繼此前美光宣布HBM產(chǎn)能全部售罄之后，SK海力士今年的HBM產(chǎn)能也已經(jīng)全部售罄。

　　隨著生成式人工智能（AI）市場(chǎng)的爆發(fā)，也帶動(dòng)了AI芯片需求的暴漲。AI芯片龍頭英偉達(dá)業(yè)績(jī)更是持續(xù)飆升，最新公布的第四財(cái)季財(cái)報(bào)顯示，營(yíng)收同比暴漲265%至221億美元，凈利潤(rùn)同比暴漲769%至122.85億美元，持續(xù)突破歷史記錄，推動(dòng)英偉達(dá)市值突破2萬(wàn)億美元。

　　隨著AI芯片需求持續(xù)大漲，作為目前AI芯片當(dāng)中的極為關(guān)鍵的器件，HBM（高帶寬內(nèi)存）也是持續(xù)供不應(yīng)求，存儲(chǔ)大廠積極瞄準(zhǔn)HBM擴(kuò)產(chǎn)。

　　其中，三星電子從2023年四季度開(kāi)始擴(kuò)大HBM3的供應(yīng)。此前2023年四季度三星內(nèi)部消息顯示，已經(jīng)向客戶提供了下一代HBM3E的8層堆疊樣品，并計(jì)劃在今年上半年開(kāi)始量產(chǎn)。到下半年，其占比預(yù)計(jì)將達(dá)到90%左右。負(fù)責(zé)三星美國(guó)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的執(zhí)行副總裁Han Jin-man則在今年CES 2024上表示，三星今年的HBM芯片產(chǎn)量將比去年提高2.5倍，明年還將繼續(xù)提高2倍。

　　三星官方還透露，公司計(jì)劃在今年第四季度之前，將 HBM 的最高產(chǎn)量提高到每月15萬(wàn)至17萬(wàn)件，以此來(lái)爭(zhēng)奪2024年的HBM市場(chǎng)。此前三星電子斥資105億韓元收購(gòu)了三星顯示位于韓國(guó)天安市的工廠和設(shè)備，以擴(kuò)大HBM產(chǎn)能，同時(shí)還計(jì)劃投資7000億至1萬(wàn)億韓元新建封裝線。

　　去年12月，美光CEO Sanjay Mehrotra對(duì)外透露，得益于生成式AI的火爆，推動(dòng)了云端高性能AI芯片對(duì)于高帶寬內(nèi)存的旺盛需求，美光2024年的HBM產(chǎn)能預(yù)計(jì)已全部售罄。

　　美光指出，專為AI、超級(jí)計(jì)算機(jī)設(shè)計(jì)的HBM3E預(yù)計(jì)2024年初量產(chǎn)，有望于2024會(huì)計(jì)年度創(chuàng)造數(shù)億美元的營(yíng)收。Mehrotra對(duì)分析師表示，“2024年1~12月，美光HBM預(yù)估全數(shù)售罄”。

　　美光也相信，終端能執(zhí)行AI任務(wù)的PC、移動(dòng)設(shè)備，對(duì)內(nèi)存芯片來(lái)說(shuō)蘊(yùn)藏極大潛質(zhì)。

　　Mehrotra預(yù)測(cè)，PC出貨量在連兩年出現(xiàn)雙位數(shù)跌幅后，有望2024年成長(zhǎng)1%~5%。他相信，PC制造商2024下半年擴(kuò)產(chǎn)AI PC，這些PC每臺(tái)需要額外4~8Gb DRAM，固態(tài)硬盤(pán)（SSD）需求也會(huì)上揚(yáng)。

　　Mehrotra還表示，長(zhǎng)期而言，許多熱門(mén)生成式AI程序的主戰(zhàn)場(chǎng)會(huì)是智能手機(jī)，美光的產(chǎn)品組合有望抓住這次內(nèi)存及儲(chǔ)存市場(chǎng)潛藏的機(jī)會(huì)。美光計(jì)劃增加2024會(huì)計(jì)年度的資本支出，但高層承諾會(huì)“極度節(jié)制”（extremely disciplined）。

