縮減硅工藝的可怕競(jìng)爭(zhēng)，最近又難倒了一位參賽選手。格羅方德（GlobalFoundries）今日宣布，它將無(wú)限期地暫停 7nm LP 工藝的開(kāi)發(fā)，以便將資源轉(zhuǎn)移到更加專(zhuān)業(yè)的 14nm 和 12nm
2018-08-28 09:24:20
5192 已經(jīng)完成，現(xiàn)在可以為客戶(hù)提供樣品。通過(guò)在其基于極紫外（EUV）的工藝產(chǎn)品中添加另一個(gè)尖端節(jié)點(diǎn)，三星再次證明了其在先進(jìn)晶圓代工市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位。 與7nm相比，三星的5nm FinFET工藝技術(shù)將邏輯區(qū)域效率提高了25％，功耗降低了20％，性能提高了10％，從而使其能夠擁有更多創(chuàng)
2019-04-18 15:48:477185 海軍博士和梁孟松博士表示，FinFET的研發(fā)工作繼續(xù)加速。該公司的14納米工藝目前正處于風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)階段，預(yù)計(jì)將在年底前實(shí)現(xiàn)盈利。 此外，該公司還開(kāi)始與12nm工藝的客戶(hù)合作，提供了第一代FinFET技術(shù)的增強(qiáng)版本。并抓住5G / IoT /汽車(chē)和其他行業(yè)趨勢(shì)的機(jī)會(huì)實(shí)現(xiàn)突破
2019-08-20 09:25:017452 成功批量生產(chǎn)14nm FinFET。因此，這也使中芯國(guó)際工廠(chǎng)成為中國(guó)最先進(jìn)的集成生產(chǎn)基地。 另一方面，臺(tái)積電是一家成熟的行業(yè)供應(yīng)商，其大部分業(yè)務(wù)集中在南京工廠(chǎng)，該工廠(chǎng)于2018年底投入運(yùn)營(yíng)。它投資30億美元，使其能夠生產(chǎn)20,000個(gè)12英寸晶圓廠(chǎng)每月。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)
2020-01-14 11:21:196216 互連產(chǎn)品供應(yīng)商Molex公司宣佈提供QSFP+低功耗56Gb/s 14資料速率主動(dòng)光纜（Active Optical Cable， AOC）產(chǎn)品，在長(zhǎng)達(dá)4公里距離上可達(dá)到最高56 Gbps集合資料速率，提供較低成本可靠解決方案。每
2012-11-19 12:08:291881 三星14nm同樣引入了FinFET晶體管技術(shù)，而且又類(lèi)似GlobalFoundries、聯(lián)電，三星也使用了14+20nm混合工藝，大致來(lái)說(shuō)就是晶體管是14nm的，其它各部分則都是20nm的。
2013-02-08 15:13:141962 阿爾特拉之所以選擇英特爾作為14nm工藝代工企業(yè)，是因?yàn)橛⑻貭栐诹Ⅲw晶體管（FinFET）技術(shù)方面的量產(chǎn)業(yè)績(jī)獲得好評(píng)。20nm工藝之前阿爾特拉一直將臺(tái)積電作為主要的代工企業(yè)，而14nm工藝的生產(chǎn)將只委托給英特爾
2013-03-05 08:51:201758
FinFET技術(shù)是電子業(yè)界的新一代先進(jìn)技術(shù)，是一種新型的多重閘極3D電晶體，提供更顯著的功耗和效能優(yōu)勢(shì)，遠(yuǎn)勝過(guò)傳統(tǒng)平面型電晶體。Intel已經(jīng)在22nm上使用了稱(chēng)為叁閘極（tri-gate
2013-03-28 09:26:472997 格羅方德表示2015年推出10納米，此進(jìn)度比臺(tái)積電領(lǐng)先兩年，也比英特爾2016年投入研發(fā)還領(lǐng)先一年。
2013-04-28 09:11:361210 格羅方德可望以28納米制程在中國(guó)大陸芯片市場(chǎng)打下一片天。對(duì)此，格羅方德透過(guò)先期研發(fā)合作及保證產(chǎn)能供應(yīng)等策略，積極拉攏中國(guó)大陸芯片商，并已成功搶下瑞芯微等客戶(hù)。
2013-06-24 09:08:251696 在Synopsys 的協(xié)助下，臺(tái)灣聯(lián)電（UMC）首款基于14nm制程及FinFET晶體管技術(shù)的測(cè)試用芯片日前完成了流片。聯(lián)電公司早前曾宣布明年下半年有意啟動(dòng)14nm 制程FinFET產(chǎn)品的制造，而這
2013-06-28 09:57:581339 臺(tái)積電與格羅方德正積極搶攻中國(guó)大陸28納米（nm）市場(chǎng)商機(jī)。隨著28納米晶圓量產(chǎn)技術(shù)成熟且價(jià)格日益親民，中國(guó)大陸前五大IC設(shè)計(jì)業(yè)者正相繼在新一代處理器方案導(dǎo)入該制程，刺激28納米投片需求大增；因此
2013-08-12 10:09:411184 在歷經(jīng)16nm/14nm閘極成本持續(xù)增加后，可望在10nm時(shí)降低。雖然IBS并未預(yù)期工藝技術(shù)停止微縮，但預(yù)計(jì)試錯(cuò)成本（cost penalty）將出現(xiàn)在采用20nm bulk CMOS HKMG和16/14nm FinFET之際。
