣布研發(fā)出3D NAND 芯片,而且已經(jīng)送樣,三星家獨(dú)大的情況將畫(huà)下句點(diǎn),加上早前Intel加大在大連工廠的3D Xpoint的投入,3D NAND大戰(zhàn)觸即發(fā)。什么是3D NAND閃存?從新聞到評(píng)測(cè)
2018-10-08 15:52:39780

聯(lián)蕓科技對(duì)外發(fā)布支持96鎂光B27A的 3D TLC NAND閃存顆粒

11月15日, 國(guó)產(chǎn)知名SSD主控芯片原廠聯(lián)蕓科技(MAXIO)再下城,正式對(duì)外宣布MAS0902固態(tài)硬盤(pán)主控芯片已全面支持最新963D TLC NAND 閃存顆粒,并對(duì)外提供搭載聯(lián)蕓科技自主
2018-11-19 17:22:318411

長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃量產(chǎn)643D NAND閃存芯片 閃存市場(chǎng)將迎來(lái)波沖擊

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片再下城,日前有產(chǎn)業(yè)鏈方面的消息稱(chēng),中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)將如期在今年年底量產(chǎn)643D NAND閃存芯片,這對(duì)價(jià)格本就在不斷下探的閃存市場(chǎng)無(wú)疑又將帶來(lái)波新的沖擊。
2019-04-01 16:53:122056

與DRAM領(lǐng)域不同 長(zhǎng)江存儲(chǔ)NAND領(lǐng)域取得了進(jìn)展

紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)YMTC是國(guó)內(nèi)三大存儲(chǔ)芯片陣營(yíng)中主修NAND閃存的公司,也是目前進(jìn)度最好的,去年小規(guī)模生產(chǎn)了32堆棧的3D NAND閃存,前不久紫光在深圳第七屆中國(guó)電子信息博覽會(huì)
2019-04-18 16:18:522545

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)預(yù)計(jì)在第三季度量產(chǎn)643D閃存

據(jù)Digitimes報(bào)道,長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)將于年底前投入643D閃存的量產(chǎn)工作。其中風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)預(yù)計(jì)三季度啟動(dòng),目前良率已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了顯著爬升。
2019-05-08 09:18:443189

長(zhǎng)江存儲(chǔ)將推出Xtacking2.0閃存技術(shù) 與DRAMDDR4的I/O速度相當(dāng)

目前NAND閃存主要掌握在三星、東芝、美光、西數(shù)等公司中,國(guó)內(nèi)主要有紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)專(zhuān)攻NAND閃存,小批量量產(chǎn)了32堆棧的3D閃存,但對(duì)市場(chǎng)影響有限,今年該公司將量產(chǎn)64堆棧的3D閃存,產(chǎn)能將會(huì)積極擴(kuò)張。
2019-05-16 10:18:143966

長(zhǎng)江存儲(chǔ)直追國(guó)際技術(shù) NAND陷入全球混戰(zhàn)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)在 2018 年成功研發(fā)323D NAND芯片后,進(jìn)步規(guī)劃在2019年8月開(kāi)始生產(chǎn)新代的64 3D NAND芯片,等于宣告加入全球NAND Flash戰(zhàn)局,對(duì)比今年三星、SK海力士(SK Hynix )進(jìn)入903D NAND芯片生產(chǎn),長(zhǎng)江存儲(chǔ)追趕世界大廠的步伐又大幅邁進(jìn)步。
2019-05-17 14:13:281753

長(zhǎng)江存儲(chǔ)主要精力轉(zhuǎn)移到128閃存芯片上 有望在2020年大規(guī)模投產(chǎn)

近日,獲悉,紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃于今年年底前投入643D閃存的量產(chǎn)工作。其中風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)預(yù)計(jì)三季度啟動(dòng),目前良率已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了顯著爬升。
2019-05-22 14:22:164741

基于Xtacking架構(gòu)的643D NAND閃存已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

現(xiàn)在,長(zhǎng)江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級(jí)副總裁程衛(wèi)華接受采訪時(shí)表示,公司已開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64256 Gb TLC 3D NAND閃存,以滿足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 16:30:003069

