9月2日，長江存儲正式對外宣布，其基于Xtacking?架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位，每個存儲單元為三個字位的三維閃存）正式量產，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
2019-09-02 14:31:15
1919 SK海力士本周宣布，他們已經開始基于其128層3D NAND閃存采樣產品，該產品不久將開始出現在最終用戶設備中。一年前，他們推出了96層第5代3D NAND，但低價促使他們削減了產量，而第4代72L
2019-11-25 17:21:556386 Kioxia（原東芝存儲），西部數據（WD）聯盟3D NAND閃存使用三星電子技術進行批量生產。 東芝開發的3D NAND技術 BiCS 很早之前，原東芝存儲就在國際會議VLSI研討會上首次分享了
2019-12-13 10:46:0712470 臺灣專用存儲器解決方案制造商旺宏(Macronix)將于明年下半年開始批量生產3D NAND存儲器。該公司將成為臺灣第一家生產內部設計的3D NAND閃存制造商。 該公司董事長吳銘表示，旺宏將在
2019-12-14 09:51:295966 資料來源：Kioxia Kioxia（原為東芝存儲）有望創建3D NAND閃存的后繼產品，與QLC NAND閃存相比，該產品可提供更高的存儲密度。這項于周四宣布的新技術允許存儲芯片具有更小的單元
2019-12-23 10:32:215035 Western Digital和Kioxia宣布成功開發了最新一代的3D NAND閃存。他們的第五代BiCS 3D NAND已以512 Gbit TLC部件的形式開始生產，但要到今年下半年才能增加到
2020-02-13 01:00:007244 7月24日國外消息：SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技術路線-- 在同一個區域記錄層的堆疊在一個閃存芯片放到另一個提供更多的容量之內。
2013-07-25 10:24:231561 一周之前，三星公司才剛剛宣布推出了世界上首款擁有3D垂直NAND Flash技術的內存產品。僅僅一個禮拜的時間，同樣是三星公司緊接著又宣布即將推出世界首款使用3D垂直NAND Flash技術的SSD固態硬盤。
2013-08-15 09:11:161488 最新的3D垂直閃存與傳統的NAND存儲芯片相比，具有包括讀寫速度快1倍、使用壽命多10倍及能耗減少50%等眾多優勢。
2013-08-29 10:46:512858 
三星已經連續推出兩代立體堆疊3D閃存，分別有24層、32層，并已用于850 EVO、850 Pro等多款固態硬盤產品，2015年8月正式量產首款可應用于固態硬盤（SSD）中的48層3bit MLC
2016-07-13 10:32:437470 目前3D NAND僅由三星電子獨家量產。而進入了最近兩個月，先有東芝（Toshiba）殺入敵營，如今美光（Micron）也宣布研發出3D NAND 芯片，而且已經送樣，三星一家獨大的情況將畫下
2016-08-11 13:58:0644661 
目前NAND閃存需求依然居高不下，廠商也有動力擴大產能了，SK Hynix公司日前宣布本月底將量產48層堆棧的3D NAND閃存，這是三星之后第二家量產48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:161088 各大原廠已經在2016年研發了基于48層或32層的3D NADN閃存顆粒，由于技術不成熟以及2D NAND生產線替換問題，如今3D NAND的良品率并不高，總產量也不夠高，因而才引發了當下固態硬盤市場價格的瘋漲。
2016-11-09 17:37:383369 據外媒報道，東芝今天宣布正式出貨BiCS FLASH 3D閃存，采用64層堆疊，單晶粒容量512Gb（64GB，TLC），相對于上一代48層256Gb，容量密度提升了65%，這樣封裝閃存芯片的最高容量將達到960GB。
2017-02-23 08:33:401752 蘋果供應商海力士（SK Hynix）今天發布了72層，256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術多1.5倍，單個 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內部運行速度快兩倍，讀寫性能快 20%。
2017-04-11 07:49:042003 國產手機勢頭越來越強勁，把三星和蘋果的市場份額搶占不少，但繁榮背后是對核心產業鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時表示，長江存儲將在2019年開始量產64層堆棧的3D NAND閃存，這個消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042528 電子發燒友早八點訊：三星今天在韓國宣布，開始大規模量產64層堆疊、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND閃存芯片，是為第四代3D閃存。