2015-06-23 10:39:271563 格羅方德半導(dǎo)體（GLOBALFOUNDRIES）今日發(fā)布一種全新的半導(dǎo)體工藝，以滿(mǎn)足新一代聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的超低功耗要求。“22FDX?”平臺(tái)提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本則與28nm平面晶體管工藝相當(dāng)，為迅速發(fā)展的移動(dòng)、物聯(lián)網(wǎng)、RF連接和網(wǎng)絡(luò)市場(chǎng)提供了一個(gè)最佳解決方案。
2015-07-14 11:18:182347 10nm新工藝難產(chǎn)，Intel不得不臨時(shí)增加了第三代的14nm工藝平臺(tái)Kaby Lake，但即便如此進(jìn)展也不快，Intel甚至將其描述為“2017年平臺(tái)”（2017 Platform）。
2016-07-11 09:44:081482 2016年各大晶圓廠(chǎng)的主流工藝都是14/16nm FinFET工藝，Intel、TSMC及三星明年還要推10nm工藝，由于Intel也要進(jìn)軍10nm代工了，這三家免不了一場(chǎng)大戰(zhàn)。但是另一家代工廠(chǎng)
2016-08-17 16:59:403049 半導(dǎo)體市況好熱鬧，就在臺(tái)積電透露5nm將在2019年試產(chǎn)之際，聯(lián)電23日也宣布，自主研發(fā)的14nm鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）制程技術(shù)，已成功進(jìn)入客戶(hù)芯片量產(chǎn)階段，良率已達(dá)先進(jìn)制程的業(yè)界競(jìng)爭(zhēng)水平，此制程將幫助客戶(hù)開(kāi)拓嶄新的應(yīng)用于電子產(chǎn)品。
2017-02-24 07:56:013039 5月14日， Cadence宣布基于中芯國(guó)際14nm工藝的10Gbps多協(xié)議PHY研發(fā)成功，這是行業(yè)首個(gè)SMIC FinFET工藝上有成功測(cè)試芯片的多協(xié)議SerDes PHY IP。
2020-05-15 09:32:165833 6月7日晚間，中芯國(guó)際在上交所公布了對(duì)第一輪審核問(wèn)詢(xún)函的回復(fù)。此前中芯國(guó)際在招股說(shuō)明書(shū)披露，公司邏輯工藝技術(shù)平臺(tái)65/55nm及以下、0.13/0.11微米、0.18/0.15微米均為國(guó)際領(lǐng)先，成熟
2020-06-09 10:29:2410190 3nm 時(shí)代來(lái)臨了！Cadence 在 2023 年 TSMC 北美技術(shù)研討會(huì)期間發(fā)布了面向臺(tái)積電 3nm 工藝（N3E）的 112G 超長(zhǎng)距離（112G-ELR）SerDes IP 展示，這是
2023-05-19 16:25:121405 
一些分析文章指出，臺(tái)積電的7nm工藝在很多指標(biāo)上和英特爾的10nm工藝很接近。圖為臺(tái)積電、英特爾和格羅方德不同代次工藝的典型尺寸對(duì)比，不過(guò)格羅方德放棄了所有14nm以后的工藝研發(fā)。
2020-07-07 11:38:14
14nm工藝的肖特基二極管和與非門(mén)導(dǎo)通延時(shí)是多少皮秒啊
2018-06-17 13:21:09
增強(qiáng)；同時(shí)也極大地減少了漏電流的產(chǎn)生，這樣就可以和以前一樣繼續(xù)進(jìn)一步減小Gate寬度。目前三星和臺(tái)積電在其14/16nm這一代工藝都開(kāi)始采用FinFET技術(shù)。圖6：Intel（左：22nm）和Samsung（右：14nm）Fin鰭型結(jié)構(gòu)注：圖3、圖6的圖片來(lái)于網(wǎng)絡(luò)。
2017-01-06 14:46:20
的解決方案。 產(chǎn)品優(yōu)勢(shì) 所有領(lǐng)先代工廠(chǎng)和先進(jìn)IDM的標(biāo)準(zhǔn)建模工具 完整和強(qiáng)大的SPICE建模功能 高效和精準(zhǔn)的參數(shù)提取和優(yōu)化引擎 領(lǐng)先的SPICE建模技術(shù)支持最先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)、各種器件類(lèi)型
2020-07-01 09:36:55
Intel正在野心勃勃地打造22nm新工藝、Silvermont新架構(gòu)的智能手機(jī)、平板機(jī)處理器，而接下來(lái)的14nm路線(xiàn)圖也已經(jīng)曝光了。 根據(jù)規(guī)劃，在平板機(jī)平臺(tái)上，Intel將于2014年
2013-08-21 16:49:33
Exypnos和Prasinos，分別意為智能和環(huán)保)，搭載于自家旗艦機(jī)Galaxy S8上，宣稱(chēng)與上一代14nm工藝相較性能提高了27%、功耗降低40%。另一方面，臺(tái)積電的10nm產(chǎn)品A11 Bionic
2018-06-14 14:25:19
的寬度，也被稱(chēng)為柵長(zhǎng)。柵長(zhǎng)越短，則可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶體管。目前，業(yè)內(nèi)最重要的代工企業(yè)臺(tái)積電、三星和GF（格羅方德），在半導(dǎo)體工藝的發(fā)展上越來(lái)越迅猛，10nm制程才剛剛應(yīng)用一年半，7n...
