浪潮聯(lián)合賽靈思宣布推出全球首款集成HBM2高速緩存的FPGA AI加速卡F37X，可在不到75W典型應(yīng)用功耗提供28.1TOPS的INT8計(jì)算性能和460GB/s的超高數(shù)據(jù)帶寬。
2018-10-16 18:50:24
4133 SK海力士開發(fā)的HBM2E DRAM產(chǎn)品具有業(yè)界最高的帶寬。與之前的HBM2相比，新款HBM2E擁有大約50％的帶寬和100％的額外容量。 該公司透露，SK Hynix的HBM2E支持超過每秒
2019-08-13 09:28:416584 在2019年收入和利潤率大幅下降之后，SK Hynix宣布計(jì)劃削減其資本支出。盡管市場已經(jīng)顯示出復(fù)蘇的跡象，但該公司不確定對DRAM和NAND的需求，因此其投資將變得更加保守和謹(jǐn)慎。因此，SK海力士
2020-02-11 11:37:374372 SK海力士10月6日宣布推出全球首款DDR5 DRAM，頻率、容量、能效和功能技術(shù)都達(dá)到了全新的高度。
2020-10-08 00:54:408383 2020年2月，固態(tài)存儲(chǔ)協(xié)會(huì)(JEDEC)對外發(fā)布了第三版HBM2存儲(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)JESD235C，隨后三星和SK海力士等廠商將其命名為HBM2E。 ? 相較于第一版（JESD235A）HBM2引腳
2021-08-23 10:03:282441 近日，SK 海力士負(fù)責(zé)人在接受采訪時(shí)表示，準(zhǔn)備在2020年發(fā)布DDR5內(nèi)存條，頻率起步5200MHz，另外DDR6內(nèi)存也開始策劃了，將在5~6年內(nèi)研發(fā)。
2019-01-29 09:09:052246 3月29日消息 根據(jù)TechPowerUp的報(bào)道，美光科技在最新的收益報(bào)告中宣布，他們將開始提供HBM2內(nèi)存/顯存，用于高性能顯卡，服務(wù)器處理器產(chǎn)品。
2020-03-30 10:03:025442 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）隨著DDR5的內(nèi)存開始起量，DDR6的研發(fā)已經(jīng)啟動(dòng)，LPDDR5X開始普及，LPDDR6已經(jīng)提上日程，DRAM市場可謂瞬息萬變。我們再來看看顯存市場，似乎仍停留
2022-12-02 01:16:003484 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）新型存儲(chǔ)HBM隨著AI訓(xùn)練需求的攀升顯示出越來越重要的地位。從2013年SK海力士推出第一代HBM來看，HBM歷經(jīng)HBM1、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E共
2023-10-25 18:25:244378 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）日前，SK海力士副社長Kim Ki-tae表示，今年公司的HBM已經(jīng)售罄，已開始為2025年做準(zhǔn)備。“雖然2024年計(jì)劃要讓HBM的產(chǎn)能實(shí)現(xiàn)翻番，不過生產(chǎn)配額依然全部
2024-02-28 00:16:003825 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）日前，韓媒報(bào)道SK海力士副總裁Kang Wook-sung透露，SK海力士HBM2E正用于Waymo自動(dòng)駕駛汽車，并強(qiáng)調(diào)SK海力士是Waymo自動(dòng)駕駛汽車這項(xiàng)先進(jìn)內(nèi)存
2024-08-23 00:10:007956 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，據(jù)業(yè)界消息，三星電子、SK海力士、美光均已完成DDR6規(guī)格的初期原型開發(fā)，正與英特爾、AMD、英偉達(dá)等CPU/GPU廠商共同推進(jìn)平臺(tái)驗(yàn)證。當(dāng)前目標(biāo)性能為8800MT/s，后續(xù)
2025-07-31 08:32:003676 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文 / 吳子鵬）近日，SK 海力士宣布全球率先完成第六代高帶寬存儲(chǔ)器（HBM4）的開發(fā)，并同步進(jìn)入量產(chǎn)階段，成為首家向英偉達(dá)等核心客戶交付 HBM4 的存儲(chǔ)廠商。 ? 據(jù)悉，SK