2017-06-16 06:00:002458 六大NAND Flash顆粒制造商之一的東芝也宣布了自家96層3D NAND產品的新消息：他們正式推出了旗下首款使用96層3D NAND閃存的固態硬盤產品XG6。在性能方面，XG6也算是追上了目前
2018-07-24 10:57:355877 Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術迅速
2020-09-11 10:03:293528 美光在二季度財報電話會議上透露，該公司即將開始基于全新 RG 架構的第四代 3D NAND 存儲器的量產工作。按照計劃，美光將于 2020 Q3 采集開始生產，并于 Q4 像商業客戶發貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術轉型，第四代 3D NAND 存儲器的層數達到了 128 層。
2020-04-03 09:24:154889 11月12日消息今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款176層3D NAND閃存，刷新行業紀錄，實現閃存產品密度和性能上的提升。這款176層NAND產品采用美光第五代3D NAND技術和第二代替換柵極架構。
2020-11-13 09:40:163599 Kioxia（鎧俠）和西部數據宣布，雙方合作開發了第六代162層3D閃存技術。這是兩家企業建立20年合作關系的又一里程碑，也是兩家公司迄今密度最高、最先進的3D NAND技術。 Kioxia首席技術
2021-02-20 15:30:152832 在幾大閃存原廠的主力從96層升級到128/144層之后，美光、SK海力士之前推出了176層的3D閃存，現在鎧俠、西數也加入這一陣營，推出了162層3D閃存。各大廠商的3D閃存技術并不一樣，所以堆棧
2021-02-20 10:02:323312 電子發燒友網報道（文/黃晶晶）早在2022年閃存芯片廠商紛紛發布200+層 3D NAND，并從TLC到QLC得以廣泛應用于消費電子、工業、數據中心等領域。來到2024年5月目前三星第9代
2024-05-25 00:55:005554 
什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒？
2021-06-18 06:06:00
128層甚至更高，外圍電路可能會占到芯片Xtacking技術將外圍電路連接到存儲單元之上，從而實現比傳統3D NAND更高的存儲密度。據悉，長江存儲的64層3D NAND閃存產品將在2020年進入
2020-03-19 14:04:57
NAND閃存的自適應閃存映射層設計
閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數據存儲設計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的
2010-05-20 09:26:231244 
據報道，蘋果供應商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三級單元陣列的 72 層，256Gb 的 3D NAND 閃存芯片。通過堆疊，這比以前的 48 層技術多出 1.5 倍的單元，單個
2017-04-12 01:07:111359 現在，西數全球首發了96層堆棧的3D NAND閃存，其使用的是新一代BiCS 4技術（下半年出樣，2018年開始量產），除了TLC類型外，其還會支持QLC，這個意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40937 6月29日消息 據外媒NEOWIN報道，英特爾今天宣布推出SSD 545s固態硬盤，它是主流的SATA驅動器，使用Silicon Motion控制器和IMFT的64層3D TLC閃存。 這是世界上首款可供商用的64層3D NAND SSD產品，且目前僅提供512 GB容量版本。
2017-06-29 17:56:051179 的廠商競爭，以及日經貼般的MLC/TLC顆粒的優劣問題。、 那么，到底什么是閃存顆？2D NAND和3D NAND之間又有哪些區別和聯系？ 閃存顆粒到底是什么？ 閃存顆粒，又稱閃存，是一種非易失性存儲器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經寫入的數據
2017-10-13 20:33:26
6 上周，隨著英特爾和美光宣布未來雙方將各自獨立開發3D NAND，其維持多年的長期合作關系也將結束。與此同時，有外媒報道，英特爾將于紫光合作，在中國生產3D NAND閃存芯片。在未來幾年，英特爾將會
2018-01-16 14:37:555172 