2021-07-29 07:19:33
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-20 08:01:20
最近扒了扒國(guó)產(chǎn)芯片的進(jìn)展，發(fā)現(xiàn)中芯國(guó)際（官網(wǎng)鏈接：https://www.smics.com）的 14nm FinFET 制程已經(jīng)不是 “實(shí)驗(yàn)室技術(shù)” 了 —— 從消費(fèi)電子的中端處理器，到汽車(chē)電子
2025-11-25 21:03:40
10月7日，沉寂已久的計(jì)算技術(shù)界迎來(lái)了一個(gè)大新聞。勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)團(tuán)隊(duì)打破了物理極限，將現(xiàn)有最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。晶體管的制程大小一直是計(jì)算技術(shù)進(jìn)步的硬指標(biāo)。晶體管
2016-10-08 09:25:15
安華高科技首次在40nm硅芯上取得20 Gbps的SerDes性能表現(xiàn)
Avago Technologies(安華高科技)日前宣布，已經(jīng)在40nm CMOS工藝技術(shù)上取得20 Gbps的SerDes性能表現(xiàn)。延續(xù)嵌入式SerDes應(yīng)用長(zhǎng)久以
2008-08-27 00:34:23971 格羅方德半導(dǎo)體(GLOBALFOUNDRIES )日前宣布了該公司推進(jìn)尖端20納米的制造工藝走向市場(chǎng)的一項(xiàng)重大的進(jìn)展。羅格方德半導(dǎo)體利用電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)的先進(jìn)廠(chǎng)商如Cadence Design Systems、Magma De
2011-09-20 08:49:001007 日前，Avago Technologies宣布其25 Gbps 串化器/并化器 (SerDes) 核心已在28nm 工藝技術(shù)上與25G 長(zhǎng)距離(LR) 通用電子界面(CEI) 標(biāo)準(zhǔn)兼容。
2012-02-05 10:48:241092 為與臺(tái)積電爭(zhēng)搶下一波行動(dòng)裝置晶片制造商機(jī)，格羅方德將率先導(dǎo)入三維鰭式電晶體（3D FinFET）架構(gòu)于14nm制程產(chǎn)品中，預(yù)計(jì)明年客戶(hù)即可開(kāi)始投片，后年則可望大量生產(chǎn)。
2012-10-09 12:02:371192 電子設(shè)計(jì)企業(yè)Cadence Design Systems， Inc.今天宣布，借助IBM FinFET晶體管技術(shù)，已經(jīng)成功流片了14nm工藝的ARM Cortex-M0處理器試驗(yàn)芯片。
2012-11-01 09:11:031858 據(jù)《愛(ài)爾蘭時(shí)報(bào)》報(bào)道，Intel已經(jīng)決定，將其都柏林萊克斯利普（Leixlip）晶圓廠(chǎng)升級(jí)14nm工藝的計(jì)劃推遲半年，暫時(shí)仍舊停留在22nm。 為了部署新工藝，Intel還調(diào)集了大約600名愛(ài)爾蘭員工，
2012-11-12 09:39:40991 雖然開(kāi)發(fā)先進(jìn)微縮制程的成本與技術(shù)難度愈來(lái)愈高，但站在半導(dǎo)體制程前端的大廠(chǎng)們?nèi)岳^續(xù)在這條道路上努力著。Cadence日前宣布，配備運(yùn)用IBM的FinFET制程技術(shù)而設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)之ARM Cortex-M0處理
2012-11-17 10:29:361193 全球晶圓代工業(yè)者正加緊展開(kāi)FinFET布局。繼格羅方德宣布將于2013年量產(chǎn)14奈米FinFET后，臺(tái)灣晶圓雙雄臺(tái)積電與聯(lián)電亦陸續(xù)公布FinFET制程發(fā)展藍(lán)圖與量產(chǎn)時(shí)程表，希冀藉此一新技術(shù)，提供
2012-12-20 08:43:111856 GlobalFoundries、Intel都在紛紛宣傳各自的14nm新工藝，三星電子今天也宣布，已經(jīng)在14nm FinFET工藝開(kāi)發(fā)之路上取得又一個(gè)里程碑式的突破，與其設(shè)計(jì)、IP合作伙伴成功流片了多個(gè)開(kāi)發(fā)載具。