國(guó)家第一批“小巨人”企業(yè)出爐 旭宇光電成功入榜

近日,由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部組織評(píng)定的第一批專(zhuān)精特新“小巨人”企業(yè)公示名單顯示,旭宇光電(深圳)股份有限公司入圍第一批專(zhuān)精特新“小巨人”企業(yè)!
2019-06-05 10:34:274649

長(zhǎng)江存儲(chǔ)64堆棧3D閃存亮相,年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

根據(jù)官網(wǎng)資料,長(zhǎng)江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)收購(gòu)武漢新芯科技之后成立的,于2016年7月在中國(guó)武漢成立,是家專(zhuān)注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的IDM存儲(chǔ)器公司。長(zhǎng)江存儲(chǔ)為全球工商業(yè)客戶(hù)提供存儲(chǔ)器產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備、計(jì)算機(jī)、數(shù)據(jù)中心和消費(fèi)電子產(chǎn)品等領(lǐng)域。
2019-08-29 14:28:002725

中國(guó)首款643DNAND閃存即將亮相 將推動(dòng)高速大容量存儲(chǔ)解決方案市場(chǎng)的快速發(fā)展

2019年9月2日,紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)在IC China 2019前夕宣布,公司已開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking?架構(gòu)的64256 Gb TLC 3D
2019-09-02 16:27:504051

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出了全球首款基于Xtacking架構(gòu)的643D NAND閃存

長(zhǎng)江存儲(chǔ)643D NAND閃存是全球首款基于Xtacking?架構(gòu)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品,擁有同代產(chǎn)品②中最高的存儲(chǔ)密度。Xtacking?可實(shí)現(xiàn)在兩片獨(dú)立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲(chǔ)
2019-09-03 10:07:021788

長(zhǎng)江存儲(chǔ)成功研發(fā)國(guó)產(chǎn)高性能第三代閃存

紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)邁出了國(guó)產(chǎn)閃存的重要步,已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)64堆棧的3D閃存,基于長(zhǎng)江存儲(chǔ)研發(fā)的Xstacking技術(shù),核心容量256Gb。
2019-09-06 16:26:452263

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出第二代Xtacking 3D NAND存儲(chǔ)架構(gòu)

Xtacking是長(zhǎng)江存儲(chǔ)在去年FMS(閃存技術(shù)峰會(huì))首次公開(kāi)的3D NAND架構(gòu),榮獲當(dāng)年“Best of Show”獎(jiǎng)項(xiàng)。其獨(dú)特之處在于,采用Xtacking,可在片晶圓上獨(dú)立加工負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)I/O及記憶單元操作的外圍電路。
2019-09-06 16:30:373601

基于Xtacking架構(gòu)的643D NAND存儲(chǔ)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技(YMTC)本周早些時(shí)候表示,已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)采用專(zhuān)有Xtacking架構(gòu)的643D NAND存儲(chǔ)器。
2019-09-09 10:22:162374

紫光旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)的643D NAND閃存芯片首次公開(kāi)亮相

據(jù)悉,長(zhǎng)江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)收購(gòu)武漢新芯科技之后成立的,于2016年7月在中國(guó)武漢成立,是家專(zhuān)注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的IDM存儲(chǔ)器公司。
2019-10-01 17:23:005147

我國(guó)首次實(shí)現(xiàn)643DNAND閃存芯片的量產(chǎn) 將大幅縮短與國(guó)際先進(jìn)水平的差距

近日,紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布,開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64256Gb TLC 3D NAND閃存。產(chǎn)品將應(yīng)用于固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用。這是中國(guó)首次實(shí)現(xiàn)643D NAND閃存芯片的量產(chǎn),將大幅拉近中國(guó)與全球存儲(chǔ)廠商間的技術(shù)差距。
2019-09-17 11:45:194095

中國(guó)首次量產(chǎn)643D NAND閃存芯片會(huì)有什么市場(chǎng)影響

紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布,開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64256Gb TLC 3D NAND閃存
2019-09-19 11:10:091144

中國(guó)量產(chǎn)643D NAND閃存芯片會(huì)帶來(lái)什么影響

紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布,開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64256Gb TLC 3D NAND閃存
2019-09-23 17:05:241455

