科友半導體突破了8英寸SiC量產關鍵技術，在晶體尺寸、厚度、缺陷控制、生長速率、制備成本、及裝備穩定性等方面取得可喜成績。2023年4月，科友半導體8英寸SiC中試線正式貫通并進入中試線生產，打破了國際在寬禁帶半導體關鍵材料的限制和封鎖。 ? ?

1.科友半導體突破了大尺寸、高厚度、低應力碳化硅晶體制備關鍵技術 ?

碳化硅襯底成本是限制其下游應用的關鍵因素，碳化硅晶體的尺寸和厚度的持續增加是襯底成本降低的關鍵。科友半導體基于設備、原料、熱場、工藝方面的優勢積累，通過提高原料及氣相組分比例穩定性、維持長期生長的穩定溫場和濃度場條件、調控晶體生長速率和均勻性，實現了高厚度、低應力6/8英寸碳化硅晶體穩定制備，在6英寸晶體厚度超過40mm的基礎上，8英寸晶體直徑超過210mm，厚度目前穩定在15mm以上。

2.科友半導體突破了零微管、低位錯的高品質碳化硅晶體制備關鍵技術 ?

低缺陷、高質量是襯底產品的核心競爭力之一。科友半導體通過粉料純化預結晶處理、應用蒸鍍碳化鉭（TaC）蒸鍍石墨結構件、熱場結構設計、籽晶鍍膜背保護等多項獨家技術，在實現零微管缺陷的基礎上進一步降低了位錯缺陷密度，6英寸晶體位錯缺陷密度＜3000個cm-2，8英寸晶體微管密度＜0.1個cm-2，位錯缺陷密度＜5000個cm-2，晶體質量處于行業領先水平。 ?

3.科友半導體突破了大尺寸碳化硅高速率生長關鍵技術

? PVT法碳化硅晶體生長具有生長速率慢、周期長的特點，極大限制了8英寸碳化硅晶體的制造成本。科友半導體基于高熱場穩定性、高工藝穩定性、和高裝備穩定性，突破了8英寸SiC晶體快速生長工藝技術，長晶速率已達到170μm/h以上，長晶周期約為4-5天，單臺長晶爐設備每月運轉約6-7爐次。長晶工藝時長短結合設備運轉次數多，進一步降低了制造成本，為大規模8英寸襯底量產奠定了基礎。 ?

4.科友半導體掌握了高穩定性、高良率大尺寸碳化硅制備技術

長晶良率是8英寸碳化硅晶體低成本產業化的關鍵，科友半導體基于6英寸晶體研發生產經驗，結合8英寸晶體生長的熱場結構設計及工藝特性，在高穩定性電阻長晶爐的基礎上，采取了獨特的保溫設計和先進的熱場分區結構，開發出適用于8英寸SiC穩定生長的工藝技術，大幅提升了長晶的穩定性、重現性。

目前，科友半導體突破了8英寸SiC量產關鍵技術，8英寸SiC中試線平均長晶良率已突破50%，晶體厚度15mm以上，有望粉碎國際封鎖，成為我國大尺寸低成本碳化硅規模化量產制造技術的領跑者。

審核編輯：劉清