2012-12-24 09:28:241508 ? Analog FastSPICE? 電路驗(yàn)證平臺(tái)已完成了電路級(jí)和器件級(jí)認(rèn)證，Olympus-SoC? 數(shù)字設(shè)計(jì)平臺(tái)正在進(jìn)行提升，以幫助設(shè)計(jì)工程師利用 TSMC 10nm FinFET 技術(shù)更有效地驗(yàn)證和優(yōu)化其設(shè)計(jì)。10nm V1.0 工藝的認(rèn)證預(yù)計(jì)在 2015 年第 4 季度完成。
2015-09-21 15:37:101664 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造技術(shù)廠(chǎng)商格羅方德半導(dǎo)體（GLOBALFOUNDRIES）今日宣布，其子公司新加坡格羅方德半導(dǎo)體公司（GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.）榮膺由新加坡經(jīng)濟(jì)發(fā)展局（EDB）頒發(fā)的區(qū)域總部（RHQ）大獎(jiǎng)。
2015-12-08 16:51:441839 驍龍 820 此前已經(jīng)傳聞將會(huì)由三星代工生產(chǎn)，今天三星官方正式確認(rèn)了這個(gè)消息，并且表示大規(guī)模生產(chǎn)使用的是三星最新的第二代 14nm FinFET 工藝。
2016-01-15 17:24:241377 2016年半導(dǎo)體的主流工藝是14/16nm FinFET工藝，主要有Intel、TSMC及三星/GlobalFoundries（格羅方德）三大陣營(yíng)，下一個(gè)節(jié)點(diǎn)是10nm，三方都會(huì)在明年量產(chǎn)，不過(guò)
2016-05-30 11:53:531179 三星10納米工藝技術(shù)公告：全球領(lǐng)先的三星電子先進(jìn)的半導(dǎo)體元器件技術(shù)正式宣布，其第二代10納米(nm)FinFET工藝技術(shù)，10LPP(Low Power Plus)已經(jīng)合格并準(zhǔn)備就緒用于批量生產(chǎn)。
2017-05-03 01:00:11815 Technology （12FFC） 和最新版本 7nm FinFET Plus 工藝的認(rèn)證。Nitro-SoCTM 布局和布線(xiàn)系統(tǒng)也通過(guò)了認(rèn)證，可以支持 TSMC 的 12FFC 工藝技術(shù)。
2017-10-11 11:13:423455 格羅方德在近日公布7納米制程相關(guān)的資訊，格羅方德表示預(yù)計(jì)較14納米制程可能提升40%效能或?qū)⒐慕档?55%。并將提供兩款不同版本的 7 納米制程。
2017-12-20 13:10:4310583 
應(yīng)用的新一代處理器解決方案。 格羅方德指出，意法半導(dǎo)體在業(yè)界率先部署 28 納米 FD-SOI 技術(shù)平臺(tái)后，決定擴(kuò)大投入及發(fā)展藍(lán)圖，采用格羅方德生產(chǎn)就緒的 22FDX 制程及生態(tài)系統(tǒng)，提供第 2 代 FD-SOI 解決方案，打造未來(lái)智能系統(tǒng)。
2018-01-10 20:44:021155 恩智浦推出首款采用14nm LPC FinFET先進(jìn)工藝技術(shù)打造的嵌入式多核異構(gòu)應(yīng)用處理器，其核心是可擴(kuò)展的內(nèi)核異構(gòu)體，包括多達(dá)四個(gè)主頻達(dá)2GHz的ARM Cortex-A53內(nèi)核以及主頻達(dá)400+MHz基于Cortex-M4的實(shí)時(shí)處理器。
2018-03-02 16:43:012567 中芯國(guó)際聯(lián)席CEO梁孟松透露，中芯國(guó)際將在2018年下半年量產(chǎn)28nm HKC+工藝，2019年上半年開(kāi)始試產(chǎn)14nm FinFET工藝，并藉此進(jìn)入AI芯片領(lǐng)域。
2018-05-14 14:52:006032 格羅方德半導(dǎo)體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導(dǎo)體工藝平臺(tái)12FDXTM，實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)首個(gè)多節(jié)點(diǎn)FD-SOI路線(xiàn)圖，從而延續(xù)了其領(lǐng)先地位。新一代12FDXTM平臺(tái)建立在其22FDXTM平臺(tái)的成功基礎(chǔ)之上，專(zhuān)為未來(lái)的移動(dòng)計(jì)算、5G連接、人工智能、無(wú)人駕駛汽車(chē)等各類(lèi)應(yīng)用智能系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。
2018-05-14 15:54:003070 