長(zhǎng)江存儲(chǔ)的新技術(shù)宣布著國(guó)產(chǎn)第三代閃存的到來(lái)

紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)邁出了國(guó)產(chǎn)閃存的重要步,已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)64堆棧的3D閃存,基于長(zhǎng)江存儲(chǔ)研發(fā)的Xstacking技術(shù),核心容量256Gb。
2019-10-02 14:38:001949

美光已流片第一批第四代3DNAND存儲(chǔ)芯片 有望在2020年生產(chǎn)商用第四代3DNAND內(nèi)存

美光科技已經(jīng)流片第一批第四代3D NAND存儲(chǔ)芯片,它們基于美光全新的RG架構(gòu)。該公司有望在2020年生產(chǎn)商用第四代3D NAND內(nèi)存,但美光警告稱(chēng),使用新架構(gòu)的存儲(chǔ)芯片將僅用于特定應(yīng)用,因此明年其3D NAND成本削減將微乎其微。
2019-10-08 16:25:154507

長(zhǎng)江存儲(chǔ)投產(chǎn)64堆棧3D閃存 將在年底提高產(chǎn)能到6萬(wàn)片

今年季度,紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)開(kāi)始投產(chǎn) 64 堆棧 3D 閃存,容量 256Gb,TLC 芯片,初期的月產(chǎn)能僅有 5000 片。
2019-10-25 16:53:331140

明年長(zhǎng)江存儲(chǔ)將實(shí)現(xiàn)加大3D閃存芯片產(chǎn)能

 國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片終于“抬起了頭”。   在被美日韓掌控的存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)上,終于有中國(guó)公司可以殺進(jìn)去跟國(guó)際大廠正面競(jìng)爭(zhēng)了。據(jù)報(bào)道,今年季度,紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)開(kāi)始投產(chǎn) 64 堆棧 3D 閃存,容量 256Gb,TLC 芯片,初期的月產(chǎn)能僅有 5000 片。
2019-10-29 09:46:243767

我國(guó)閃存核心技術(shù)獲得成功,3D NAND進(jìn)步實(shí)屬不易

有關(guān)國(guó)產(chǎn)閃存技術(shù)的發(fā)展與突破,相信很多人都在翹首期待,希望我們能夠擁有自己的先進(jìn)閃存產(chǎn)品,而當(dāng)長(zhǎng)江存儲(chǔ)成功發(fā)展出來(lái)3D NAND存儲(chǔ)Xtacking架構(gòu)技術(shù)的時(shí)候,我們知道,真正的國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)即將出現(xiàn)了!
2019-10-31 11:37:071248

長(zhǎng)江存儲(chǔ)存儲(chǔ)巨頭們發(fā)起挑戰(zhàn),3D NAND實(shí)現(xiàn)突破性的創(chuàng)新

長(zhǎng)江存儲(chǔ)打破全球3D NAND技術(shù)壟斷,作為國(guó)家重點(diǎn)打造的存儲(chǔ)器大項(xiàng)目,經(jīng)歷多年的研發(fā),終于走向市場(chǎng)正式向存儲(chǔ)巨頭們挑戰(zhàn)。
2019-11-29 15:39:053808

長(zhǎng)江存儲(chǔ)64閃存存儲(chǔ)密度全球第一

今天,長(zhǎng)江存儲(chǔ)召開(kāi)市場(chǎng)合作伙伴新春溝通會(huì),紫光、群聯(lián)、威剛、慧榮等知名大廠前來(lái)站臺(tái),其中威剛還宣布將會(huì)率先推出搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)閃存的消費(fèi)級(jí)SSD產(chǎn)品。現(xiàn)在根據(jù)科創(chuàng)板電報(bào)的消息,長(zhǎng)江存儲(chǔ)64閃存存儲(chǔ)密度是全球第一,絕不是低端產(chǎn)品。
2020-01-17 10:26:083652

搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND閃存的SSD產(chǎn)品性能達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平

根據(jù)國(guó)科微官方的消息,國(guó)科微搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND閃存的固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品已完成批量測(cè)試。
2020-01-17 15:17:495929

長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示1283D NAND技術(shù)會(huì)按計(jì)劃推出

