格羅方德（GLOBALFOUNDRIES）將于2014年量產14奈米（nm）方案。為與臺積電爭搶下一波行動裝置晶片制造商機，GLOBALFOUNDRIES將率先導入三維鰭式電晶體（3D FinFET）架構于14nm制程產品中，預計明年客戶即可開始投片，后年則可望大量生產。

　　GLOBALFOUNDRIES全球行銷暨業務執行副總裁Michael Noonen表示，隨著行動裝置功能日益豐富，消費者對于電池使用壽命的要求亦日趨嚴苛，促使半導體制程技術須持續向上精進，以利優化系統單晶片（SoC ）的效能。為實現此一愿景，在新一代14nm制程技術中采用3D FinFET架構，可將電流泄漏減到最低，延長電池使用壽命。

　　Noonen進一步指出，相較于現今2D平面式電晶體，3D FinFET藉由將導電通路設計于兩側，形成可控制電流流動的閘極環繞的3D鰭狀架構，可為行動裝置提升40～60%電池使用壽命，再加上14nm制程技術的助力，即可輕松解決行動裝置電池電力消耗過快的棘手挑戰。

　　有鑒于此，GLOBALFOUNDRIES下一代制程技術--14nm-XM即采用3D FinFET架構，并可運用該公司即將量產的20nm-LPM制程技術的矽智財（IP），讓想利用FinFET SoC優勢的IC設計商能以最快的速度從20nm無縫轉移至14nm。

　　據了解，目前GLOBALFOUNDRIES已快馬加鞭展開14nm-XM技術研發工作，除開始提供制程設計套件（PDK）外，矽晶片也已在紐約薩拉托加郡的晶圓八廠進行測試中，明年將可進行投片試產，后年則進入量產階段，成為??各大晶圓代工廠中，率先于14nm量產時程競賽中達陣的業者。

　　不光是GLOBALFOUNDRIES將在下一代制程技術中采用3D FinFET，臺積電因應未來市場需求，亦于日前變動技術藍圖，將原本下一代14奈米制程改成較符合客戶需求的16奈米制程，而此一16奈米制程也將首度導入3D FinFET電晶體制程，預計投產時間為2015年。

　　另一方面，GLOBALFOUNDRIES在28奈米產品線的業務拓展亦大有斬獲。Noonen透露，目前GLOBALFOUNDRIES不但已取得許多國際IC設計大廠的訂單，且28nm產能利用率正快速攀升中，現階段月產量可達六～八萬片，連同32nm在內，每月總共可提供近三十萬片產量，足以滿足客戶的需求。

　　盡管GLOBALFOUNDRIES在先進制程的量產腳步不斷加快，但相較于臺積電、三星（Samsung）、英特爾（Intel）等競爭對手紛紛入股艾司摩爾（ASML），以布局未來18寸晶圓商機，GLOBALFOUNDRIES則顯得略為保守。Noonen對此指出，18寸晶圓是否符合未來半導體制造成本仍是未定之數，GLOBALFOUNDRIES會藉由尋求合作機會進行仔細評估，并且持續密切關注產業最新動態與市場需求。