Synopsys設(shè)計(jì)平臺(tái)用于高性能、高密度芯片設(shè)計(jì) 重點(diǎn)： Synopsys設(shè)計(jì)平臺(tái)獲得TSMC工藝認(rèn)證，支持高性能7-nm FinFET Plus工藝技術(shù)，已成功用于客戶(hù)的多個(gè)設(shè)計(jì)項(xiàng)目。 針對(duì)
2018-05-17 06:59:005639 替換高清大圖 請(qǐng)點(diǎn)擊此處輸入圖片描述 中芯國(guó)際將在2018年下半年量產(chǎn)28nm HKC+工藝，2019年上半年開(kāi)始試產(chǎn)14nm FinFET工藝，并借此進(jìn)入...... 晶圓制造是目前芯片設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)
2018-05-17 09:37:355724 Mentor Graphics Corp. 與英特爾公司宣布，Mentor 的電路模擬和驗(yàn)收工具已經(jīng)完全啟用英特爾面向 Intel Custom Foundry 客戶(hù)的 14nm三柵極工藝技術(shù)
2018-06-02 12:00:001830 日前，格羅方德宣布停止7nm工藝的投資研發(fā)，轉(zhuǎn)而專(zhuān)注現(xiàn)有14/12nm FinFET工藝和22/12nm FD-SOI工藝。
2018-09-03 16:41:425853 縮減硅工藝的可怕競(jìng)爭(zhēng)，最近又難倒了一位參賽選手。格羅方德（GlobalFoundries）今日宣布，它將無(wú)限期地暫停 7nm LP 工藝的開(kāi)發(fā)，以便將資源轉(zhuǎn)移到更加專(zhuān)業(yè)的 14nm 和 12nm FinFET 節(jié)點(diǎn)的持續(xù)開(kāi)發(fā)上。
2018-09-06 10:31:343454 。現(xiàn)在的問(wèn)題是英特爾的產(chǎn)能不足可能不止影響14nm，明年的10nm產(chǎn)能也不樂(lè)觀，爆料顯示原本計(jì)劃中的10nm Icelake處理器從明年的路線(xiàn)圖中消失，取而代之的是現(xiàn)有14nm工藝的Coffee Lake Refresh，也就是咖啡湖的升級(jí)版。 由于這兩年來(lái)英特爾深陷工藝、架構(gòu)升
2018-09-19 16:56:001568 基于7nm工藝技術(shù)的控制器和PHY IP具有豐富的產(chǎn)品組合，包括LPDDR4X、MIPI CSI-2、D-PHY、PCI Express 4.0以及安全I(xiàn)P。
IP解決方案支持TSMC 7nm工藝技術(shù)所需的先進(jìn)汽車(chē)設(shè)計(jì)規(guī)則，滿(mǎn)足可靠性和15年汽車(chē)運(yùn)行要求。
2018-10-18 14:57:217323 新思科技（Synopsys）推出支持TSMC 7nm FinFET工藝技術(shù)的汽車(chē)級(jí)DesignWare Controller和PHY IP。DesignWare LPDDR4x、MIPI CSI-2
2018-11-13 16:20:232042 根據(jù)中芯國(guó)際之前的爆料，其14nm工藝良率已達(dá)95%，進(jìn)展符合預(yù)期，已經(jīng)進(jìn)入了客戶(hù)導(dǎo)入階段，正在進(jìn)行驗(yàn)證及IP設(shè)計(jì)。另外，中芯國(guó)際聯(lián)席CEO梁孟松宣布計(jì)劃在2019年上半年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)14nm FinFET。
2018-11-11 10:03:304908
從去年下半年開(kāi)始，不斷有消息稱(chēng)，中芯國(guó)際將在2019年上半年大規(guī)模量產(chǎn)14nm工藝，雖然相比世界最先進(jìn)水平還有一定差距，但追趕勢(shì)頭已經(jīng)非常快了。
不過(guò)現(xiàn)在有外媒報(bào)道稱(chēng)，中芯國(guó)際會(huì)從
2019-02-27 15:48:066970 本位介紹14nm節(jié)點(diǎn)FinFET工藝流程。（后柵工藝BEOL+FEOL）
3.1流程概述：晶圓材料-隔離—淀積多晶硅—芯軸—鰭硬掩膜（“側(cè)墻”）—刻蝕形成鰭—雙阱形成—制作臨時(shí)輔助柵—補(bǔ)償隔離
2019-04-10 08:00:00
161 英特爾已經(jīng)使用了 N 年的 14nm 工藝制程了，而現(xiàn)在這家科技巨頭似乎遇到了 10nm 的產(chǎn)能問(wèn)題，于是 14nm++++ 成為未來(lái)兩三年內(nèi)英特爾的主力制程，這也是消費(fèi)者所不想要看到的。然而事實(shí)便是這樣，于是大家也就只能硬著頭皮使用英特爾的 14nm 產(chǎn)品了。