據(jù)證券時(shí)報(bào)消息,長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧在接受采訪時(shí)談及了該公司最先進(jìn)的1283D NAND技術(shù)的研發(fā)進(jìn)度。楊士寧表示,1283D NAND技術(shù)研發(fā)進(jìn)度短期確實(shí)會(huì)有所波及。但目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)已實(shí)現(xiàn)全員復(fù)工,從中長(zhǎng)期來(lái)看,這次疫情并不會(huì)影響總體進(jìn)度。128技術(shù)會(huì)按計(jì)劃在2020年推出。
2020-04-08 15:09:152895

長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布成功研制128QLC 3D閃存 將是業(yè)內(nèi)首款128QLC規(guī)格3D NAND

今日(4月13日),長(zhǎng)江存儲(chǔ)重磅宣布,其128QLC 3D閃存(X2-6070)研制成功,并已在多家主控商場(chǎng)SSD等終端產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-04-13 09:23:091347

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出 128 QLC 閃存,單顆容量達(dá) 1.33Tb

128QLC規(guī)格的3D NAND閃存長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。此次同時(shí)發(fā)布的還有128512Gb TLC
2020-04-13 09:29:416830

長(zhǎng)江存儲(chǔ)首款128QLC規(guī)格的3DNAND閃存,滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求

3DNAND閃存長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量①。此次同時(shí)發(fā)布的還有128512GbTLC(3bit/cell)規(guī)格閃存芯片(型號(hào):X2-9060),以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
2020-04-13 14:25:114118

業(yè)內(nèi)首款128QLC規(guī)格的3D NAND閃存有哪些特點(diǎn)?

2020年4月13日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)宣布其128QLC 3D NAND 閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-04-13 14:41:523480

長(zhǎng)江存儲(chǔ)首推128QLC閃存,單顆容量可達(dá)1.33Tb

4月13日,紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(長(zhǎng)江存儲(chǔ))宣布其128QLC 3D NAND閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功。
2020-04-13 17:14:491750

長(zhǎng)江存儲(chǔ)128NAND flash存儲(chǔ)芯片 中國(guó)存儲(chǔ)芯片國(guó)際領(lǐng)先

據(jù)媒體報(bào)道指國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)已開(kāi)發(fā)出128NAND flash存儲(chǔ)芯片,這是當(dāng)前國(guó)際存儲(chǔ)芯片企業(yè)正在投產(chǎn)的NAND flash技術(shù),意味著中國(guó)的存儲(chǔ)芯片技術(shù)已達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。
2020-04-14 08:55:4514823

長(zhǎng)江儲(chǔ)存宣布其128QLC 3D NAND閃存芯片產(chǎn)品已研發(fā)成功

長(zhǎng)江儲(chǔ)存在官網(wǎng)宣布其128QLC 3D NAND閃存芯片產(chǎn)品研發(fā)成功,型號(hào)為X2-6070,并且目前該芯片已經(jīng)在多家控制器廠商的SSD等終端儲(chǔ)存產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-04-19 10:14:063603

長(zhǎng)江存儲(chǔ)的技術(shù)創(chuàng)新,1283D NAND閃存芯片問(wèn)世

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)在官網(wǎng)宣布其128QLC 3D NAND閃存芯片 X2-6070研發(fā)成功,已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-05-04 10:39:003612

群聯(lián)全系列控制芯片支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND

閃存控制芯片及儲(chǔ)存解決方案整合服務(wù)領(lǐng)導(dǎo)廠商 群聯(lián)電子 (PHISON; TPEx:8299) 與長(zhǎng)江存儲(chǔ)自2016年開(kāi)始接洽合作,從最早期的32 3D NAND導(dǎo)入驗(yàn)證群聯(lián)eMMC控制芯片PS8226,至近期的643D NAND,群聯(lián)全系列的NAND控制芯片均有支持且已進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2020-05-07 14:48:091627

長(zhǎng)江存儲(chǔ)128NAND閃存研發(fā)成功,跳過(guò)了96

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布,128QLC?3D?NAND閃存研發(fā)成功,這標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商向世界最先進(jìn)技術(shù)水準(zhǔn)又邁進(jìn)了步。
2020-05-07 14:59:225527

