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中芯國際將在2018年下半年量產28nm HKC+工藝，2019年上半年開始試產14nm FinFET工藝，并借此進入......

晶圓制造是目前芯片設計環節的中上游重要組成部分，國際上一直處在半壟斷競爭態勢中。臺積電、三星、Intel等國際巨頭的晶圓工藝使他們科技力量的重要源泉。日前，中芯國際傳來了中國晶圓好消息。

中芯國際將在2018年下半年量產28nm HKC+工藝，2019年上半年開始試產14nm FinFET工藝，并借此進入AI芯片領域。

中芯國際目前的聯席CEO梁孟松表示，28nm工藝在整個2018年將占據中芯國際出貨量的5-10％，其中新的28nm HKC占比將基本接近28nm Poly-SiON。

2017年第四季度，中芯國際深圳200毫米晶圓廠的產能為442750塊晶圓，2018年第一季度提升至447750塊，平均產能利用率也提高到88.3％。

同時，來自電源管理IC的需求也越來越高，200毫米晶圓廠正全力生產，高壓BCD工藝則轉向其300毫米晶圓廠。

2017年，中芯國際收入31.01億美元，同比增長6.4％，毛利率23.9％，同比下降5.3個百分點，凈利潤10.81億美元，同比增長10.6％。

其中，28nm工藝貢獻的收入增長4.4倍創造新高，總體占比為8.0％，

中芯國際聯席CEO趙海軍透露，2018年第一季度中芯國際收入8.31億美元，毛利率26.5％，研發投入1.23億美元，預計第二季度收入環比增長7-9％，毛利率23-25％。

中芯國際40％的收入都來自中國內地，梁孟松此前曾任職臺積電，被稱為能為中芯國際帶來巨大進步的推動者。