2025-09-17 09:29:085968 大家好！小金子為各位介紹一款JSC品牌1Gbit NAND FLASH。這款JSHU271G08SCN-25型號(hào)的規(guī)格書與SK海力士和Spansion進(jìn)行了對比，驚訝的發(fā)現(xiàn)竟然完全一樣。唯一
2018-01-10 09:55:21
有沒有加上共模電壓的1.2V？ LMH6518究竟最大能輸出多大的有效指電壓不帶共模電壓的？datasheet看得不是很懂，，，，
3，為什么LMH6518的輔助輸出比主的最大輸出電壓還要高呢？
2024-08-26 06:26:31
的方式不再受限于芯片引腳，突破了IO帶寬的瓶頸。另外DRAM和CPU/GPU物理位置的接近使得速度進(jìn)一步提升。在尺寸上，HBM也使整個(gè)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)大大縮小成為可能。目前，HBM2在很大程度上是GDDR6的競爭對手。不過從長遠(yuǎn)看，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">2D在制造上接近天花板，DRAM仍有很強(qiáng)的3D化趨勢。原作者：L晨光 馭勢資本
2022-10-26 16:37:40
，與DDR4相比，GDDR6的性能都有很大的提高，如圖3所示［2］。圖3 GDDR6和DDR4性能對比4.GDDR6和HBM2的比較HBM全稱High Bandwidth Memory，最初的標(biāo)準(zhǔn)是由
2021-12-21 08:00:00
最近更新了一下PDK文件，發(fā)現(xiàn)用的新的文件仿真以前做的一些模塊，一些指標(biāo)都變了對里面的MOS管進(jìn)行仿真，發(fā)現(xiàn)老工藝庫的單管本證增益比新工藝庫的還要高。這是什么情況有人遇到過這樣的問題嗎
2021-06-25 06:47:35
2015年就發(fā)布了，還是最早使用TSMC 16nm工藝的產(chǎn)品，比移動(dòng)SoC還要早，不過之前的產(chǎn)品并沒有使用HBM芯片，這次推出的是擴(kuò)展系列，為HBM顯存優(yōu)化。 賽靈思的Virtex
2016-12-07 15:54:22
Hynix 44nm制程2Gb低功耗DDR2內(nèi)存芯片產(chǎn)品開發(fā)完成
韓國內(nèi)存廠商Hynix日前宣布他們已經(jīng)完成了2Gb密度低功耗DDR2內(nèi)存芯片產(chǎn)品的開發(fā)，這款產(chǎn)品將主要面向移動(dòng)設(shè)備，可在
2010-01-14 16:58:051547 全球第二大存儲(chǔ)器制造商SK hynix Inc. 25日公布第2季（4-6月）財(cái)報(bào)：拜DRAM價(jià)格持續(xù)上揚(yáng)、產(chǎn)品組合改善之賜，凈利達(dá)9，460億韓元（1.59億美元），遠(yuǎn)優(yōu)于去年同期的凈損533 億
2013-07-26 10:55:02958 FPGA芯片這兩年大熱，廠商對性能的追求也提升了，繼Altera之后賽靈思（Xilinx）公司現(xiàn)在也宣布推出基于HBM 2顯存的Virtex UltraScale+系列FPGA芯片，該芯片2015年
2016-11-10 15:20:076591 AMD Fury系列顯卡上全球首發(fā)了新一代高帶寬顯存HBM，這可是AMD與SK海力士合作N年后的結(jié)晶，而下一代Vega核心顯卡上，AMD就會(huì)用上第二代HBM2。
2017-04-11 15:41:323979 5月9日消息 一款高端顯卡除了要有強(qiáng)大的性能之外，更需要的是提供充足的量讓大家選購。不過現(xiàn)在看起來AMD的形式不太妙，由于HBM2的難產(chǎn)，外媒預(yù)計(jì)Vega顯卡首發(fā)不到16000塊。
2017-05-09 11:40:091359 
顯然未來除了HBM2顯存之外，還有針對中高端顯卡的GDDR6顯存要出來。于是SK海力士就打算在GTC 2017上正式公布自家的最新GDDR6顯存。而現(xiàn)在有媒體發(fā)現(xiàn)了海力士展示的GDDR6顯存。
2017-05-10 14:45:052268 AMD Vega 旗艦顯卡將會(huì)在8月登場，使用的是最新的 HBM2 技術(shù)，不過也可能因?yàn)槿绱耍琕ega 才一直遲遲無法現(xiàn)身，畢竟產(chǎn)能是個(gè)問題，NVIDIA 對于 HBM2 用于游戲卡上目前倒是興趣缺缺，就連下一代 Volta 架構(gòu)也不會(huì)用上 HBM2，而依然是 GDDR5X。
