2021年1月21日，中國珠海-英諾賽科科技有限公司和ASML公司達成批量購買高產能i-line和KrF光刻機的協議，用于制造先進的硅基氮化鎵功率器件。

全球領先的硅基氮化鎵集成器件制造商英諾賽科科技有限公司和光刻機制造廠商ASML近期達成批量購買高產能i-line和KrF光刻機的合作協議。ASML是全球芯片制造設備領導廠商，其生產的XT400和XT860 的i-line和KrF經過升級，能夠在硅基晶圓上制造氮化鎵功率器件。憑借其獨特的TWINSCAN（雙工件臺）架構，ASML的i-line和KrF光刻機能提供最卓越的性能、市場上最高的生產效率以及最低的成本。雙工件臺技術架構已經成為全球300mm和200mm晶圓量產生產線中的先進光刻技術代表 。英諾賽科將在今年第二季度搬入首批光刻機，這是第三代半導體領域首次量產應用先進的ASML TWINSCAN（雙工件臺）光刻技術，這一實施標志著第三代半導體制造技術正式進入了一個全新的紀元。

英諾賽科科技有限公司成立于2015年12月，是一家致力于第三代半導體硅基氮化鎵芯片制造的企業。公司成功建成投產全球首條200mm硅基氮化鎵晶圓與功率器件量產生產線，主要產品包括200mm硅基氮化鎵晶圓及30V-650V氮化鎵功率器件。英諾賽科產品的設計與性能均達到國際最先進水平，并已廣泛應用于PD快充、立體（3D）相機、移動電子設備（包括智能手機、筆記本電腦、平板電腦）等領域。英諾賽科致力于打造世界一流品牌，并為全球寬禁帶半導體產業的發展做出貢獻。

功率器件和電路可以通過高開關頻率和高功率密度來實現高效的能源管理， 這些功能可以廣泛用于快速增長的新興市場如數據中心、可再生能源和下一代無線通訊網絡等。除較小的外形尺寸外，由于其高頻率、高功率密度等特性，硅基氮化鎵還是快速充電，直流電網，新能源汽車等市場理想選擇。“第三代半導體”材料包括氮化鎵（GaN） 、碳化硅（SiC）、氮化鋁（AlN）、金剛石和氧化鋅（ZnO），而氮化鎵（GaN）是“第三代半導體”材料的典型代表，具有廣闊的市場應用前景。

2021年1月21日在珠海舉行的簽約儀式上，英諾賽科CEO 孫在亨先生 說：“我非常榮幸的宣布英諾賽科與ASML達成合作協議，我們將在一起努力用氮化鎵技術改變未來。作為一家致力于推動第三代半導體創新革命的企業，我們需要與像ASML這樣全球半導體領軍的企業合作，采用更加先進的制造工藝，實現更加高的性能、良率和產出，在快速成長的各種應用領域（例如快充、TOF相機（Time-of-Flight Camera） 、智能手機、電動車、數據中心等）共同推出最先進的解決方案以及下個世代的氮化鎵器件，為我們的客戶、伙伴和消費者創造更有價值的產品和服務。第三代半導體是一次產業革命性的升級，變革從不簡單，它需要我們攜手共進，攜手共進我們將實現合作共贏。

ASML全球副總裁，中國區總裁沈波表示：“我們很高興成為英諾賽科的合作伙伴，第三代半導體在全球市場有廣闊的應用前景，阿斯麥會全力提供光刻解決方案和服務，支持英諾賽科在這一領域的發展。”

“我們應用在200mm晶圓生產線上的 XT平臺，包括i-line、KrF和干式ArF等光刻機，是快速增長的硅基氮化鎵市場的理想長期解決方案，不僅在生產率和成本方面是這樣， 隨著氮化鎵（GaN）材料在新領域的應用，套準精度和成像要求也會隨著時間的推移而擴展。” ASML 深紫外光刻業務產品營銷和業務開發高級總監Toni Mesquida Kuesters說： “我們致力于幫助英諾賽科實現其預期目標，并期待卓有成效的合作。”