長(zhǎng)江存儲(chǔ)128QLC閃存,1.6Gbps單顆容量1.33Tb

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)宣布其128QLC 3D NAND 閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-05-12 09:54:014518

長(zhǎng)江存儲(chǔ)首發(fā)128QLC閃存

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布其128QLC 3D NAND閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功。同時(shí)發(fā)布的還有128512Gb TLC(3 bit/cell)規(guī)格閃存芯片(型號(hào):X2-9060),用以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
2020-07-06 16:49:421992

官宣!致鈦科技將發(fā)布SSD新品,配備長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D閃存

9月9日下午,致鈦科技正式宣布,9月10日14時(shí)將舉行線上發(fā)布會(huì),屆時(shí)會(huì)正式推出致鈦品牌的SSD新品,使用的是長(zhǎng)江存儲(chǔ)自己生產(chǎn)的3D閃存
2020-09-10 10:02:331227

慧榮科技宣布全系列主控芯片全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128Xtacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:162690

慧榮科技宣布全系列主控 芯片全面支持長(zhǎng) 江 存 儲(chǔ)Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128Xtacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:342586

長(zhǎng)江存儲(chǔ)將提高NAND閃存芯片的出貨量

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,專(zhuān)注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長(zhǎng)江存儲(chǔ),將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:493038

美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 3D NAND 閃存

IT之家11月12日消息 今日,美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 3D NAND 閃存,刷新行業(yè)紀(jì)錄,實(shí)現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。 IT之家了解到,這款 176 NAND 產(chǎn)品采用
2020-11-12 13:04:572623

美光發(fā)布1763D NAND閃存

存儲(chǔ)器廠商美光宣布,其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176堆疊。預(yù)計(jì)通過(guò)美光全新推出的1763D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu),可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:553696

未來(lái)的3D NAND將如何發(fā)展?

NAND 應(yīng)運(yùn)而生,可以支持在更小的空間內(nèi)容納更高的存儲(chǔ)容量,在需要存儲(chǔ)海量數(shù)據(jù)的時(shí)代有著重大價(jià)值。 依托于先進(jìn)工藝的 3D NAND,氧化越來(lái)越薄,面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題,未來(lái)的 3D NAND 將如何發(fā)展?如何正確判斷3D NAND 的總體效率? 在 2020 年的閃存
2020-11-20 16:07:133095

未來(lái)的3D NAND將如何發(fā)展?如何正確判斷3D NAND的總體效率?

依托于先進(jìn)工藝的 3D NAND,氧化越來(lái)越薄,面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題,未來(lái)的 3D NAND 將如何發(fā)展?如何正確判斷3D NAND 的總體效率? 在 2020 年的閃存峰會(huì)
2020-11-20 17:15:444306

長(zhǎng)江存儲(chǔ)的首款消費(fèi)級(jí)固態(tài)品牌,基于3D NAND顆粒打造

大咖來(lái)答疑欄目給出了相關(guān)技術(shù)答復(fù),讓大家更加的了解致鈦品牌固態(tài)。 背景介紹: 長(zhǎng)江存儲(chǔ)于2014年,開(kāi)始3D NAND flash的研發(fā),技術(shù)團(tuán)隊(duì)從最初開(kāi)始研發(fā)相關(guān)技術(shù)到現(xiàn)在已經(jīng)有六年的時(shí)間,并在,2016年注冊(cè)公司,短短的時(shí)間內(nèi)就做到了從閃存顆粒,到X
2020-11-24 09:56:484526

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科普SSD、3D NAND的發(fā)展史

作為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)行業(yè)的佼佼者,長(zhǎng)江存儲(chǔ)近兩年憑借在3D NAND閃存領(lǐng)域的突飛猛進(jìn),引發(fā)普遍關(guān)注,尤其是獨(dú)創(chuàng)了全新的Xtacking閃存架構(gòu),最近還打造了首個(gè)消費(fèi)級(jí)SSD品牌“致鈦”。
2020-11-24 10:12:315270

不要過(guò)于關(guān)注3D NAND閃存層數(shù)

NAND應(yīng)運(yùn)而生,可以支持在更小的空間內(nèi)容納更高的存儲(chǔ)容量,在需要存儲(chǔ)海量數(shù)據(jù)的時(shí)代有著重大價(jià)值。 ? ? ? ?依托于先進(jìn)工藝的3D NAND,氧化越來(lái)越薄,面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題,未來(lái)的3D NAND將如何發(fā)展?如何正確判斷3D NAND的總體效率? 在2020年的閃存
2020-12-09 10:35:493617

3D NAND技術(shù)堆疊將走向何方?