2017-06-14 16:35:063747 AMD則是已經(jīng)在不斷宣揚(yáng)HBM2的優(yōu)勢，并且專門為其設(shè)置HBCC主控，具備更加強(qiáng)大內(nèi)存尋址性能。AMD已經(jīng)完全押寶在HBM2上了，HBM3的應(yīng)用估計(jì)也在路上了。不過AMD的HBM2顯存則是由韓國另一家半導(dǎo)體巨頭SK海力士提供，即將發(fā)布的RX Vega顯卡也是采用了2顆8GB HBM2顯存
2017-07-19 09:52:511840 作為先進(jìn)內(nèi)存技術(shù)的世界領(lǐng)導(dǎo)者（三星官方用語），三星電子在2017年7月18日宣布，它正在增加其8G版的高帶寬Memory-2（HBM2）的產(chǎn)量來滿足日益增長的市場需求，為人工智能、HPC（高性能計(jì)算）、更先進(jìn)的圖形處理、網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)和企業(yè)服務(wù)器等應(yīng)用層面提供支持。
2017-07-23 04:47:281018 前不久我們曾報(bào)道，市面上目前幾乎所有的HBM2顯存顯卡（NVIDIA Tesla P100、AMD MI25、Vega FE等）采用的都是三星的顆粒，而非SK海力士。
2017-08-05 11:24:272175 SDRAM）：DDR4提供比DDR3/ DDR2更低的供電電壓1.2V以及更高的帶寬，DDR4的傳輸速率目前可達(dá)2133～3200 MT/s。
2017-11-17 13:15:4928010 僅僅是搭配顯卡的顯存。 Intel今天就發(fā)布了全球首款集成HBM2顯存的 FPGA (現(xiàn)場可編程陣列)芯片“Strtix 10 MX”，可提供高達(dá)512GB/s的帶寬，相比于獨(dú)立DDR2顯存提升了足足10倍。
2018-01-22 16:50:012042 HBM2是使用在SoC設(shè)計(jì)上的下一代內(nèi)存協(xié)定，可達(dá)到2Gb/s單一針腳帶寬、最高1024支針腳(PIN)，總帶寬256GB/s (Giga Byte per second)。1024針腳的HBM2
2018-01-23 14:40:2031219 可不僅僅是搭配顯卡的顯存。 Intel今天就發(fā)布了全球首款集成HBM2顯存的 FPGA (現(xiàn)場可編程陣列)芯片“Strtix 10 MX”，可提供高達(dá)512GB/s的帶寬，相比于獨(dú)立DDR2顯存提升了足足10倍。
2018-01-26 16:14:001311 據(jù)市場分析，GPU業(yè)者對繪圖DRAM需求料將有增無減，2018年繪圖DRAM銷量會(huì)持續(xù)上揚(yáng)，三星、SK海力士相繼量產(chǎn)HBM2，價(jià)格比一般DRAM貴5倍。
2018-02-07 14:47:531952 三星今天宣布，開始生產(chǎn)針腳帶寬2．4Gbps的HBM2顯存，封裝容量8GB，其中，HBM是High Bandwidth Memory高帶寬存儲(chǔ)芯片的簡寫。
2018-07-02 10:23:002585 見識(shí)過HBM的玩家對該技術(shù)肯定印象深刻，那么未來它又該如何發(fā)展呢？HPE（惠普企業(yè)級(jí)）公司的Nicolas Dube日前分享了他的一些觀點(diǎn)，在他看來DDR內(nèi)存要走到盡頭了（DDR is Over），特別是一些需求高帶寬的場合中。
2018-03-22 08:54:485402 
Altera公司（Nasdaq： ALTR）今天公開業(yè)界第一款異構(gòu)系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP，System-in-Package）器件，集成了來自SK Hynix的堆疊寬帶存儲(chǔ)器（HBM2）以及高性能
2018-08-16 11:15:001622 網(wǎng)友們平時(shí)有沒有這樣一種感覺？身邊的安卓用戶每隔1-2年，甚至更短的時(shí)間就換一臺(tái)安卓手機(jī)，這使得他們看似喜新厭舊。但如果按照平臺(tái)的忠誠度來看，安卓用戶比iPhone用戶的忠誠度還要高。
2018-10-16 10:50:002528 高帶寬存儲(chǔ)器（High Bandwidth Memory，HBM）是超微半導(dǎo)體和SK Hynix發(fā)起的一種基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，適用于高存儲(chǔ)器帶寬需求的應(yīng)用場合，像是圖形處理器、網(wǎng)絡(luò)交換及轉(zhuǎn)發(fā)設(shè)備（如路由器、交換器）等。