2019-12-02 16:31:329046 據(jù)介紹，14nm FinFET工藝使得界面態(tài)密度（Nit）提升40%以上，閃爍噪聲提高64%，數(shù)字邏輯功能芯片功耗降低34%。憑借14nm FinFET先進(jìn)工藝優(yōu)勢(shì)，144MP功耗有望降低42%。
2020-01-25 15:40:001988 
這兩年中國(guó)公司受?chē)?guó)外技術(shù)限制最多的領(lǐng)域就是半導(dǎo)體芯片了，從內(nèi)存、閃存到CPU，再到5G射頻等等，卡脖子的問(wèn)題依然沒(méi)有解決。不過(guò)2020年就是一個(gè)分水嶺了，明年中國(guó)公司將掌握多項(xiàng)先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)，比如14nm工藝、國(guó)產(chǎn)的內(nèi)存、閃存等。
2019-12-30 09:05:112966 我們要不要過(guò)分夸大中芯國(guó)際呢，14nm能夠發(fā)揮7nm工藝的水平？如果說(shuō)14nm高于12nm，筆者是相信的，畢竟當(dāng)年的iphone 6s的兩個(gè)處理器是混用的。
2020-03-09 11:59:343900 5月14日， Cadence宣布基于中芯國(guó)際14nm工藝的10Gbps多協(xié)議PHY研發(fā)成功，這是行業(yè)首個(gè)SMIC FinFET工藝上有成功測(cè)試芯片的多協(xié)議SerDes PHY IP。
2020-05-14 15:36:443633 但格羅方德近幾年的運(yùn)營(yíng)泛善可陳，營(yíng)收不利的情況下，格羅方德在 2018 年 9 月宣布停止（至少是暫停）對(duì)于 7nm 先進(jìn)制程的研究，在技術(shù)基本上放棄了競(jìng)爭(zhēng)。由于先進(jìn)制程的擱淺，AMD 等曾經(jīng)格羅方德的大客戶(hù)，不得已也只得投奔臺(tái)積電。
2020-06-16 15:20:152873 去年AMD推出了7nm Zen2架構(gòu)的銳龍、霄龍?zhí)幚砥鳎@是首款7nm工藝的x86處理器。不過(guò)嚴(yán)格來(lái)說(shuō)它是7nm+14nm混合，現(xiàn)在AMD要加速甩掉14nm工藝了，IO核心也有望使用臺(tái)積電7nm工藝。
2020-09-24 10:12:582369 從2015年推出14nm處理器Skylake算起，Intel的14nm工藝已經(jīng)量產(chǎn)超過(guò)5年了，推出了至少三代工藝，性能已經(jīng)大幅提升，不可同日而語(yǔ)了。
2020-10-25 09:09:443371 昨天，中芯國(guó)際發(fā)布2020年Q3財(cái)報(bào)，得益于14nm工藝的爆發(fā)，其中單季營(yíng)收首超10億美元，創(chuàng)歷史新高。 值得一提的是，中芯國(guó)際Q3季度不僅產(chǎn)能利用率達(dá)到了97.8%，而且先進(jìn)工藝占比快速提升，14
2020-11-12 09:37:112203 第四季度進(jìn)入量產(chǎn)，良率一已達(dá)業(yè)界量產(chǎn)水準(zhǔn)。總體來(lái)說(shuō)，我們正在與國(guó)內(nèi)和海外客戶(hù)合作十多個(gè)先進(jìn)工藝，流片項(xiàng)目，包含14nm及更先進(jìn)工藝技術(shù)。 雖然我們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">先進(jìn)工藝的研發(fā)和運(yùn)營(yíng)上，取得了一些成績(jī)，但我們距離世界一流企業(yè)，還有一定技術(shù)差距，還
2020-11-12 18:14:382286 11月12日，中芯國(guó)際在發(fā)布第三季度財(cái)報(bào)后的電話(huà)會(huì)議上，被業(yè)界譽(yù)為“芯片狂人”的中芯國(guó)際聯(lián)合CEO梁孟松表示，目前14nm量產(chǎn)良率已達(dá)業(yè)界量產(chǎn)水準(zhǔn)。這句話(huà)字里行間透露了怎么樣的信息，中芯國(guó)際的14nm產(chǎn)線(xiàn)在國(guó)際上能否一戰(zhàn)，成為業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。但他也承認(rèn)，未來(lái)還有很長(zhǎng)的路要走。
2020-11-13 10:31:322614 
梁孟松在會(huì)議上表示：中芯國(guó)際的14nm在去年第四季度進(jìn)入量產(chǎn)，良率已達(dá)業(yè)界量產(chǎn)水準(zhǔn)。良率意對(duì)芯片至關(guān)重要，這意味著其14nm已經(jīng)進(jìn)入真正意義上的量產(chǎn)。總體來(lái)說(shuō)，我們正在與國(guó)內(nèi)和海外客戶(hù)合作十多個(gè)先進(jìn)工藝，流片項(xiàng)目，包含14nm及更先進(jìn)工藝技術(shù)。
