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安華高科技首次在40nm硅芯上取得20 Gbps的SerDe

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為數字世界打拼的高科技

產業不斷出現的新挑戰。新思科技與開發者共同解決芯片挑戰之余,協助他們提升創新效率,更好地平衡工作與生活;提高技能,拓展職業發展可能性。 以下為演講內容精選: 為數字世界打拼的高科技農 新思科技從2020年開啟“創說”
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近期,第十八屆中國國際社會公共安全博覽會(簡稱“博會”)深圳福田會展中心隆重開幕。大半導體下屬北京中電大電子設計有限責任公司(簡稱“大電子”)首次參加了本屆盛會,并首次發布三款智能防安全芯片產品及其解決方案,這是大電子物聯網安全芯片的又一重磅“”品。
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IP_數據表(I-18):MIPI D-PHY Receiver for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:45:561

IP 數據表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP

IP 數據表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:47:260

IP_數據表(I-9):USB2.0 Transceiver for TSMC 40nm LP

IP_數據表(I-9):USB2.0 Transceiver for TSMC 40nm LP
2023-07-06 20:12:511

IP_數據表(Z-5):3.0V StndardCell for TSMC 40nm LP

IP_數據表(Z-5):3.0V StndardCell for TSMC 40nm LP
2023-07-06 20:19:241

IP_數據表(Z-2):GPIO for TSMC 40nm N40EF2

IP_數據表(Z-2):GPIO for TSMC 40nm N40EF2
2023-07-06 20:20:122

高科技FBAR濾波器技術設計到最新一代的4g LTE智能手機

電子發燒友網站提供《高科技FBAR濾波器技術設計到最新一代的4g LTE智能手機.pdf》資料免費下載
2023-07-20 10:25:400

高科MegaRAID固件

電子發燒友網站提供《高科MegaRAID固件.zip》資料免費下載
2023-08-07 11:11:030

基于中國際40nm車規工藝的MCU發布——Z20K11xN

Z20K11xN采用國產領先半導體生產制造工藝SMIC 車規 40nm工藝,提供LQFP48,LQFP64以及LQFP100封裝,CPU主頻最大支持64MHz,支持2路帶64個郵箱的CAN-FD通訊接口,工作電壓3.3V和5V。
2023-09-13 17:24:084276

森木磊石入選“光谷高科技高成長20強”

評選活動于2014年首次引入武漢光谷,已成功舉辦了10屆。近日,2023年“光谷20強”暨“光谷明日之星”榜單評選結果隆重揭曉,森木磊石光榮上榜。2023光谷高科技
2023-10-28 08:23:47844

ST宣布:40nm MCU交由華虹代工!

意法半導體(STMicroelectronics)宣布了將與中國第二大晶圓代工廠合作,計劃于2025年底中國生產40nm節點的微控制器(MCU).
2024-11-21 15:41:561482

ST宣布華虹代工 生產40nm節點的MCU

11月21日,意法半導體(ST)宣布與中國晶圓代工廠華虹半導體合作的新計劃 ,將與華虹合作中國生產40nm節點的MCU! 意法半導體表示,它正在與中國第二大定制芯片制造商華虹合作,到2025年底
2024-11-26 01:05:001224

意法半導體40nm MCU將由華虹代工

近日,歐洲芯片巨頭意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)宣布了一項與中國第二大晶圓代工廠華虹半導體合作的新計劃。雙方將攜手中國生產40nm節點的微控制器(MCU),以助力ST實現中長期的營收目標。
2024-12-03 12:42:151389

英泰斯特入選光谷高科技高成長20

近日,2024德勤光谷高科技高成長20強、明日之星暨生命健康之星榜單評選頒獎活動武漢光谷隆重舉行,英泰斯特成功入選光谷高科技高成長20強企業。該活動由武漢東湖新技術開發區管理委員會指導,德勤中國主辦,浦發銀行協辦。旨在發現和表彰高速成長、不斷創新的科創企業。
2024-12-12 14:21:011064

鐳神智能榮耀登榜2024德勤深圳高科技高成長20

2024年11月27日,德勤中國深圳隆重舉行了2024德勤深圳高科技高成長20強(下稱“深圳20強”)及明日之星(下稱“深圳明日之星”)頒獎盛典,并揭曉了備受矚目的評選結果。在這場匯聚了眾多優秀
2024-12-27 18:36:34954

創飛40nm eNT嵌入式eFlash IP通過可靠性驗證

珠海創飛科技有限公司非易失性存儲技術領域再獲突破——基于40nm標準工藝平臺開發的eNT嵌入式eFlash IP已通過可靠性驗證!這一成果進一步展現了創飛科技有限公司在先進工藝節點的技術實力與工程化能力。
2025-08-14 11:52:592248

創飛40nm HV工藝OTP IP完成

珠海創飛科技有限公司實現新突破!我司基于40HV(40nm 1.1V / 8V / 32V high voltage process)工藝制程的一次性可編程存儲IP核已在國內兩家頭部晶圓代工廠經過
2025-08-14 17:20:531312

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