SK海力士正著重投資先進芯片封裝領域，旨在應對AI開發所需的高帶寬存儲器（HBM）日益增長的需求。

據封裝研發負責人李康旭副社長（Lee Kang-Wook）介紹，SK海力士已在韓國投入逾10億美元擴充及改良芯片封裝技術。精心優化封裝工藝是HBM獲青睞的重要原因，實現了低功耗、提升性能等優勢，提升了SK海力士在HBM市場的領軍地位。

盡管今年的資本支出預算尚無公開信息，但分析師普遍預測約為14萬億韓元（105億美元），先進封裝研發預計占據10%以上，屬首要任務之一。

金融科技專家李副社長認為，半導體業未來50年的重心將由前端（芯片設計和制造）轉向后端工藝（封裝）。他率領團隊推動第三代HBM技術HBM2E新穎封裝方式的開創與發展，歷經艱險，成功研發出名為大規模回流模塑底部填充（MR-MUF）的高端封裝技術，助力提升散熱效率及產量。李副社長透露，SK海力士正全力推進MR-MUF和TSV（硅通孔）技術。

目前，全球其他兩家主要HBM制造商也在緊隨其后。美光于2月底宣稱已著手大規模生產24GB 8-Hi HBM3E，并將于2024年第二季度用于英偉達H200 GPU；三星則宣布36GB 12-Hi HBM3E產品開發已然完工，計劃在2024年上半年啟動量產，而SK海力士則準備在2024年第一季度至第二季度初推出HBM3E。