在高電壓和高效率應用領域，SemiQ作為一家領先的設計和開發企業，近日宣布推出新一系列的1200 V碳化硅(SiC)MOSFET六合一模塊。這些創新模塊旨在支持更為緊湊且具有成本效益的系統設計，以滿足各行業對高功率密度和能效解決方案日益增長的需求。

新推出的SiC MOSFET模塊采用強大的平面技術制造，具備耐用的柵氧化物結構，并集成了可靠的體二極管，從而顯著提升了其性能和穩定性。每個模塊均采用三相橋拓撲結構，配備分開的直流負極端子、壓配終端連接以及Kelvin源連接，這些設計確保了模塊在實際使用中的電氣性能穩定和信號完整性。

SemiQ的這些高速度開關模塊具有卓越的熱性能和電氣性能，表現為低開關損耗和最低的結到殼體熱阻。每個模塊都經過嚴格的測試，以確保其在高壓環境下的可靠性，包括在超過1350 V的操作條件下的測試，以及全面的100%晶圓級老化(WLBI)測試。這些測試確保了模塊在苛刻條件下的長期穩定性和可靠性。

這些新型模塊特別適用于廣泛的高性能應用場景，包括交流/直流轉換器、儲能系統、電動汽車快充基礎設施、電池充電單元、電動機驅動器、功率因數校正升壓轉換器、感應加熱和焊接設備、可再生能源系統以及不間斷電源(UPS)等。模塊設計能夠在高達175°C的結溫下運行，并支持直接安裝到散熱器上，使其在熱受限的環境中也能輕松集成。

初始產品線包括三種變體，具體為：20 mΩ(GCMX020A120B2T1P)、40 mΩ(GCMX040A120B2T1P)和80 mΩ(GCMX080A120B2T1P)。這些變體的功耗評級分別為263 W、160 W和103 W，且每個變體均可承載29 A至30 A的連續漏電流，脈沖漏電流最高可達70 A。這些模塊還提供高效的開關性能，開通開關能量范圍在0.1 mJ至0.54 mJ之間，關斷開關能量則在0.02 mJ至0.11 mJ之間。其開關時間，包括開通延遲、上升、關斷延遲和下降時間，范圍在56 ns至105 ns之間，展現出卓越的響應能力。

SemiQ的新系列1200 V SiC MOSFET六合一模塊代表了公司在高效電源解決方案領域的最新進展，結合先進的技術和應用需求，旨在為各行各業提供更高效、更可靠的電源管理解決方案。隨著市場對高功率密度和能效要求的不斷提升，這些新產品將為電力電子設備的未來發展注入動力，助力實現更智能、更可持續的電力系統。

浮思特科技深耕功率器件領域，為客戶提供IGBT、IPM模塊等功率器件以及單片機(MCU)、觸摸芯片，是一家擁有核心技術的電子元器件供應商和解決方案商。