2018-11-10 10:27:4935395 11月12日消息，SK Hynix（SK海力士）宣布研發(fā)完成基于1Ynm工藝的8Gb（1GB）容量DDR4 DRAM芯片。
2018-11-13 09:50:358288 美國當(dāng)?shù)貢r(shí)間11月14日，在達(dá)拉斯舉行的全球超算大會(huì)SC18上，浪潮發(fā)布集成HBM2高速緩存的FPGA AI加速卡F37X，可在不到75W典型應(yīng)用功耗提供28．1TOPS的INT8計(jì)算性能和460GB／s的超高數(shù)據(jù)帶寬，實(shí)現(xiàn)高性能、高帶寬、低延遲、低功耗的AI計(jì)算加速。
2018-11-22 17:15:562172 2018年12月13日，越來越多的集成電路（IC）設(shè)計(jì)人員希望找到方法，在實(shí)施低功耗、高耐用嵌入式閃存的同時(shí)保持較低的生產(chǎn)成本。Microchip Technology Inc．（美國微芯科技公司
2018-12-13 15:43:381942 雖然缺少光線追蹤及AI單元，AMD發(fā)布的RX Vega II顯卡還是有很多技術(shù)亮點(diǎn)的，不光是7nm工藝，還有16GB HBM2顯存，帶寬也達(dá)到了1TB/s，這可是目前帶寬最高的游戲卡。從2015年
2019-01-20 10:37:365857 ，還將積極響應(yīng)客戶對具有高增長潛力的HBM2和GDDR6產(chǎn)品的需求，以及擴(kuò)大1Xnm DRAM的生產(chǎn)比例，確保1Ynm DRAM的穩(wěn)定批量生產(chǎn)。
2019-01-29 14:32:258442 
據(jù)外媒消息，第二大DRAM芯片廠商SK海力士已著手第六代DDR內(nèi)存即DDR6的研發(fā)，預(yù)期速率12Gb/s，也就是DDR6-12000。
2019-01-30 15:06:561098 韓國存儲(chǔ)器大廠SK海力士25日公布2019年第2季的獲利狀況，因?yàn)槭艿酱鎯?chǔ)器價(jià)格持續(xù)低迷，以及日韓貿(mào)易摩擦等因素的沖擊，凈獲利較2018年同期大降了88%之多，使得SK海力士不得不繼三星傳出要延后平澤P2存儲(chǔ)器產(chǎn)線的投資之后，也宣布該公司的生產(chǎn)調(diào)整計(jì)劃。
2019-07-26 16:56:103275 
為了打破高性能系統(tǒng)中的帶寬瓶頸，Altera公布了該公司聲稱的業(yè)界首個(gè)異構(gòu)系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）器件將SK Hynix的堆疊高帶寬存儲(chǔ)器（HBM2）與高性能Stratix 10 FPGA和SoC集成在一起。
2019-08-08 17:17:134001 雖然封裝不易，但 HBM 存儲(chǔ)器依舊會(huì)被 AMD 或者是 NVIDIA 導(dǎo)入。SK海力士宣布推出 HBM2E 標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)器，而這也是接續(xù) Samsung 之后的第二家。
2019-09-09 16:02:491322 浪潮聯(lián)合賽靈思宣布推出全球首款集成HBM2高速緩存的FPGA AI加速卡F37X，可在不到75W典型應(yīng)用功耗提供28.1TOPS的INT8計(jì)算性能和460GB/s的超高數(shù)據(jù)帶寬，適合于機(jī)器學(xué)習(xí)推理
2019-10-02 13:31:00952 英特爾宣布推出英特爾Stratix 10 MX FPGA，該產(chǎn)品是行業(yè)首款采用集成式高帶寬內(nèi)存DRAM(HBM2)的現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)。
2019-12-12 14:49:37906 存儲(chǔ)行業(yè)近兩年的變化非常大，在內(nèi)存行業(yè)來看，包括SK Hynix在內(nèi)的多家內(nèi)存大廠，已經(jīng)開始了首批DDR5存儲(chǔ)器新品的研發(fā)試驗(yàn)。
2020-01-15 14:34:573868 日前，三星正式宣布推出名為Flashbolt的第三代HBM2(HBM2E)存儲(chǔ)芯片。