　　繼此前美光宣布今年HBM產(chǎn)能全部售罄之后，最新的消息顯示，SK海力士今年的HBM產(chǎn)能也已經(jīng)全部售罄。

　　雖然整個(gè)2023年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)遭遇了“寒流”，特別是存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)更是下滑嚴(yán)重。但是，受益于生成式AI帶來(lái)的需求，面向AI應(yīng)用的DRAM依然保持了快速的增長(zhǎng)。

　　SK海力士在2023年度財(cái)報(bào)當(dāng)中就曾表示，2023年在DRAM方面，公司以引領(lǐng)市場(chǎng)的技術(shù)實(shí)力積極應(yīng)對(duì)了客戶需求，公司主力產(chǎn)品DDR5 DRAM和HBM3的營(yíng)收較2022年分別成長(zhǎng)4倍和5倍以上。

　　近日，SK海力士副總裁Kim Ki-tae（金基泰）在一篇博文中表示，今年公司的HBM已經(jīng)售罄，已開(kāi)始為2025年做準(zhǔn)備。雖然外部不穩(wěn)定因素依然存在，但今年內(nèi)存半導(dǎo)體行業(yè)已開(kāi)始呈現(xiàn)上升趨勢(shì)。全球大型科技客戶對(duì)產(chǎn)品的需求正在復(fù)蘇，并且隨著人工智能使用領(lǐng)域的擴(kuò)大，包括配備自己的人工智能的設(shè)備，如個(gè)人電腦和智能手機(jī)，對(duì)DDR5、LPDDR5T以及HBM3E等產(chǎn)品的需求預(yù)計(jì)會(huì)增加。

　　據(jù)悉，英偉達(dá)和AMD的下一代人工智能GPU預(yù)計(jì)將主要搭載HBM3內(nèi)存。例如，H100是第一款支持PCIe 5.0標(biāo)準(zhǔn)的GPU，也是第一款采用HBM3的GPU，最多支持六顆HBM3，帶寬為3TB/s，是A100采用HBM2E的1.5倍，默認(rèn)顯存容量為80GB。

　　2023年11月英偉達(dá)發(fā)布了新一代AI GPU芯片H200，以及搭載這款GPU的AI服務(wù)器平臺(tái)HGX H200等產(chǎn)品。這款GPU是H100的升級(jí)款，依舊采用Hopper架構(gòu)、臺(tái)積電4nm制程工藝，根據(jù)英偉達(dá)官網(wǎng)，H200的GPU芯片沒(méi)有升級(jí)，核心數(shù)、頻率沒(méi)有變化，主要的升級(jí)便是首次搭載HBM3e顯存，并且容量從80GB提升至141GB。

　　得益于新升級(jí)的HBM3e芯片，H200的顯存帶寬可達(dá)4.8TB/s，比H100的3.35TB/s提升了43%。不過(guò)這遠(yuǎn)沒(méi)有達(dá)到HBM3e的上限，海外分析人士稱英偉達(dá)有意降低HBM3e的速度，以追求穩(wěn)定。如果與傳統(tǒng)x86服務(wù)器相比，H200的內(nèi)存性能最高可達(dá)110倍。

　　AMD 的 MI300 也搭配 HBM3，其中，MI300A 容量與前一代相同為 128GB，更高端 MI300X 則達(dá) 192GB，提升了 50%。AMD稱，MI300X提供的HBM密度最高是英偉達(dá)AI芯片H100的2.4倍，其HBM帶寬最高是H100的1.6倍。這意味著，AMD的芯片可以運(yùn)行比英偉達(dá)芯片更大的模型。

　　在HBM盛行的當(dāng)下，沒(méi)有一家存儲(chǔ)廠商能夠忍住不分一杯羹。

　　審核編輯：黃飛