3D NVM主要廠商產品路線圖近階段，3D非易失性存儲（NVM）領域動作頻頻，例如Western Digital（西部數據）收購了SanDisk，中國政府在存儲領域的大舉投資，以及Intel宣布Micron/Intel的合作將分道揚鑣，以進一步發展3D NAND。
2018-04-27 14:45:165236 
層數的增加也就意味著對工藝、材料的要求會提高，要想達到140層堆疊就必須使用新的基礎材料。而且在堆疊層數增加的時候，存儲堆棧的高度也在增大，然而每層的厚度卻在縮小，以前的32/36層3D NAND
2018-05-28 16:25:4851340 而且在堆疊層數增加的時候，存儲堆棧的高度也在增大，然而每層的厚度卻在縮小，以前的32/36層3D NAND的堆棧厚度為2.5μm，層厚度大約70nm，48層的閃存堆棧厚度為3.5μm，層厚度減少到
2018-06-03 09:50:556262 三星第五代V-NAND 3D堆疊閃存業界首次采用Toggle DDR 4.0接口，傳輸速率提升至1.4Gbps，與前代64層堆棧的V-NAND閃存相比提升了40%。數據寫入延遲僅為500微秒，比上代提升30％，而讀取信號響應時間也大幅縮短到50微秒。
2018-07-17 11:52:173338 面對2018年各大閃存顆粒廠商已經大規模量產64層堆棧3D NAND的情況，三星正式宣布開始量產第五代V-NAND閃存顆粒，堆棧數將超過90層。
2018-07-24 14:36:328259 由于NAND閃存價格上漲，SSD普及的道路走的異常艱難，同容量下SSD和HDD的價格始終相差懸殊，但美光今天新推出MX500系列SSD采用了64層3D TLC NAND閃存，把SSD的價格和性能控制在一個很好的平衡點，具有極高的性價比和極強的市場競爭力，或許可以打破這一困境。
2018-07-24 16:01:365391 ，第一代3D NAND閃存的成本也符合預期，堆棧層數達到64層的第二代3D NAND閃存也在路上了，今年底就要大規模量產了。
2018-08-03 16:15:031683 昨日長江存儲正式公開了其突破性技術——XtackingTM。據悉，該技術將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產品上市周期。
2018-08-10 09:14:395421 上周，美光系與英特爾推出了64層3D QLC NAND，由于采用的QLC（4bits/cell）架構相較于TLC（3bits/cell）容量更大，使得單顆Die容量可高達1Tb，備受市場高度關注
2018-08-22 16:25:462599 3D NAND通過設備中堆疊的層數來量化。隨著更多層的添加，位密度增加。今天，3D NAND供應商正在推出64層設備，盡管他們現在正在推進下一代技術，它擁有96層。分析師表示，到2019年中期，供應商正在競相開發和發布下一代128層產品。
2018-08-23 16:59:4812625 SK海力士在清州建設M15工廠的建成儀式將于9月17日在清州舉行。SK海力士計劃通過從明年初開始增產96層3D NAND閃存的策略，來鞏固其市場主導地位。
2018-09-07 16:59:043820 今年第三季度，NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態，主要是顆粒廠面向3D工藝的轉型步伐較慢，低于預期。
2018-09-16 10:38:14759 關MirrorBit的技術資料。這兩家公司的閃存技術多是NOR領域的，3D NAND顯然是比不過三星、SK Hynix及東芝等公司的，有一種說法是MirrorBit的堆棧層數只有8層，如果真是這樣，相比主流的32-48層堆棧就差很遠了，成本上不會有什么優勢。
2018-10-08 15:52:39780 11月15日， 國產知名SSD主控芯片原廠聯蕓科技（MAXIO）再下一城，正式對外宣布MAS0902固態硬盤主控芯片已全面支持最新96層3D TLC NAND 閃存顆粒，并對外提供搭載聯蕓科技自主
2018-11-19 17:22:318411 推出64層/72層3D NAND，預計從下半年開始將陸續進入量產階段，屆時3D NAND產能將大幅增加。
2018-12-10 10:00:571562 國產存儲芯片再下一城，日前有產業鏈方面的消息稱，中國長江存儲將如期在今年年底量產64層3D NAND閃存芯片，這對價格本就在不斷下探的閃存市場無疑又將帶來一波新的沖擊。
2019-04-01 16:53:122056 現在，長江存儲聯席首席技術官、技術研發中心高級副總裁程衛華接受采訪時表示，公司已開始量產基于Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
2019-09-02 16:30:003069 長江存儲64層3D NAND閃存是全球首款基于Xtacking?架構設計并實現量產的閃存產品，擁有同代產品②中最高的存儲密度。Xtacking?可實現在兩片獨立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲單元