2020-02-05 13:49:114064 相比GDDR顯存，HBM技術(shù)的顯存在帶寬、性能及能效上遙遙領(lǐng)先，前不久JEDEC又推出了HBM2e規(guī)范，三星搶先推出容量可達(dá)96GB的HBM2e顯存。
2020-03-27 09:11:319503 IT之家3月29日消息 根據(jù)TechPowerUp的報(bào)道，美光科技在最新的收益報(bào)告中宣布，他們將開始提供HBM2內(nèi)存/顯存，用于高性能顯卡，服務(wù)器處理器產(chǎn)品。
2020-03-29 20:34:392871 在最新財(cái)報(bào)中，美光科技（Micron Technologies）宣布旗下第二代高帶寬存儲(chǔ)器（HBM2）即將開始出貨。HBM2主要用于高性能顯卡、服務(wù)器處理器以及各種高端處理器中，是相對昂貴但市場緊需的解決方案。
2020-03-30 10:25:091176 SK海力士的HBM2E以每個(gè)pin 3.6Gbps的處理速度，通過1，024個(gè)I/Os（Inputs/Outputs， 輸入/輸出）能夠每秒處理460GB的數(shù)據(jù)。這速度相當(dāng)于能夠在一秒內(nèi)傳輸124部
2020-07-03 08:42:19870 幾個(gè)月前，SK Hynix成為第二家發(fā)布基于HBM2E標(biāo)準(zhǔn)的存儲(chǔ)的公司，就此加入存儲(chǔ)市場競爭行列。現(xiàn)在，公司宣布它們改進(jìn)的高速高密度存儲(chǔ)已投入量產(chǎn)，能提供高達(dá)3.6Gbps/pin的傳輸速率及高達(dá)
2020-09-10 14:39:012830 SK Hynix 韓國芯片制造商SK Hynix日前發(fā)布了全球首款64GB DDR5 RAM模塊，這標(biāo)志著與自2013年以來主導(dǎo)PC內(nèi)存的DDR4 DIMMs相比又邁出了一大步。DDR
2020-10-20 14:01:294609 和 HBM2 內(nèi)存技術(shù)，而這次的 HBM-PIM 則是在 HBM 芯片上集成了 AI 處理器的功能，這也是業(yè)界第一個(gè)高帶寬內(nèi)存（HBM）集成人工智能（AI）處理能力的芯片。 三星關(guān)于 HBM
2021-02-18 09:12:322714 三星宣布新的HBM2內(nèi)存集成了AI處理器，最高可提供1.2 TFLOPS嵌入式計(jì)算能力，使內(nèi)存芯片本身可以執(zhí)行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作。
2021-02-20 16:35:462591 楷登電子（美國 Cadence 公司，NASDAQ：CDNS）今日宣布，SK hynix Inc. 已部署 Cadence? Spectre? FX Simulator 仿真器，用于對其面向 PC 和移動(dòng)應(yīng)用的 DDR4 和 DDR5 DRAM 進(jìn)行基于 FastSPICE 的功能驗(yàn)證。
2022-04-08 14:49:002710 當(dāng)下，DDR5內(nèi)存還遠(yuǎn)未到要主流普及的程度。不過，DRAM內(nèi)存芯片的頭部廠商們已經(jīng)著手DDR6研制了。
2022-07-25 11:25:524410 SoC 設(shè)計(jì)人員和系統(tǒng)工程師在內(nèi)存帶寬、容量和內(nèi)存使用均衡方面面臨著與深度學(xué)習(xí)計(jì)算元素相關(guān)的巨大挑戰(zhàn)。 下一代 AI 應(yīng)用面臨的挑戰(zhàn)包括是選擇高帶寬內(nèi)存第 2 代增強(qiáng)型 (HBM2e) 還是圖形雙倍數(shù)據(jù)速率 6 (GDDR6) DRAM。對于某些 AI 應(yīng)用程序，每種應(yīng)用程序都有其自身的優(yōu)點(diǎn)，但
2022-07-30 11:53:503296 SK海力士在業(yè)界率先開發(fā)出最新高帶寬存儲(chǔ)器（HBM， High Bandwidth Memory）產(chǎn)品HBM31，公司不僅又一次創(chuàng)造歷史，更進(jìn)一步鞏固了SK海力士在DRAM市場上的領(lǐng)先地位。
2022-09-08 09:28:252219 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）隨著DDR5的內(nèi)存開始起量，DDR6的研發(fā)已經(jīng)啟動(dòng)，LPDDR5X開始普及，LPDDR6已經(jīng)提上日程，DRAM市場可謂瞬息萬變。 我們再來看看顯存市場，似乎仍停留
