格羅方德2025年度技術峰會（GlobalFoundries Technology Summit 2025, GTS 2025）北美站于8月28日在美國加利福尼亞州圣克拉拉市成功舉辦。本次峰會期間，格羅方德宣布了一系列令人矚目的技術成果與戰略合作進展，包括：

攜手芯科科技（Silicon Labs）推動Wi-Fi連接技術規模化發展

推出公司迄今為止性能最高的鍺硅平臺——130納米互補雙極型CMOS（CBIC）平臺

發布配備電阻式隨機存取存儲器（RRAM）技術的22FDX+平臺

格羅方德正以強大的技術實力和前瞻性的戰略布局打造差異化的核心芯片，助力半導體行業的創新生態發展。

攜手芯科科技推動行業領先

Wi-Fi連接技術規模化發展

格羅方德與低功耗無線技術領軍企業芯科科技宣布，雙方基于40納米工藝技術的合作取得重大里程碑——采用格羅方德40LP平臺制造的芯科科技Wi-Fi芯片累計出貨量已突破1000萬顆。此次在40LP平臺上實現無線系統級芯片（SoC）的大規模量產，其中包括芯科科技的SiWX917 Wi-Fi 6芯片，為下一代高性能、高能效的聯網設備奠定了基礎。

此次合作的核心在于格羅方德豐富多樣且性價比高、功能強大的CMOS解決方案組合，這些方案為下一代邊緣設備提供了恰到好處的功能特性。格羅方德經過硅驗證的40LP制程技術，在待機模式下具有低漏電特性，能夠支持低功耗、持續在線的智能設備。40LP平臺是格羅方德先進傳感技術產品組合中的關鍵組成部分，可提供出色的信噪比，確保實時監測時數據的精準捕獲。

推出面向高性能智能移動設備、通信及工業應用的130CBIC 鍺硅（SiGe）平臺

格羅方德宣布其130納米互補雙極型CMOS（CBIC）平臺正式投入生產，這是公司迄今為止性能最高的鍺硅技術。目前，該平臺已提供工藝設計套件（PDK）供設計使用。130CBIC平臺憑借NPN晶體管ft/fmax超過400 GHz、PNP晶體管超過200 GHz的卓越性能，成為唯一能夠滿足智能手機、無線基礎設施、光網絡、衛星通信和工業物聯網等多個關鍵市場需求的高性能鍺硅平臺。

130CBIC平臺將由格羅方德位于佛蒙特州伯靈頓的工廠研發并制造，該平臺經過優化，可在降低成本的同時，突破連接應用中射頻（RF）性能的極限。對于蜂窩智能手機而言，該平臺支持的低噪聲放大器（LNA）能夠在保持超低噪聲系數的同時，降低電流消耗，從而有助于減少電池電量損耗。在數據中心領域，該平臺的高性能PNP晶體管支持創新的放大器拓撲結構，能夠在較低功耗下實現高增益帶寬，適用于高速模擬和光網絡。此外，該平臺還支持頻率超過100GHz的先進毫米波（mmWave）工業雷達應用，能夠在更小的封裝尺寸內實現高分辨率傳感和距離測量。

發布適用于無線連接與人工智能應用的22FDX+ RRAM技術

格羅方德推出配備RRAM技術的22FDX+平臺，這標志著公司在嵌入式非易失性存儲器（eNVM）解決方案領域取得了重大進展。全新的RRAM技術與高性能、超低功耗的22FDX平臺相結合，為無線微控制器和人工智能物聯網（AI IoT）應用的代碼存儲提供了安全、低延遲、高密度的嵌入式存儲器。

格羅方德的嵌入式RRAM采用行業驗證的氧化鉿電阻式隨機存取存儲器（OxRAM）技術設計，具備低成本、低功耗讀寫、高耐久性和出色的數據保持能力等優勢。與格羅方德增強型22FDX平臺實現片上集成后，可提升數據保留能力、可靠性和安全性，同時提高電源效率，打造出緊湊型SoC解決方案。

格羅方德此次公布的一系列技術成果彰顯了格羅方德在技術研發與創新方面的卓越能力。