2019-09-03 10:07:021788 據悉，長江存儲是紫光集團收購武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設計、生產和銷售的IDM存儲器公司。
2019-10-01 17:23:005147 紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產基于Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:091144 紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產基于Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241455 隨著數據量的迅速增大，主流存儲技術也在迅速向前推進中。3D NAND閃存從2014年的24層，到2016年的48層，到2017年的64層，再到2018年的96層，以及明年的1XX層，技術更新速度越來越快。
2019-09-26 17:26:111141 英特爾透露,2019年第四季度將會推出96層的3D NAND閃存產品,并且還率先在業內展示了用于數據中心級固態盤的144層QLC(四級單元)NAND,預計將于2020年推出。
2019-10-11 10:36:321449 美光宣布，已經完成第四代3D NAND閃存的首次流片，應用了全新的替換柵極(RG)架構，并計劃在明年投入量產。
2019-10-14 16:04:321180 根據消息報道，西部數據公司和Kioxia(鎧俠)公司宣布，他們最新一代的3D NAND閃存已經開發成功，第五代BiCS 3D NAND已經開始以512 Gb顆粒形式生產，今年下半年可能會實現商業化量產。
2020-02-04 16:25:345210 今日（4月13日），長江存儲重磅宣布，其128層QLC 3D閃存（X2-6070）研制成功，并已在多家主控商場SSD等終端產品上通過驗證。
2020-04-13 09:23:091347 2020年4月13日，長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）宣布其128層QLC 3D NAND 閃存（型號：X2-6070）研發成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。
2020-04-13 14:41:523480 追求存儲密度以降低存儲成本不斷推動著NAND閃存技術的發展。NAND閃存技術已經從最初的SLC時代，跨越MLC、TLC向QLC時代快速演進，并且從最初的2D平面技術全面切換到3D堆疊技術。而3D NAND閃存技術也從最初的32層堆疊，發展到了目前最新一代的高達128層堆疊。
2020-04-14 15:28:032795 
長江儲存在官網宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片產品研發成功，型號為X2-6070，并且目前該芯片已經在多家控制器廠商的SSD等終端儲存產品上通過驗證。
2020-04-19 10:14:063603 據了解，136層第六代V-NAND閃存是三星今年的量產主力。韓媒報道稱三星可能會大幅改進制造工藝，從現在的單堆棧（single-stack）升級到雙堆棧（double-stack），以便制造更高層數的3D閃存。
2020-04-20 09:06:01776 長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）在官網宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片 X2－6070研發成功，已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。
2020-05-04 10:39:003612 閃存控制芯片及儲存解決方案整合服務領導廠商 群聯電子 （PHISON; TPEx:8299） 與長江存儲自2016年開始接洽合作，從最早期的32層 3D NAND導入驗證群聯eMMC控制芯片PS8226，至近期的64層3D NAND，群聯全系列的NAND控制芯片均有支持且已進入量產階段。
2020-05-07 14:48:091627 長江存儲科技有限責任公司宣布，128層QLC?3D?NAND閃存研發成功，這標志著國產存儲廠商向世界最先進技術水準又邁進了一步。
2020-05-07 14:59:225527 Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術迅速提升
2020-09-11 11:12:162690 Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術迅速提升
2020-09-11 11:12:342586 據美媒Anandtech報道，美光日前宣布了其第五代3D NAND閃存，新一代產品擁有破紀錄的176層構造。報道指出，新型176L閃存是自美光與英特爾的存儲器合作解散以來推出的第二代產品，此后美光從浮柵（ floating-gate）存儲單元設計轉變為電荷陷阱（charge-trap）單元。