2022-12-02 07:15:031989 據(jù)韓媒報(bào)道，自今年年初以來，三星電子和SK海力士的高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）訂單激增。盡管HBM具有優(yōu)異的性能，但其應(yīng)用比一般DRAM少。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">HBM的平均售價(jià)（ASP）至少是DRAM的三倍。HBM
2023-02-15 15:14:446124 
HBM 使用多根數(shù)據(jù)線實(shí)現(xiàn)高帶寬，完美解決傳統(tǒng)存儲(chǔ)效率低的問題。HBM 的核心原理和普通的 DDR、GDDR 完全一樣，但是 HBM 使用多根數(shù)據(jù)線實(shí)現(xiàn)了高帶寬。HBM/HBM2 使用 1024 根數(shù)據(jù)線傳輸數(shù)據(jù)
2023-04-16 10:42:246749 據(jù)業(yè)界透露，三星電子、sk海力士等存儲(chǔ)半導(dǎo)體企業(yè)正在推進(jìn)hbm生產(chǎn)線的擴(kuò)張。兩家公司計(jì)劃到明年年底為止投資2萬億韓元以上，將目前hbm生產(chǎn)線的生產(chǎn)能力增加兩倍以上。sk海力士計(jì)劃在利川現(xiàn)有的hbm生產(chǎn)基地后，利用清州工廠的閑置空間。
2023-08-01 11:47:021508 meta是SK海力士的主要顧客之一，正在購買為構(gòu)建和擴(kuò)張數(shù)據(jù)中心的企業(yè)用ssd （ssd）和服務(wù)器dram。據(jù)悉，對ai服務(wù)器投入大量資金的meta還要求sk海力士追加提供高性能、高效率的ddr5服務(wù)器dram。
2023-08-30 10:03:331393 sk海力士負(fù)責(zé)市場營銷的管理人員表示：“一臺(tái)ai服務(wù)器至少需要500gb的hbm高帶寬內(nèi)存和2tb的ddr5內(nèi)存。人工智能是拉動(dòng)內(nèi)存需求的強(qiáng)大力量。”sk海力士預(yù)測，到2027年，隨著人工智能的發(fā)達(dá)，hbm市場將綜合年均增長82%。
2023-09-12 11:32:591493 hbm spot目前位于cpu或gpu旁邊的中間層，使用1024位接口連接邏輯芯片。sk hynix制定了將hbm4直接堆積在logic芯片上，完全消除中介層的目標(biāo)。
2023-11-21 09:53:041460 的型號(hào)。 首先，我們來看一下DDR6內(nèi)存。DDR6是目前市場上最新的內(nèi)存技術(shù)，它在DDR5的基礎(chǔ)上進(jìn)行了一些改進(jìn)。DDR6內(nèi)存的關(guān)鍵特點(diǎn)如下： 1. 帶寬更大：DDR6內(nèi)存的帶寬比DDR5內(nèi)存更大。DDR6內(nèi)存的帶寬可以達(dá)到每秒14.4 GB，而DDR5內(nèi)存的帶寬則為每秒12.8 GB。這意味著DDR6內(nèi)存可
2024-01-12 16:43:0513400 據(jù)可靠消息來源透露，英偉達(dá)與SK海力士已開始就2025年第一季度的高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）供應(yīng)量進(jìn)行協(xié)調(diào)。這一合作的背后，是雙方對未來技術(shù)趨勢的共同預(yù)見和市場需求的高度敏感性。
2024-02-01 16:41:431497 AI服務(wù)器出貨量增長催化HBM需求爆發(fā)，且伴隨服務(wù)器平均HBM容量增加，經(jīng)測算，預(yù)期25年市場規(guī)模約150億美元，增速超過50%。
2024-03-01 11:02:536003 
12層HBM3e將每個(gè)堆棧可用的總帶寬提高到驚人的1,280GB/s，這比單個(gè)堆棧上RTX 4090可用的全部帶寬還要高。
2024-03-29 10:47:091352 
自 HBM3E（第五代 HBM 產(chǎn)品）起，SK海力士的 HBM 產(chǎn)品基礎(chǔ)裸片均采用自家工藝生產(chǎn)；然而，從 HMB4（第六代 HBM 產(chǎn)品）開始，該公司將轉(zhuǎn)用臺(tái)積電的先進(jìn)邏輯工藝。
2024-04-19 10:32:071374 SK海力士宣布，計(jì)劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產(chǎn)品，而16層堆疊版本的推出將會(huì)稍后。根據(jù)該公司上月與臺(tái)積電簽署的HBM基礎(chǔ)裸片合作協(xié)議，原本預(yù)計(jì)HBM4內(nèi)存要等到2026年才會(huì)問世。
