2021年6月5日，英諾賽科（蘇州）半導體有限公司在蘇州汾湖高新區舉辦量產暨研發樓奠基儀式。英諾賽科成立于2015年，是全球領先的硅基氮化鎵IDM企業，致力于8英寸GaN電力電子器件的研發與生產，在珠海和蘇州均設有8英寸硅基氮化鎵量產線。

英諾賽科蘇州一期項目于2018年6月奠基，2019年8月完成主廠房封頂，2020年9月設備搬入，截至現在量產歷時僅三年時間，英諾賽科（蘇州）半導體有限公司總經理孫在亨先生在量產儀式上表示，“今天我們無比驕傲的宣布，全世界最大的氮化鎵工廠即將量產。”

英諾賽科是世界第一家實現8英寸硅基氮化鎵量產的企業，早在2017年底公司就成功建成世界首條8英寸氮化鎵產線，并推出從低壓到高壓的全線產品。蘇州一期項目投產之后，預計2021年底產能可達6000片/月，2022年底項目全部達產后，蘇州工廠將實現年產能78萬片。

當前世界正飛速發展，科技不斷創新，而硅材料經過70年的開發已經達到材料極限，相比之下，第三代半導體材料氮化鎵具備較多優勢，比如可在更高溫度下工作，具有更高的效率、功率密度、更快的開發速度以及更小的尺寸，這些正是未來產業發展所需要的特性。

過去兩年，基于硅基氮化鎵的市場應用取得了非常多突破，開始從消費，到工業、再到汽車全方位改變了應用思路，硅基氮化鎵在諸如5G、新能源汽車、激光雷達、手機、PD快充、無線充電和數據中心等領域都發揮了巨大的潛力。

英諾賽科在消費類、工業和汽車等各個領域進行了全面布局，并取得非常可觀的進展，在快充適配器市場，英諾賽科已經量產的客戶超過60家，出貨量高達千萬級，在激光雷達應用領域的出貨量也達到百萬級，在數據中心領域也已經和多家合作伙伴，量產了相關產品。

孫在亨先生表示，“基于氮化鎵的應用將會是半導體未來十年增長最快的領域，氮化鎵器件的需求也將成指數級增長，氮化鎵時代來臨了，今天隨著蘇州工廠的成功量產，英諾賽科已經做好全面準備，迎接氮化鎵時代的到來。”

當天舉辦的還有研發大樓奠基儀式，研發樓建筑面積3.5萬平方米，共十層，高50米，融合辦公、研發、餐廳三大功能。從規劃來看，該研發樓形體如初生的太陽寓意著企業蓬勃發展、似江南的飛橋彰顯科技聯系世界。

中國半導體行業協會副理事長、國家大基金總裁丁文武在發言中表示，“英諾賽科的量產是我國在化合物半導體領域又一個里程碑，英諾賽科逐漸成長為我國氮化鎵領域最大的企業。”

同時他認為，包括氮化鎵在內的半導體化合物未來有很好發展前景，當前我國的化合物半導體還處于逐漸發展的階段，這個產業從起步到逐步發展、以及今后的發展壯大，還需要各方面的支持和鼓勵。

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