structure)”,同時采用了HBM和HBF兩種技術。 ? 在SK海力士設計的仿真實驗中,H3架構將HBM和HBF顯存并置于GPU旁,
發(fā)表于 02-12 17:01
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電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道,據(jù)韓媒報道,存儲行業(yè)巨頭SK海力士正全力攻克一項全新的性能瓶頸技術高帶寬存儲HBS。 ? SK海力士研發(fā)的這項HBS技術采用了創(chuàng)新的芯片堆疊方案。根據(jù)規(guī)劃,該技術
發(fā)表于 11-14 09:11
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電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道,近日,韓國首爾舉行的“SK AI Summit 2025”峰會上,SK海力士CEO郭魯正(Kwak Noh-Jung)正式宣布了公司向 “全線AI存儲創(chuàng)造者”(Full
發(fā)表于 11-08 10:49
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電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道,SK海力士宣布,已正式向客戶供應其全球率先實現(xiàn)量產(chǎn)的移動端NAND閃存解決方案產(chǎn)品ZUFS 4.1。 ? SK海力士通過與客戶的密切合作,于今年6月成功完成了該產(chǎn)
發(fā)表于 09-19 09:00
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文 / 吳子鵬)近日,SK 海力士宣布全球率先完成第六代高帶寬存儲器(HBM4)的開發(fā),并同步進入量產(chǎn)階段,成為首家向英偉達等核心客戶交付 HBM4 的存儲廠商。 ?
發(fā)表于 09-17 09:29
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在人工智能(AI)技術迅猛發(fā)展的當下,數(shù)據(jù)處理與存儲能力成為制約其進一步飛躍的關鍵因素。2025 年 9 月 12 日,韓國半導體巨頭 SK 海力士宣布,已成功完成面向 AI 的超高性能存儲器新產(chǎn)品
發(fā)表于 09-16 17:31
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SK海力士致力于成為“全方位面向AI的存儲器供應商(Full Stack AI Memory Provider)”,不僅在DRAM領域持續(xù)創(chuàng)新,在NAND閃存(NAND Flash,以下簡稱NAND
發(fā)表于 07-10 11:37
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SK海力士的成功神話背后,離不開眾多核心技術的支撐,其中最令人矚目的便是“微細工藝”。通過對肉眼難以辨識的微細電路進行更為精細化的處理,SK海力士憑借壓倒性的技術實力,引領著全球半導體
發(fā)表于 07-03 12:29
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SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領域領導地位方面,HBM1無疑發(fā)揮了決定性作用。無論是率先開發(fā)出全球首款最高性能的HBM,還是確立并保持其在面向AI的存儲器市場的領先地位,這些成就的
發(fā)表于 06-18 15:31
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SK海力士宣布,5月19日于首爾COEX麻谷會展中心舉行的“第60屆發(fā)明日紀念儀式”上,來自HBM開發(fā)部門的宋清基TL榮庸銅塔產(chǎn)業(yè)勛章。
發(fā)表于 06-03 09:36
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近年來,SK海力士屢獲創(chuàng)新成果,這些成就皆得益于“一個團隊”協(xié)作精神(One Team Spirit)”。無論是創(chuàng)下歷史最佳業(yè)績、開發(fā)出全球領先產(chǎn)品,還是躍升成為全球頂級面向AI的存儲器供應商,這些
發(fā)表于 05-23 13:54
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近日,SK海力士宣布,在首爾江南區(qū)韓國科學技術會館舉行的“2025年科學?信息通訊日紀念儀式”上,公司數(shù)字化轉型組織的都承勇副社長榮獲了科學技術信息通信部頒發(fā)的銅塔產(chǎn)業(yè)勛章。
發(fā)表于 05-09 10:29
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得益于AI需求的有力推動;高帶寬內(nèi)存(HBM)需求持續(xù)暴漲,這帶動了英偉達供應商SK海力士盈利大增158%。 據(jù)SK海力士公布的財務業(yè)績數(shù)據(jù)
發(fā)表于 04-24 10:44
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隨著人工智能技術的迅猛發(fā)展,作為其核心支撐技術的高帶寬存儲器(以下簡稱HBM)實現(xiàn)了顯著的增長,為SK海力士在去年實創(chuàng)下歷史最佳業(yè)績做出了不可或缺的重要貢獻。業(yè)內(nèi)普遍認為,SK
發(fā)表于 04-18 09:25
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電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道,據(jù)韓媒報道,SK海力士副總裁李圭(音譯)近日在學術會議上表示,SK海力士正在推行混合鍵合在 HBM 上的應用。目前正處
發(fā)表于 04-17 00:05
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