2020-12-11 14:16:443297 最快明年1月份，Intel就要發(fā)布代號(hào)Rocket Lake-S的11代酷睿桌面版了，這次真的是最后一代14nm工藝了，明年Intel主力就會(huì)轉(zhuǎn)向10nm，產(chǎn)能也會(huì)歷史性超過(guò)14nm工藝，成為第一大主力。
2020-12-21 09:07:572523 從 14nm 制程工藝產(chǎn)品良率來(lái)說(shuō)，中芯國(guó)際生產(chǎn)水平已經(jīng)快等同于臺(tái)積電，制程工藝產(chǎn)品良率可達(dá)90%-95%。
2021-03-15 16:38:231908 近日，《烏合麒麟撤回道歉，稱(chēng)3D堆疊就是芯片優(yōu)化技術(shù)》事件在網(wǎng)上引起爭(zhēng)論，今天ASPENCORE記者歐陽(yáng)洋蔥同學(xué)進(jìn)一步對(duì)“ 14nm + 14nm 達(dá)成‘比肩’7nm 性能的問(wèn)題”展開(kāi)了專(zhuān)業(yè)的分析
2021-07-02 16:39:346837 在芯片設(shè)計(jì)和制造中，納米表示的是芯片中晶體管與晶體管之間的距離，在體積相同大小的情況下，7nm工藝的芯片容納的晶體管的數(shù)量，幾乎是14nm工藝芯片的2倍。
2022-07-06 16:53:4628009 112Gbps SerDes設(shè)計(jì)將根據(jù)應(yīng)用情況在各種配置中被采用。下圖展示了長(zhǎng)距離(LR)、中距離(MR)、極短距離(VSR)和超短距離(XSR)拓?fù)洌渲?12G信令路徑在每個(gè)拓?fù)渲卸纪怀鲲@示。
2022-07-27 15:05:162595 臺(tái)積電的16nm有多個(gè)版本，包括16nm FinFET、16nm FinFET Plus技術(shù)（16FF +）和16nm FinFET Compact技術(shù)（16FFC）。
2023-04-14 10:58:151776 3nm 時(shí)代來(lái)臨了！Cadence 在 2023 年 TSMC 北美技術(shù)研討會(huì)期間發(fā)布了面向臺(tái)積電 3nm 工藝（N3E）的 112G 超長(zhǎng)距離（112G-ELR）SerDes IP 展示，這是 Cadence 112G-ELR SerDes IP 系列產(chǎn)品的新成員。
2023-05-19 15:23:071735 
3nm 時(shí)代來(lái)臨了！Cadence 在 2023 年 TSMC 北美技術(shù)研討會(huì)期間發(fā)布了面向臺(tái)積電 3nm 工藝（N3E）的 112G 超長(zhǎng)距離（112G-ELR）SerDes IP 展示，這是 Cadence 112G-ELR SerDes IP 系列產(chǎn)品的新成員。
2023-07-10 09:26:201241 基辛格明確說(shuō)道：“馬格德堡工廠(chǎng)一旦上線(xiàn)，就將處于行業(yè)前沿。我們先進(jìn)的工藝技術(shù)也隨之進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)階段，那就是被我們稱(chēng)為的Intel 18A以及更低納米級(jí)別。而馬格德堡工廠(chǎng)則將超過(guò)這些，我們將在那里打造1.5nm的器件。”
2024-01-19 10:27:271595 近日，英國(guó)劍橋的半導(dǎo)體知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）領(lǐng)軍企業(yè)Agile Analog宣布了一項(xiàng)重要里程碑，成功在格羅方德（GlobalFoundries，簡(jiǎn)稱(chēng)格芯）的FinFET及FDX FD-SOI先進(jìn)工藝平臺(tái)
2024-07-27 14:41:321733 格羅方德（GlobalFoundries）于近日發(fā)布了2024年可持續(xù)發(fā)展報(bào)告。報(bào)告中詳細(xì)列舉了格羅方德在可持續(xù)方面的進(jìn)展，涵蓋包括在環(huán)境治理、員工關(guān)懷及可持續(xù)供應(yīng)鏈等方面的一系列舉措，進(jìn)一步彰顯了格羅方德履行企業(yè)責(zé)任、推動(dòng)可持續(xù)發(fā)展的決心。
2024-09-05 15:25:491233 。活動(dòng)期間，格羅方德（GlobalFoundries）新加坡團(tuán)隊(duì)接待了40位來(lái)自論壇的嘉賓，并參觀了格羅方德最新擴(kuò)建的晶圓廠(chǎng)。