3D NAND長(zhǎng)江存儲(chǔ)于今年4月份宣布推出128堆棧的3D NAND閃存。轉(zhuǎn)眼來(lái)到2020年末,美光和SK海力士相繼發(fā)布了1763D NAND。這也是唯二進(jìn)入176存儲(chǔ)廠商。不得不說(shuō),存儲(chǔ)之戰(zhàn)沒(méi)有最烈,只有更烈。
2020-12-09 14:55:374583

長(zhǎng)江存儲(chǔ)最快在2021年中旬試產(chǎn)首批192閃存,國(guó)產(chǎn)閃存產(chǎn)能年底可占全球7%

2019年長(zhǎng)江存儲(chǔ)國(guó)產(chǎn)的64閃存開(kāi)始量產(chǎn)之后,2020年他們又帶來(lái)了128閃存,2021年則會(huì)帶來(lái)192閃存。 日經(jīng)新聞亞洲版報(bào)道稱(chēng),中國(guó)閃存廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在加速擴(kuò)張閃存產(chǎn)能,計(jì)劃在2021
2021-01-12 14:37:427344

長(zhǎng)江存儲(chǔ)或?qū)?021年存儲(chǔ)芯片產(chǎn)量提高

據(jù)媒體報(bào)道,長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃今年把產(chǎn)量提高倍,計(jì)劃到下半年將每月的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)量提高到10萬(wàn)片晶圓,并準(zhǔn)備試產(chǎn)192NAND快閃記憶體晶片,最快將于2021年中試產(chǎn),不過(guò)該試產(chǎn)計(jì)劃可能會(huì)推遲至2021下半年。
2021-01-12 14:47:015916

回顧長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND技術(shù)的發(fā)展進(jìn)程

日前,有媒體報(bào)道稱(chēng),消息人士透露,長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃到2021年下半年將存儲(chǔ)芯片的月產(chǎn)量提高倍至10萬(wàn)片晶圓,并準(zhǔn)備最早將于2021年年中試產(chǎn)第一批1923D NAND閃存芯片,不過(guò)為確保量產(chǎn)芯片質(zhì)量,該計(jì)劃有可能會(huì)被推遲至今年下半年。
2021-01-13 13:59:275875

長(zhǎng)江存儲(chǔ)閃存產(chǎn)能翻倍?謠言!

昨天日經(jīng)新聞亞洲版報(bào)道稱(chēng),長(zhǎng)江存儲(chǔ)2021年的產(chǎn)能將翻倍,達(dá)到10萬(wàn)片晶圓/月,年中還有192閃存試產(chǎn),不過(guò)長(zhǎng)江存儲(chǔ)今天否認(rèn)相關(guān)內(nèi)容。
2021-01-14 10:21:382726

盤(pán)點(diǎn)2020年存儲(chǔ)行業(yè)十大事件

2020年4月13日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布其128QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功,這也是業(yè)內(nèi)首款128QLC規(guī)格的3D NAND閃存。同年8月14日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)128QLC 3D NAND閃存芯片在紫光集團(tuán)展臺(tái)上正式亮相展出。
2021-02-05 15:17:362729

怎么下載鴻蒙系統(tǒng) 華為第一批鴻蒙名單

華為公司已經(jīng)在6月2日發(fā)布會(huì)上正式公布了第一批鴻蒙系統(tǒng)名單,那么,第一批鴻蒙系統(tǒng)升級(jí)名單包括哪些呢?下面就由小編來(lái)跟大家簡(jiǎn)單介紹下!
2021-07-08 09:22:292430

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出UC023閃存芯片 專(zhuān)為5G時(shí)代打造

  昨日消息,國(guó)內(nèi)專(zhuān)注于3D NAND閃存存儲(chǔ)器解決方案的半導(dǎo)體集成電路企業(yè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布推出UFS 3.1通用閃存-UC023。
2022-04-20 11:47:522797

