來源：KIOXIA鎧俠中國

為展示先進閃存技術的持續創新，鎧俠株式會社與西部數據公司今日（3月31日）發布了他們最新的3D閃存技術的細節，該技術目前正在備產中。該3D閃存采用先進的微縮和晶圓鍵合技術，不僅成本上極具吸引力，同時還提供卓越的容量、性能和可靠性，因而成為滿足眾多市場中指數級數據增長需求的理想選擇。

“新的3D閃存展示了我們與鎧俠強大的合作關系以及我們在3D NAND領域的聯合創新領導地位。”西部數據技術與戰略高級副總裁Alper Ilkbahar說，“通過共同的研發路線圖與持續的研發投資，我們能夠提前推動該基本技術的發展，以生產高性能、高資本效益的產品。”

通過引入各種獨特的工藝與架構，實現持續的橫向微縮，鎧俠與西部數據降低了成本。這種垂直與橫向微縮之間的平衡在更小的芯片中產生更大的容量，在優化成本的同時減少了層數。兩家公司還開發了突破性的CBA(CMOS直接鍵合到陣列)技術，其中CMOS晶圓和存儲單元陣列晶圓在優化狀態下單獨制造，然后鍵合在一起，以提供更高的千兆字節(GB)密度和快速NAND I/O速度。

“我們通過獨特的工程合作關系，成功推出了業界最高位密度1的第八代BiCS FLASH?”，鎧俠的首席技術官Masaki Momodomi說，“我很高興看到，鎧俠為部分客戶提供的樣品已開始發貨。通過CBA技術與微縮創新，在一系列以數據為中心的應用中，我們進一步推動了3D閃存技術的產品組合，包括智能手機，物聯網設備和數據中心。”

218層的3D閃存采用創新的橫向微縮技術，為4平面(Plane)的1Tb三層存儲單元(TLC)和四層存儲單元(QLC)，帶來超過50%的位密度提升。其高速NAND I/O速度超過3.2GB/s，比上一代產品提高了60%，同時在寫入性能和讀延遲方面的改善超過了20%，將加速用戶的整體性能、可用性。

GaN功率應用線上會議

4月13日下午14點，ACT雅時國際商訊&化合物半導體雜志聯合推出“GaN功率應用，厚積薄發”線上研討會，以期推動GaN功率應用產業的加速成長。報名從速：https://w.lwc.cn/s/nuIBBb

蘇州會議

雅時國際(ACT International)將于2023年5月,在蘇州組織舉辦主題為“2023-半導體先進技術創新發展和機遇大會”。會議包括兩個專題：半導體制造與封裝、化合物半導體先進技術及應用。分別以“CHIP China晶芯研討會”和“化合物半導體先進技術及應用大會”兩場論壇的形式同時進行。詳情點擊鏈接查看：https://w.lwc.cn/s/7jmaMn

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審核編輯黃宇