2024-09-26 11:22:401886 在首屆全球新能源汽車(chē)合作發(fā)展論壇高層論壇（Global New Energy Vehicle Cooperation and Development Forum, GNEV2024）上，格羅方德
2024-09-26 11:27:421232 22FDX工藝，在這個(gè)工藝上格羅方德取得了值得肯定的成績(jī)。 ? 在2024年第九屆上海FD-SOI論壇上，格羅方德亞洲區(qū)總裁兼中國(guó)區(qū)主席洪啟財(cái)受邀出席，他在題為《解鎖未來(lái)：推動(dòng) FDX?（FD-SOI）技術(shù)進(jìn)步》的分享中再一次介紹了格羅方德在FD-SOI技術(shù)方面的布局和路線(xiàn)。
2024-10-23 10:46:001261 
格羅方德（GlobalFoundries）近日宣布，在經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的繼任規(guī)劃流程后，公司董事會(huì)做出重要人事任命：Thomas Caulfield（托馬斯?考爾菲爾德）博士出任執(zhí)行主席，Tim Breen
2025-02-07 10:12:40821 格羅方德近日宣布，計(jì)劃通過(guò)與新加坡主要公立研發(fā)機(jī)構(gòu)——新加坡科技研究局（Agency for Science, Technology and Research，以下簡(jiǎn)稱(chēng)“A*STAR”）簽署全新諒解備忘錄，拓展其在先進(jìn)封裝領(lǐng)域的能力。
2025-05-26 10:22:06766 格羅方德（GlobalFoundries）于近日發(fā)布了2025年可持續(xù)發(fā)展報(bào)告。報(bào)告詳細(xì)展示了公司在為員工、社區(qū)及地球構(gòu)建更加可持續(xù)未來(lái)方面所取得的顯著進(jìn)展。
2025-07-04 17:53:23896 近日，格羅方德（GlobalFoundries）宣布達(dá)成一項(xiàng)最終協(xié)議，擬收購(gòu)人工智能（AI）和處理器IP領(lǐng)域的領(lǐng)先供應(yīng)商MIPS。此次戰(zhàn)略收購(gòu)將拓展格羅方德可定制IP產(chǎn)品的陣容，使其能夠借助IP和軟件能力，進(jìn)一步凸顯工藝技術(shù)的差異化優(yōu)勢(shì)。
2025-07-09 18:03:451036 格羅方德2025年度技術(shù)峰會(huì)（GlobalFoundries Technology Summit 2025, GTS 2025）北美站于8月28日在美國(guó)加利福尼亞州圣克拉拉市成功舉辦。
2025-09-03 17:29:51880 Lighthouse Network）先進(jìn)制造商行列。這一殊榮是對(duì)格羅方德在部署和擴(kuò)大第四次工業(yè)革命技術(shù)以推動(dòng)企業(yè)整體運(yùn)營(yíng)轉(zhuǎn)型方面領(lǐng)導(dǎo)力的高度認(rèn)可。
2025-09-17 10:01:36786 發(fā)展趨勢(shì)的深刻見(jiàn)解。作為格羅方德長(zhǎng)期的生態(tài)系統(tǒng)EDA合作伙伴，概倫電子攜DTCO方法學(xué)與實(shí)踐成果亮相，向國(guó)際產(chǎn)業(yè)界展示其面向先進(jìn)工藝的創(chuàng)新解決方案。
2025-09-29 16:26:16852 日前，格羅方德（GlobalFoundries）于上海成功舉辦格羅方德2025年技術(shù)峰會(huì)（GlobalFoundries Technology Summit 2025, GTS 2025）亞洲站
2025-10-10 14:44:11695 議題展開(kāi)了深入對(duì)話(huà)。格羅方德超低功耗CMOS產(chǎn)品線(xiàn)高級(jí)副總裁 Ed Kaste（埃德?卡斯特）以及格羅方德旗下MIPS公司首席執(zhí)行官Sameer Wasson（薩米爾?沃森）在論壇中帶來(lái)了精彩演講。
2025-10-10 14:46:25584 格羅方德（GlobalFoundries，納斯達(dá)克代碼：GFS）宣布收購(gòu)總部位于新加坡的硅光晶圓代工廠(chǎng)Advanced Micro Foundry（AMF），此舉標(biāo)志著格羅方德在推進(jìn)硅光技術(shù)
2025-11-19 10:54:53431 格羅方德在2025年通過(guò)戰(zhàn)略收購(gòu)與生態(tài)協(xié)作強(qiáng)化核心競(jìng)爭(zhēng)力，為客戶(hù)提供高性能、高效率的解決方案。
2025-12-29 16:14:56633
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