2020-11-10 14:56:593477 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術，達到了創紀錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后，自己獨立研發的第二代3D NAND閃存。
2020-11-10 16:22:392315 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術，達到了創紀錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后，自己獨立研發的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212924 IT之家11月12日消息 今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存，刷新行業紀錄，實現閃存產品密度和性能上的提升。 IT之家了解到，這款 176 層 NAND 產品采用
2020-11-12 13:04:572623 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術達到創紀錄的176層堆疊。預計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術以及架構，可以大幅度提升數據中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:553696 NAND 應運而生，可以支持在更小的空間內容納更高的存儲容量，在需要存儲海量數據的時代有著重大價值。 依托于先進工藝的 3D NAND，氧化層越來越薄，面臨可靠性和穩定性的難題，未來的 3D NAND 將如何發展？如何正確判斷一款 3D NAND 的總體效率？ 在 2020 年的閃存峰
2020-11-20 16:07:133095 日前，存儲器廠商美光宣布，其第五代3D?NAND閃存技術達到創紀錄的176層堆疊。預計通過美光全新推出的176層3D?NAND閃存技術以及架構，可以大幅度提升數據中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲的應用效能。
2020-11-20 17:10:122392 依托于先進工藝的 3D NAND，氧化層越來越薄，面臨可靠性和穩定性的難題，未來的 3D NAND 將如何發展？如何正確判斷一款 3D NAND 的總體效率？ 在 2020 年的閃存峰會
2020-11-20 17:15:444306 據報道，SK hynix日前發布了其最新一代的3D NAND。據介紹，新產品具有176層電荷charge trap單元。在美光宣布他們的176L NAND開始以Crucial品牌產品發貨之后，SK hynix是第二家達到這一層數的NAND制造商。
2020-12-08 14:29:122822 NAND應運而生，可以支持在更小的空間內容納更高的存儲容量，在需要存儲海量數據的時代有著重大價值。 ? ? ? ?依托于先進工藝的3D NAND，氧化層越來越薄，面臨可靠性和穩定性的難題，未來的3D NAND將如何發展？如何正確判斷一款3D NAND的總體效率？ 在2020年的閃存
2020-12-09 10:35:493617 層3D NAND；長江存儲于今年4月份宣布推出128層堆棧的3D NAND閃存。轉眼來到2020年末，美光和SK海力士相繼發布了176層3D NAND。這也是唯二進入176層的存儲廠商。不得不說，存儲之戰沒有最烈，只有更烈。
2020-12-09 14:55:374583 在幾大閃存原廠的主力從96層升級到128/144層之后，美光、SK海力士之前推出了176層的3D閃存，現在鎧俠、西數也加入這一陣營，推出了162層3D閃存。 各大廠商的3D閃存技術并不一樣，所以堆棧
2021-02-19 18:03:412917 在幾大閃存原廠的主力從96層升級到128/144層之后，美光、SK海力士之前推出了176層的3D閃存，現在鎧俠、西數也加入這一陣營，推出了162層3D閃存。
2021-02-20 10:40:582714 日本芯片制造商Kioxia開發了大約170層的NAND閃存，加入了與美國同行Micron Technology和韓國的SK Hynix的競賽。
2021-02-20 11:10:003266 新一代3D NAND技術已迎來新的戰局，繼美光和SK海力士在2020年底陸續推出新一代176層3D NAND之后，鎧俠和西部數據也正式宣布推出162層3D NAND技術，三星也稱將在2021年推出第七代V-NAND，再加上英特爾大力推廣144層3D NAND，硝煙已四起。
2021-02-24 11:22:072770 在3D NAND技術賽跑中，三星長期處于領先地位，截至目前，其3D NAND閃存已經陸續演進至128層。
2022-06-14 15:21:153354 
