在2019年收入和利潤率大幅下降之后，SK Hynix宣布計劃削減其資本支出。盡管市場已經顯示出復蘇的跡象，但該公司不確定對DRAM和NAND的需求，因此其投資將變得更加保守和謹慎。因此，SK海力士將專注于加速技術轉換以削減成本并為下一代產品做準備。

收入同比下降33％

SK海力士2019財年的收入為26.99萬億韓元（225.67億美元），比2018年下降了33％，而其凈收入總計為2.016萬億韓元（16.85億美元），比2018年大幅下降了87％。 2019年第四季度，該公司公布的收入為6.927萬億韓元（57.92億美元），比去年同期下降30％，營業利潤為2360億韓元（1.973億美元），與去年同期相比下降95％ 。

SK Hynix將今年最后一個季度的微不足道的利潤歸因于DRAM的平均銷售價格比上一季度下降了7％，這是因為比特出貨量增長了8％，以及NAND定價持平，因為比特出貨量增長了10％。同時，SK Hynix本季度的凈虧損總額為1,180億韓元（9866.2萬美元），因為它必須重新評估其在Kioxia的投資。

資本支出削減

SK Hynix的虧損是由于供過于求以及市場總體不確定性而導致DRAM和3D NAND價格下降的結果。為此，它已確定需要集中精力削減成本和支出，這就是制造商重新考慮其資本支出計劃的原因。由于價格下跌，去年SK海力士的資本支出削減了25％（與2018年相比），降至12.7萬億韓元（106.19億美元）。顯然，今年該公司將進一步削減該數量，但目前尚無想要共享的數字。

SK Hynix的首席財務官Cha Jin-seok Cha表示：

“與去年的指導一樣，今年的資本支出將同比大幅減少。基礎設施資本支出將集中在計劃于今年完成的M16，設備資本支出將主要集中在向1y納米[DRAM]和96和128層[3D NAND]的技術移植上。同時，由于我們今年繼續將M10中的DRAM容量轉換為CMOS圖像傳感器，并將2D NAND容量轉換為3D，因此，對于DRAM和NAND，年底時的晶圓容量計劃將低于年初。 ”

加速過渡并專注于高價值產品

今年對3D NAND和DRAM的比特需求將毫無意外地繼續增長，因此沒有生產商可能會削減比特產量。因此，SK Hynix打算加快向較新工藝技術的過渡，以降低其每位成本。此外，該公司計劃確保其下一代產品沒有“毛刺”。

SK Hynix表示，到今年年底，使用第二代10 nm級制造工藝（1Y nm）制造的DRAM的份額將增加到40％。在NAND方面，該公司生產的一半以上NAND位將在2020年上半年使用其96層3D NAND技術制成。

車鎮錫先生說：

“公司將通過在技術移植過程中穩步提高技術成熟度，并準備無故障的下一代產品，來加快成本削減。到年底，DRAM中1y納米產品的很大一部分將增加到40％的水平，而對于96層3D NAND，它將在上半年過渡。”

更先進的工藝技術有望降低SK海力士的成本，但為了提高收入和盈利能力，該公司計劃更好地應對高價值市場和產品。特別是，該公司將“積極”響應業務DRAM方面對LPDDR5，GDDR6和HBM2E的需求，并增加一般固態硬盤和數據中心驅動器（尤其是NAND方面）的銷售。

首席財務官說的是：

“我們還將積極支持LPDDR5，GDDR6和HBM2E市場，這些市場有望通過增強質量競爭力并將我們的產品組合擴展到戰略市場，從而在今年實現全面增長。我們將加快用于數據中心的SSD產品的銷售，并繼續增加SSD銷售的份額，該份額在去年第四季度首次突破了30％。”

1z DRAM和128層4D NAND將于2020年推出

去年，SK Hynix完成了其用于DRAM（1Z nm）的第三代10 nm級工藝技術的開發，并開始了其128層“ 4D” NAND（官方仍將其稱為“ 3D NAND”）的樣品出貨。該公司的電荷陷阱閃存（CTF）設計以及外圍單元電池（PUC）架構。

今年，這兩種技術都將用于批量生產，但是它們的份額不會很大。

“我們將在今年內開始批量生產下一代產品1z納米[DRAM]和128層3D NAND。”

像其他行業參與者一樣，SK Hynix看到了5G和AI等新興技術的巨大應用潛力，這就是為什么它總體上對未來保持樂觀的原因。同時，盡管有一些復蘇的跡象，但根據公司管理層的說法，并非一切都恢復了正常，因此該公司在預測和支出方面都比較保守。