資料來源：Kioxia

Kioxia（原為東芝存儲）有望創(chuàng)建3D NAND閃存的后繼產(chǎn)品，與QLC NAND閃存相比，該產(chǎn)品可提供更高的存儲密度。這項于周四宣布的新技術允許存儲芯片具有更小的單元和每個單元更多的存儲空間，這可以顯著提高每個單元的存儲密度。

Kioxia（原為東芝存儲）創(chuàng)造了3D NAND閃存存儲的潛在繼任者

上周四，Kioxia宣布了世界上第一個“三維半圓形分裂柵閃存單元結(jié)構(gòu)”，稱為Twin BiCS Flash。這與Kioxia的其他產(chǎn)品BiCS5 Flash不同。BiCS5閃存使用圓形電荷陷阱單元，而Twin BiCS閃存使用半圓形浮柵單元。新的結(jié)構(gòu)擴大了對單元進行編程的窗口，盡管與CT技術相比，單元在物理上更小。

Twin BiCS閃存是目前在QLC NAND技術中成功的最佳選擇，盡管該芯片的未來實現(xiàn)方式仍然未知。盡管目前存在三種糾正方法，但這種更新的芯片顯著增加了閃存的存儲量，這對于制造商來說是一個大問題。

制造商已經(jīng)設想了增加NAND閃存密度的一種流行方法，一種增加存儲層的方法，已經(jīng)設想了500和800層NAND芯片。制造商最近通過了96層NAND閃存芯片，并實現(xiàn)了128位NAND閃存芯片。增加NAND閃存密度的另一種方法是減小單元的大小，這允許將更多的單元裝入單個層中。

增加NAND閃存密度的最后一種方法是提高每個單元的總位，這是制造商最常用的。這種方式給了我們SLC，MLC，TLC和最新的QLC NAND，與以前的技術相比，每個單元的bit數(shù)增加了一個。

資料來源：Kioxia

Twin BiCS Flash是這項較新的技術，目前仍處于研發(fā)階段，距離實施還差很多年。盡管計劃在2020年發(fā)布BiCS5 128層NAND閃存芯片，但制造商SK海力士和三星能夠在2019年初通過128層4D NAND和V-NAND v6突破100層里程碑。