2024-05-06 15:10:211338 SK海力士近日宣布，其高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片在2025年的產(chǎn)能已經(jīng)基本售罄。這一成績主要?dú)w功于人工智能（AI）技術(shù)的蓬勃發(fā)展，極大地推動(dòng)了市場對HBM芯片的需
2024-05-07 09:48:39927 HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布，由于市場需求，SK海力士將提速研發(fā)進(jìn)程，預(yù)計(jì)最快在 2026 年推出 HBM4E 內(nèi)存在內(nèi)存帶寬上比 HBM4 提升 1.4 倍。
2024-05-14 10:23:09978 據(jù)業(yè)內(nèi)人士預(yù)計(jì)，HBM4E的堆疊層數(shù)將增加到16~20層，而SK海力士原本計(jì)劃在2026年量產(chǎn)16層的HBM4產(chǎn)品。此外，該公司還暗示，有可能從HBM4開始采用“混合鍵合”技術(shù)以實(shí)現(xiàn)更高的堆疊層數(shù)。
2024-05-15 09:45:351030 SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國際存儲(chǔ)研討會(huì)上，由先進(jìn)HBM技術(shù)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人Kim Kwi-wook宣布了一項(xiàng)重要進(jìn)展。SK海力士計(jì)劃從2026年開始，提前一年量產(chǎn)其第七代高帶寬存儲(chǔ)器HBM4E。這一消息表明，SK海力士在HBM技術(shù)領(lǐng)域的研發(fā)速度正在加快。
2024-05-15 11:32:131484 近日，三星和SK海力士宣布，將于下半年停止生產(chǎn)并供應(yīng)DDR3內(nèi)存，轉(zhuǎn)向利潤更高的DDR5內(nèi)存和HBM系列高帶寬內(nèi)存。此舉標(biāo)志著內(nèi)存行業(yè)的一次重要轉(zhuǎn)型。
2024-05-17 10:12:211563 近日，SK海力士與臺(tái)積電宣布達(dá)成合作，計(jì)劃量產(chǎn)下一代HBM（高帶寬內(nèi)存）。在這項(xiàng)合作中，臺(tái)積電將主導(dǎo)基礎(chǔ)芯片的前端工藝（FEOL）和后續(xù)布線工藝（BEOL），確保基礎(chǔ)芯片的質(zhì)量與性能。而SK海力士則負(fù)責(zé)晶圓測試和HBM的堆疊工作，確保產(chǎn)品的最終品質(zhì)與可靠性。
2024-05-20 09:18:461055 據(jù)報(bào)道，SK海力士宣布第五代高帶寬存儲(chǔ)（HBM）—HBM3E的良率已接近80%。
2024-05-27 14:38:171888 值得注意的是，早年對HBM技術(shù)表現(xiàn)出濃厚興趣的三星，與英偉達(dá)共同研發(fā)了HBM及HBM2系列產(chǎn)品，然而銷售初期市場反應(yīng)冷淡，導(dǎo)致持續(xù)虧損。
2024-05-29 15:50:00932 瑞銀集團(tuán)最新報(bào)告指出，SK海力士的HBM4芯片預(yù)計(jì)從2026年起，每年將貢獻(xiàn)6至15億美元的營收。作為高帶寬內(nèi)存（HBM）市場的領(lǐng)軍企業(yè)，SK海力士已在今年2月宣布其HBM產(chǎn)能已全部售罄，顯示其產(chǎn)品的強(qiáng)勁需求。
2024-05-30 10:27:221511 在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，美國巨頭美光（Micron）近日釋放了強(qiáng)烈的市場擴(kuò)張信號(hào)，宣布其目標(biāo)是在2025年自然年將高帶寬內(nèi)存（HBM）市場占有率提升至與DRAM市占率相當(dāng)?shù)乃剑醇s20%至25%。這一
2024-07-03 09:28:591061 近日，存儲(chǔ)芯片市場傳來重大消息，SK海力士正式通知市場，其DDR5內(nèi)存產(chǎn)品將漲價(jià)15%至20%，這一舉動(dòng)無疑給市場投下了一枚震撼彈。此次漲價(jià)的根源在于，SK海力士、美光、三星等存儲(chǔ)芯片巨頭紛紛調(diào)整