長江存儲一直是我國優秀的存儲芯片企業，從成立之初就保持著高速穩定的發展狀態，用短短3年的時間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進入了華為Mate40手機的供應鏈。
2022-06-17 10:56:218286 美光已經在完成 232 層 NAND 的訂單，而且不甘示弱，SK 海力士宣布將于明年上半年開始量產 238 層 512Gb 三層單元 (TLC) 4D NAND。或許更重要的是，芯片制造商私下表示，他們將利用行業學習為目前正在開發的 3D-IC 堆疊 NAND。
2022-08-29 16:59:20888 我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227 鎧俠株式會社(Kioxia Corporation)和西部數據公司(Western Digital Corp., NASDAQ: WDC)今天公布了雙方合作開發的新3D閃存技術的細節，展示了兩家
2023-04-03 09:52:371028 來源：KIOXIA鎧俠中國 為展示先進閃存技術的持續創新，鎧俠株式會社與西部數據公司今日（3月31日）發布了他們最新的3D閃存技術的細節，該技術目前正在備產中。該3D閃存采用先進的微縮和晶圓鍵合技術
2023-04-04 16:39:431318 全行業正在努力將 3D 引入 DRAM。采用 3D X-DRAM 僅涉及利用當前成熟的 3D NAND 工藝，這與學術論文提出和內存行業研究的許多將 DRAM 遷移到 3D 的替代方案不同。
2023-05-30 11:13:46993 
3D NAND閃存是一種把內存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術。這種技術垂直堆疊了多層數據存儲單元，具備卓越的精度，可支持在更小的空間內，容納更高的存儲容量，從而有效節約成本、降低能耗，以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:563209 
三星已經確定了新一代3D NAND閃存的開發計劃，預計在2024年推出第九代3D NAND，其層數可達到280層
2023-07-04 17:03:293142 基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25% 此前美光推出了其首個UFS 4.0移動存儲解決方案，采用了232層3D TLC NAND閃存；速度提升很大，可以達到最高
2023-07-19 19:02:211823 最近，三星集團援引業界有關負責人的話表示，計劃到2024年批量生產300段以上的第9代3d nand。預計將采用將nand存儲器制作成兩個獨立的程序之后，將其一起組裝的dual stack技術。三星將于2020年從第7代176段3d nand開始首次使用雙線程技術。
2023-08-18 11:09:052015 三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產三層堆棧架構321層NAND閃存 存儲領域的競爭愈加激烈，三星電子計劃在2023年正式生產第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53888 目前，鎧俠和西部數據共同研發NAND閃存技術，他們最杰出的作品便是218層堆疊的BICS8 3D閃存，這項產品能達到的傳輸速度高達3200MT/s。
2024-04-07 15:21:571351 據韓國業界消息，三星最早將于本月開始量產當前業界密度最高的290層第九代V-NAND（3D NAND）閃存芯片。
2024-04-17 15:06:591502 在全球半導體行業的激烈競爭中，日本知名存儲芯片制造商鎧俠（Kioxia）展現了其雄心壯志和堅定決心。在結束了長達20個月的NAND閃存減產計劃后，鎧俠的兩座日本工廠生產線開工率已提升至100%，同時上周還公布了其令人矚目的3D NAND閃存技術路線圖計劃。
2024-06-29 09:29:371369 的BiCS FLASH? 3D閃存和控制器。這些全新UFS設備采用Kioxia第8代BiCS FLASH? 3D閃存(1)打造。該代
2025-07-10 14:35:24697 在CITE 2020上，紫光集團帶來了大量產品，其中包括長江存儲的128層QLC三維閃存和新華三半導體高端路由器芯片EasyCore等。作為業內首款128層QLC規格的3D NAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144822 電子發燒友網報道（文/黃山明）近日，鎧俠再次宣布，將在2027年實現3D NAND的1000層堆疊，而此前鎧俠計劃是在2031年批量生產超1000層的3D NAND存儲器。三星也在此前表示，將在
2024-06-29 00:03:008061
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