長(zhǎng)江正式打破三星壟斷,1923D NAND閃存實(shí)現(xiàn)年底量產(chǎn)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)直是我國(guó)優(yōu)秀的存儲(chǔ)芯片企業(yè),從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài),用短短3年的時(shí)間,接連推出了32NAND閃存,以及64堆棧3D NAND閃存,成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。
2022-06-17 10:56:218286

對(duì)比韓企存儲(chǔ)技術(shù),長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)展如何

據(jù)外媒報(bào)道,長(zhǎng)江存儲(chǔ)去年7月生產(chǎn)了2323D NAND閃存樣機(jī),同年11月開(kāi)始投入量產(chǎn)。
2023-02-28 10:51:252395

什么是3D NAND閃存

我們之前見(jiàn)過(guò)的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積下子就多起來(lái)了,理論上可以無(wú)線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227

三星:2030年3D NAND將進(jìn)入1000以上

 三星已經(jīng)確定了新3D NAND閃存的開(kāi)發(fā)計(jì)劃,預(yù)計(jì)在2024年推出第九代3D NAND,其層數(shù)可達(dá)到280
2023-07-04 17:03:293142

拐彎突破美國(guó)禁令!長(zhǎng)江存儲(chǔ)神秘閃存曝光

長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)將3D NAND閃存做到了232堆疊,存儲(chǔ)密度15.47Gb每平方毫米,而且傳輸速度高達(dá)2400MT/s,妥妥的世界第一,結(jié)果被美國(guó)直禁令給攔住了,死死限制在128,但我們肯定不會(huì)坐以待斃。
2023-07-20 09:44:313337

起訴美光!長(zhǎng)江存儲(chǔ)反擊

訴訟旨在解決以下問(wèn)題的個(gè)方面:美光試圖通過(guò)迫使長(zhǎng)江存儲(chǔ)退出3D NAND Flash(閃存)市場(chǎng)來(lái)阻止競(jìng)爭(zhēng)和創(chuàng)新。
2023-11-13 15:47:511090

長(zhǎng)江存儲(chǔ)起訴美光!

長(zhǎng)江存儲(chǔ)在以上起訴書(shū)中稱(chēng),長(zhǎng)江存儲(chǔ)不再是新秀(upstart),而已成為全球3D NAND市場(chǎng)的重要參與者。長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示,去年11月,分析和跟蹤閃存市場(chǎng)的TechInsights公司得出結(jié)論:長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND閃存領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,超過(guò)了美光。
2023-11-13 16:53:041658

8項(xiàng)專(zhuān)利被侵權(quán)!美光與長(zhǎng)江存儲(chǔ)陷入專(zhuān)利之爭(zhēng)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)與美光芯片戰(zhàn)升級(jí)。3D NAND閃存制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ),已于9日在美國(guó)加州北區(qū)地方法院對(duì)美國(guó)記憶芯片龍頭美光科技提告,指控美光侵犯了長(zhǎng)江存儲(chǔ)8項(xiàng)與3D NAND相關(guān)的美國(guó)專(zhuān)利。
2023-11-13 17:24:511517

首次亮相!長(zhǎng)江存儲(chǔ)128 3D NAND 現(xiàn)身CITE 2020

在CITE 2020上,紫光集團(tuán)帶來(lái)了大量產(chǎn)品,其中包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)的128QLC三維閃存和新華三半導(dǎo)體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128QLC規(guī)格的3D NAND閃存長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144822

預(yù)期提前,鎧俠再次加速,3D NAND準(zhǔn)備沖擊1000

2030年實(shí)現(xiàn)1000堆疊的3D NAND存儲(chǔ)器。 ? 3D NAND似乎已經(jīng)成為各大存儲(chǔ)企業(yè)競(jìng)相追逐的“工業(yè)明珠”,包括三星、海力士、美光、鎧俠、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等都在這領(lǐng)域投入大量資源,而比拼的就是堆疊層數(shù)。 ? 3D NAND 為何如此重要? ? 隨著數(shù)字化信息的爆炸性增長(zhǎng),對(duì)對(duì)存儲(chǔ)容量的需求也在
2024-06-29 00:03:008062

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