2024-08-15 10:19:212762 據(jù)最新消息，SK海力士正攜手Waymo，為其標(biāo)志性的自動(dòng)駕駛汽車項(xiàng)目“谷歌汽車”提供前沿的第三代高帶寬存儲(chǔ)器（HBM2E）技術(shù)。這一合作預(yù)示著隨著自動(dòng)駕駛技術(shù)的日益普及，HBM不僅將在人工智能（AI）服務(wù)器領(lǐng)域大放異彩，更將逐漸滲透至汽車芯片市場，成為未來五年的熱門選擇。
2024-08-15 14:54:392040 韓國大型財(cái)團(tuán)SK集團(tuán)的董事長崔泰源在周一的采訪中透露，英偉達(dá)的首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK集團(tuán)旗下的存儲(chǔ)芯片制造巨頭SK海力士提出要求，希望其能提前六個(gè)月推出下一代高帶寬存儲(chǔ)產(chǎn)品HBM4。SK海力士此前
2024-11-04 16:17:001707 近日，韓國SK集團(tuán)會(huì)長透露了一項(xiàng)重要信息，即英偉達(dá)公司的首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK海力士提出了一項(xiàng)特殊的要求。黃仁勛希望SK海力士能夠提前六個(gè)月供應(yīng)其下一代高帶寬內(nèi)存芯片，這款芯片被命名為HBM
2024-11-05 10:52:481202 隨著生成式AI技術(shù)的迅猛發(fā)展和大模型參數(shù)量的急劇增加，對高帶寬、高容量存儲(chǔ)的需求日益迫切，這直接推動(dòng)了高帶寬內(nèi)存（HBM）市場的快速增長，并對HBM的性能提出了更為嚴(yán)苛的要求。近日，韓國SK集團(tuán)
2024-11-05 14:13:031482 日，英偉達(dá)（NVIDIA）的主要高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）供應(yīng)商南韓SK集團(tuán)會(huì)長崔泰源透露，英偉達(dá)執(zhí)行長黃仁勛已要求SK海力士提前六個(gè)月交付用于英偉達(dá)下一代AI芯片平臺(tái)Rubin的HBM4存儲(chǔ)芯片。這一消息意味著英偉達(dá)下一代AI芯片平臺(tái)的問世時(shí)間將提前半年。
2024-11-05 14:22:092108 近日在一次科技展覽上，SK海力士驚艷亮相，展出了全球首款48GB 16層HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)產(chǎn)品。這一突破性產(chǎn)品不僅展示了SK海力士在高端存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域
2024-11-05 15:01:201231 在近日舉辦的SK AI Summit 2024活動(dòng)中，SK hynix（SK海力士）透露了一項(xiàng)令人矚目的新產(chǎn)品計(jì)劃。據(jù)悉，該公司正在積極開發(fā)HBM3e 16hi產(chǎn)品，這款產(chǎn)品的每顆HBM芯片容量高達(dá)48GB，將為用戶帶來前所未有的存儲(chǔ)體驗(yàn)。
2024-11-14 18:20:201364 DDR6 RAM 是 目前DDR 迭代中的最新版本，最大的數(shù)據(jù)速率峰值超過 12000 MT/s。
2024-12-03 16:47:012067 SK海力士在鞏固其面向AI的存儲(chǔ)器領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)地位方面，HBM1無疑發(fā)揮了決定性作用。無論是率先開發(fā)出全球首款最高性能的HBM，還是確立并保持其在面向AI的存儲(chǔ)器市場的領(lǐng)先地位，這些成就的背后皆源于SK海力士秉持的“一個(gè)團(tuán)隊(duì)”協(xié)作精神（One Team Spirit）。
2025-06-18 15:31:021667 AMD、微軟和亞馬遜等。 ? HBM（高帶寬存儲(chǔ)器），是由AMD和SK海力士發(fā)起的基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，適用于高存儲(chǔ)器帶寬需求的應(yīng)用場合。如今HBM已經(jīng)發(fā)展出HBM2、HBM2e以及HBM3。HBM3E是HBM3的下一代產(chǎn)品，SK海力士目前是唯一能量產(chǎn)HBM3的廠商。 ? HBM 成為
2023-07-06 09:06:313695 
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